本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种位线接触栓塞、存储节点接触栓塞和多晶硅接触薄膜的制造方法。
背景技术：
在dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)器件的制造过程中，需要沉积多晶硅(polysilicon，简称poly)以形成位线接触(bitlinecontact)导电结构和存储节点接触(storagenodecontact)导电结构。随着集成电路的尺寸微缩，对poly的接触电阻的要求越来越高。
在进入炉管机台沉积poly前的等待时间中，前层poly或硅衬底的裸露处由于氧化会形成自然氧化层，自然氧化层会影响接触电阻，降低位线接触导电结构和存储节点接触导电结构的导电能力。现有技术中，在poly沉积前通过湿法清洗的方式去除自然氧化层，但这种方式需要严格管控wetclean到poly沉积之间的等待时间，不仅控制困难，而且会使接触电阻受等待时间不同而波动较大；还有一种方式是在等待时间做氮气(n2)吹拂以降低环境中的氧气浓度，从而缓解自然氧化层的形成，但这种方式需要延长等待时间。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种位线接触栓塞、存储节点接触栓塞和半导体器件的制造方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本发明实施例的一个方面，本发明实施例提供一种位线接触栓塞的制造方法，包括：
提供一衬底，所述衬底具有在绝缘层中的位线接触孔；
将具有所述位线接触孔的所述衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除形成于所述位线接触孔底部的自然氧化层，其中，所述自然氧化层形成于所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；
在所述沉积炉管机台内沉积位线接触薄膜于所述衬底上方，使所述位线接触薄膜填充于所述位线接触孔并覆盖所述绝缘层；以及
刻蚀所述位线接触薄膜，直到露出所述绝缘层，以形成位线接触栓塞。
优选地，所述化学气相刻蚀方法包括：
控制所述沉积炉管机台内的压强在0.1托至100托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在100摄氏度至625摄氏度的范围内；
向所述沉积炉管机台通入刻蚀气体，所述刻蚀气体选自于由氟化氢、三氟化氯和三氟化氮所构成的群组的其中之一；
将所述刻蚀气体保持在所述沉积炉管机台中预定时间，以使所述刻蚀气体与所述自然氧化层进行反应；以及
对所述沉积炉管机台循环抽真空和注入氮气，使残余的刻蚀气体以及所述刻蚀气体与所述自然氧化层的反应副产物气体排出所述沉积炉管机台。
优选地，所述预定时间根据所述自然氧化层的厚度进行设定，以使所述自然氧化层被完全反应。
优选地，所述提供一衬底的步骤包括：
制备所述衬底；
形成器件隔离结构和埋入式栅极于所述衬底中；
形成绝缘层于所述衬底的上方；
刻蚀所述绝缘层，直到露出所述衬底，以在所述绝缘层中形成所述位线接触孔；
清洗具有所述位线接触孔的所述衬底。
优选地，清洗具有所述位线接触孔的所述衬底的方式包括湿法清洗。
优选地，所述位线接触薄膜的材料选自于多晶硅，所述位线接触薄膜的沉积是通过低压化学气相沉积方式、原子层沉积方式、原子层种子沉积结合低压化学气相沉积的复合方式以及等离子体增强化学气相沉积方式中的一种来进行的。
优选地，所述位线接触薄膜的材料选自于原位p掺杂多晶硅，所述位线接触薄膜的沉积步骤包括：
控制所述沉积炉管机台内的压强在0.05托至4托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在350摄氏度至625摄氏度的范围内；以及
以饱和吸附原子层种子的沉积方式沉积所述原位p掺杂多晶硅，其中，控制掺杂p的浓度为每立方厘米1019个至每立方厘米5×1021个。
作为本发明实施例的另一个方面，本发明实施例提供一种存储节点接触栓塞的制造方法，包括：
提供一衬底，所述衬底具有覆盖位线的绝缘结构以及在所述绝缘结构中的存储节点接触槽；
将具有所述存储节点接触槽的所述衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除自然氧化层，其中，所述自然氧化层形成于所述存储节点接触槽底部的衬底上并形成于所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；
在所述沉积炉管机台内沉积存储节点接触薄膜于所述衬底上方，使所述存储节点接触薄膜填充于所述存储节点接触槽中并覆盖所述绝缘结构；以及
图案化刻蚀所述存储节点接触薄膜以形成存储节点接触栓塞。
优选地，所述化学气相刻蚀方法包括：
控制所述沉积炉管机台内的压强在0.1托至100托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在100摄氏度至625摄氏度的范围内；
向所述沉积炉管机台通入刻蚀气体，所述刻蚀气体选自于由氟化氢、三氟化氯和三氟化氮所构成的群组的其中之一；
将所述刻蚀气体保持在所述沉积炉管机台中预定时间，以使所述刻蚀气体与所述自然氧化层进行反应；以及
对所述沉积炉管机台循环抽真空和注入氮气，使残余的刻蚀气体以及所述刻蚀气体与所述自然氧化层的反应副产物气体排出所述沉积炉管机台。
优选地，所述预定时间根据所述自然氧化层的厚度进行设定，以使所述自然氧化层被完全反应。
优选地，所述提供一衬底的步骤包括：
制备所述衬底；
形成位线接触栓塞和所述位线于所述衬底上，所述位线覆盖所述位线接触栓塞；
