技术特征：
技术总结
本发明提供一种高压ESD防护器件，包括：P型衬底、位于P型衬底上方左侧的第一NWELL区、位于第一NWELL区内部上方的NP接触区、位于P型衬底上方右侧且与第一NWELL区不紧邻的N+接触区、与N+接触区右侧相切的P+接触区；第一NWELL区内部NP接触区右侧设有NTOP层，NP接触区与金属相连形成金属阳极；N+接触区和P+接触区用金属相连构成金属阴极；本发明可以在不改变工艺的情况下，通过调整NTOP层的版图布局来调节触发电压和维持电流，从而避免闩锁效应；NTOP层的存在能够改变电流分布，使器件IV曲线呈现出多次snapback的特性，提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。
技术研发人员：乔明;齐钊;肖家木;梁龙飞;梁旦业;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.03.30
技术公布日：2018.09.14