本发明涉及蚀刻技术领域，特别是涉及一种蚀刻设备。
背景技术：
低温多晶硅显示技术中，干法蚀刻过程用于制备精细的图形导线及控制图形的高深宽比，以使产品获得较好的开口率及像素密度。
现有的干法蚀刻过程中，待蚀刻的基板与上电极板均位于水平方向，进行多次蚀刻后，蚀刻过程产生的生成物将逐渐粘附在上电极板上，上电极板生成物达到一定程度，粘附不稳定则会掉落至待蚀刻基板上形成蚀刻残留问题。通常采用生成物粘附性较稳定的高品质材料制备的所述上电极板或提高保养频率，经常清理或更换上电极板零件的方式避免上述问题，不仅成本高，且产品质量不稳定。
本申请的发明人在长期的研发过程中，发现现有的蚀刻设备维护成本高，生产的产品质量稳定性差。
技术实现要素：
本发明主要解决的技术问题是提供一种蚀刻设备，能够提高蚀刻后产品质量的稳定性，同时降低设备维护成本。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种蚀刻设备。
其中，该蚀刻设备包括蚀刻腔，该蚀刻腔包括：
上电极板，固定设置在该蚀刻腔的一侧部；
下电极板，可活动地设置在该蚀刻腔相对的另一侧部，该下电极板包括靠近该蚀刻腔的底部的下端部和与该下端部对应的上端部，该下电极板以该下端部为转轴旋转，进而可使该下电极板在非蚀刻过程中与该上电极板之间呈垂直状态，在蚀刻过程中与该上电极板之间呈平行状态。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在该下电极板上设置了用于带动该下电极板旋转的该下端部，使得该下电极板和该上电极板的相对位置可以根据需要进行调节。在非蚀刻过程中，能够在水平方向接收该待蚀刻的基板；在蚀刻过程中，通过该下端部的旋转，能够使该下电极板和该上电极板相互平行且位于非水平方向。由于气体倾向于向上运动，这样，能够有效避免蚀刻过程产生的气体在该上电极板上沉积，也不需生成物粘附性较稳定的高品质材料制备的所述上电极板；即使有少量气体沉积到该上电极上，由于该上电极板处于非水平方向，该沉积物也不会脱落至该下电极板上，也就保证该待蚀刻的基板表面的清洁，避免蚀刻设备的频繁清洁维护，降低成本；同时，蚀刻后的基板表面清洁，能够提高产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本发明一种蚀刻设备一实施方式第一工作状态的结构示意图；
图2是本发明一种蚀刻设备一实施方式第二工作状态的结构示意图；
图3是本发明一种蚀刻设备另一实施方式第一工作状态的结构示意图；
图4是本发明一种蚀刻设备另一实施方式第二工作状态的结构示意图；
图5是本发明一种蚀刻设备另一实施方式第三工作状态的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参阅图1和图2，图1是本发明一种蚀刻设备一实施方式第一工作状态的结构示意图，图2是本发明一种蚀刻设备一实施方式第二工作状态的结构示意图，该蚀刻设备包括：蚀刻腔100，该蚀刻腔100包括：上电极板200，固定设置在该蚀刻腔100的一侧部；下电极板300，可活动地设置在该蚀刻腔100相对的另一侧部，该下电极板200包括靠近该蚀刻腔100的底部的下端部(图未示)和与该下端部对应的上端部(图未示)，该下电极板300以该下端部为转轴旋转，进而可使该下电极板300在非蚀刻过程中与该上电极板200之间呈垂直状态，在蚀刻过程中与该上电极板200之间呈平行状态。
在本实施方式中，通过在该下电极板300上设置了用于带动该下电极板旋转的该下端部，使得该下电极板300和该上电极板200的相对位置可以根据需要进行调节。在非蚀刻过程中，能够在水平方向接收该待蚀刻的基板500；在蚀刻过程中，通过该下端部的旋转，能够使该下电极板300和该上电极板200相互平行且位于非水平方向。由于气体倾向于向上运动，这样，能够有效避免蚀刻过程产生的气体在该上电极板200上沉积，也不需生成物粘附性较稳定的高品质材料制备的所述上电极板200；即使有少量气体沉积到该上电极200上，由于该上电极板200处于非水平方向，该沉积物也不会脱落至该下电极板300上，也就保证了该待蚀刻的基板500表面的清洁，避免蚀刻设备的频繁清洁维护，降低成本；同时，蚀刻后的基板表面清洁，能够提高产品质量。
请进一步参考图1和图2，该蚀刻设备还包括一转轴400，该转轴400设置在该下端部，用于使该下电极板300绕该转轴400旋转，以改变该下电极板300的位置。进一步的，该转轴400与动力机构连接，用于向该转轴400施加动力。当然，该转轴400不限于轴类结构，弹簧类等能够实现该下电极板400位置变化的机构均可，能够实现该下电极板400位置变化方式可以是连续的位置变化，也可以是仅在两个状态之间进行切换，即仅包括水平位置和竖直位置。
