技术特征：
技术总结
在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，其中第一半导体层与第二半导体层交互堆叠。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。蚀刻未被牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区，借此形成源极/漏极空间。通过源极/漏极空间侧向蚀刻第一半导体层。在被蚀刻的第一半导体层的每一个的一端上形成由介电材料制成的内间隔物。在源极/漏极空间中形成源极/漏极外延层以覆盖内间隔物。在侧向蚀刻第一半导体层之后，每一个第一半导体层的侧端具有V形截面。
技术研发人员：郑兆钦;杨玉麟;云惟胜;徐振峰;李东颖;陈自强
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.03.26
技术公布日：2019.05.07