在一个实施方式中，请参考图3、图4和图5，该蚀刻腔100还包括：第一传送腔110，与该蚀刻腔100的另一侧部连接，该第一传送腔100的空间大小可使该下电极板300与该上电极板200之间呈垂直状态过渡至该下电极板300与该上电板200之间呈平行状态。在本实施方式中，该第一传送腔110的水平方向的空间用于容置处于水平状态的该下电极板300，其竖直方向的空间用于使该下电极板300与该上电极板200之间的相对位置改变。进一步的，该第一传送腔110与该蚀刻腔100的顶面在同一平面上，也即该第一传送腔110与该蚀刻腔100的顶面之间是平面过渡。当然，该第一传送腔110与该蚀刻腔100的顶面之间也可以曲面过渡，也即该第一传送腔110为圆弧形传送腔。由于该下电极板300绕该转轴400转动的过程中，其轨迹为一曲面，将该第一传送腔110设计为圆弧形传送腔能够减少该第一传送腔110的用料，节约生产空间，有利于降低生产成本。
在另一个实施方式中，该蚀刻设备还包括：第二传送腔120，与该第一传送腔110连接，用于传输待蚀刻的基板500。在本实施方式中，该第二传送腔120与该蚀刻腔100通过该第一传送腔110连接，该第一传送腔110、该第二传送腔120与该蚀刻腔100的顶面可以是平面可以是平面过渡也可以是曲面过渡。在一个实施方式中，该第二传送腔120的高度小于该蚀刻腔100的高度时，该第二传送腔120与该蚀刻腔100的顶面是曲面过渡。
请继续参考图1和图2，该下电极板300的上端部所在的上端面600用于容置该待处理的基板500，该上端面600上设有基板固定结构700，用于在该下电极板300绕该转轴400旋转过程中保持该待蚀刻的基板500的位置不变。在本实施方式中，该基板固定结构700的个数为至少一个；该基板固定结构700可以位于该下电极板300的该上端面600上，靠近该转轴400一端。该基板固定结构700的个数可以为2个，分别位于该上端面600上靠近该转轴400一端，用于固定该待蚀刻的基板500的两个直角位置。当然，该基板固定结构700的个数和位置可以根据实际情况进行确定。
进一步的，该基板固定结构700包括磁性固定结构、化学固定结构或机械固定结构中的一种或几种的组合。如在该下电极板300上设置磁性结构，在该待蚀刻的基板500上设置进行相反的另一磁性结构件，通过二者的吸引力在该下电极板300绕该转轴400旋转过程中保持该待蚀刻的基板500的位置不变；还可以在该待蚀刻的基板500上涂覆粘结剂，在该下电极板300绕该转轴400旋转过程中保持该待蚀刻的基板500的位置不变，且在蚀刻结束后通过加热或水解的方式实现该待蚀刻的基板500与该下电极板300快速分离；进一步的，还可以采用机械结构对该待蚀刻的基板500进行固定，该机械固定结构包括卡合固定结构和/或压合固定结构。更进一步的，该机械固定结构的材质为金属和/或陶瓷。在一个实施方式中，采用卡合固定结构对该待蚀刻的基板500进行固定，机械固定结构可靠且便于拆卸，有利于提高工作效率。进一步的，在该待蚀刻的基板500与该基板固定结构700的连接处设置缓冲结构，避免在卡合固定过程中对该待蚀刻的基板500造成破坏。
在另一个实施方式中，该第一传送腔110与该蚀刻腔100之间设有屏蔽门(图未示)，用于将该蚀刻腔100与该第一传送腔110分开，以维持该蚀刻腔100的蚀刻环境。蚀刻过程通常需要进行温度、压力等操作条件的控制，设置该屏蔽门将该蚀刻腔100隔离成一个封闭体系，便于进行蚀刻操作，提高蚀刻效率。进一步的，当该下电极板300转动到预设位置时，该屏蔽门关闭。
在使用的过程中，请一并参考图3、图4和图5。该待蚀刻的基板500传送至该第二传送腔120，被转移至该第一传送腔110的该下电极板300上，在该第一传送腔110中，该下电极板300与该待蚀刻的基板500从水平位置绕该转轴400旋转至预设位置，该屏蔽门关闭，在封闭的该蚀刻腔100中进行蚀刻过程。当蚀刻过程结束后，该下电极板300再次旋转到水平位置，该屏蔽门打开，蚀刻后的基板被取出并转移至其它位置进行后续工艺操作。
该预设位置可以为竖直位置，也可以是与竖直方向有一定夹角的位置，只要该上电极板200能够进行蚀刻过程即可。在一个实施方式中，该上电极板200位于竖直方向，该预设位置为竖直位置，即该上电极板200与该下电极板300相互平行且均位于竖直方向，由于气体倾向于向上运动，这样，能够有效避免蚀刻过程产生的气体在该上电极板200上沉积，不需采用昂贵的材料制备该上电极板以减少气体的沉积；即使有少量气体沉积到该上电极板200上，由于该上电极板200处于非水平方向，该沉积物也不会脱落至该下电极板300上，也就保证了该待蚀刻的基板500表面的清洁，避免了蚀刻设备的频繁清洁维护，降低了成本；同时，蚀刻后的基板表面清洁，提高了产品质量；同时，该待蚀刻的基板500的不同蚀刻位置与该上电极板200的相对距离相同，便于控制，有利于提高蚀刻效率。
综上所述，本发明公开了一种蚀刻设备，其中，该蚀刻设备包括：蚀刻腔100，该蚀刻腔100包括：上电极板200，固定设置在该蚀刻腔100的一侧部；下电极板300，可活动地设置在该蚀刻腔100相对的另一侧部，该下电极板200包括靠近该蚀刻腔100的底部的下端部(图未示)和与该下端部对应的上端部(图未示)，该下电极板300以该下端部为转轴旋转，进而可使该下电极板300在非蚀刻过程中与该上电极板200之间呈垂直状态，在蚀刻过程中与该上电极板200之间呈平行状态。通过上述方式，本发明能够提高蚀刻后产品质量的稳定性，同时降低设备维护成本。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。