形成所述绝缘结构；
刻蚀所述绝缘结构，直到露出所述衬底，以在所述绝缘结构中形成所述存储节点接触槽；
清洗具有所述存储节点接触槽的所述衬底。
优选地，清洗具有所述存储节点接触槽的所述衬底的方式包括湿法清洗。
优选地，所述存储节点接触薄膜的材料选自于多晶硅，所述存储节点接触薄膜的沉积是通过低压化学气相沉积方式、原子层沉积方式、原子层种子沉积结合低压化学气相沉积的复合方式以及等离子体增强化学气相沉积方式中的一种来进行的。
优选地，所述存储节点接触薄膜的材料选自于原位p掺杂多晶硅，所述存储节点接触薄膜的沉积步骤包括：
控制所述沉积炉管机台内的压强在0.05托至4托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在350摄氏度至625摄氏度的范围内；以及
以饱和吸附原子层种子的沉积方式沉积所述原位p掺杂多晶硅，其中，控制掺杂p的浓度为每立方厘米1019个至每立方厘米5×1021个。
作为本发明实施例的另一个方面，本发明实施例还提供一种多晶硅接触薄膜的制造方法，包括：
制备衬底；
清洗所述衬底；
将所述衬底置入一沉积炉管机台，通过化学气相刻蚀方法去除衬底表面的自然氧化层，其中，所述自然氧化层形成于所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；
在所述沉积炉管机台内沉积多晶硅接触薄膜于所述衬底上方。
优选地，所述通过化学气相刻蚀方法去除所述自然氧化层的步骤包括：
控制所述沉积炉管机台内的压强在0.1托至100托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在100摄氏度至625摄氏度的范围内；
向所述沉积炉管机台通入刻蚀气体，所述刻蚀气体选自于由氟化氢、三氟化氯和三氟化氮所构成的群组的其中之一；
将所述刻蚀气体保持在所述沉积炉管机台中预定时间，以使所述刻蚀气体与所述自然氧化层进行反应；以及
对所述炉管机台循环抽真空和注入氮气，使残余的刻蚀气体以及所述刻蚀气体与所述自然氧化层的反应副产物气体排出所述炉管机台。
作为本发明实施例的另一个方面，本发明实施例还提供一种存储节点接触栓塞的制造方法，包括：
提供一衬底，所述衬底具有在绝缘层中的位线接触孔；
将具有所述位线接触孔的所述衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除形成于所述位线接触孔底部的第一自然氧化层，其中，所述第一自然氧化层形成于具有所述位线接触孔的所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；
在所述沉积炉管机台内沉积位线接触薄膜于所述衬底上方，使所述位线接触薄膜填充于所述位线接触孔并覆盖所述绝缘层；以及
刻蚀所述位线接触薄膜，直到露出所述绝缘层，以形成位线接触栓塞。
形成覆盖所述位线接触栓塞的位线以及覆盖所述位线的绝缘结构于所述衬底上方，并在所述绝缘层中形成存储节点接触槽；
将具有所述存储节点接触槽的所述衬底置入所述沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除第二自然氧化层，其中，所述第二自然氧化层形成于所述存储节点接触槽底部的衬底上并形成于具有所述存储节点接触槽的所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；
在所述沉积炉管机台内沉积存储节点接触薄膜于所述衬底上方，使所述存储节点接触薄膜填充于所述存储节点接触槽中并覆盖所述绝缘层；以及
图案化刻蚀所述存储节点接触薄膜以形成存储节点接触栓塞。本发明实施例采用上述技术方案，可以降低接触电阻，提高电性能。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本发明进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本发明公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本发明范围的限制。
图1为实施例一的多晶硅薄膜的制造方法的流程图。
图2-1至图2-3为实施例一的多晶硅接触薄膜的制造过程示意图。
图3-1至图3-4为实施例二的位线接触薄膜的制造过程示意图。
图4-1至图4-4为实施例三的存储节点接触薄膜的制造过程示意图。
附图标记说明：
10：沉积炉管机台；20：刻蚀气体；
110：衬底；121：第一自然氧化层；
122：第二自然氧化层；140：多晶硅接触薄膜；
210：衬底；222：第三自然氧化层；
230：存储节点接触薄膜；231：存储节点接触栓塞；
232：存储节点接触槽；
240：位线接触薄膜；241：位线接触孔；
242：位线接触栓塞；243：位线；
251：隔离沟槽；252：垫层；
253：器件隔离结构；260：埋入式栅极；
261：埋入式栅极沟槽；262：栅极氧化层；
263：字线；270：绝缘结构；
271：第一绝缘层；272：第二绝缘层；
273：第三绝缘层；274：第三绝缘层；
275：第五绝缘层；280：介质层；
290：过渡层；322：第四自然氧化层；
s110～s140：步骤。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
在半导体器件的制造过程中，不同的工艺要再不同的机台或反应室内进行，半导体器件在进入某一机台前需要经历等待时间，因为需要将半导体器件从上一个机台搬运至该机台的过程，在等待时间中，易产生自然氧化层。本发明实施例旨在提供一种半导体器件的制造方法，以避免自然氧化层对接触电阻的影响，从而实现良好的欧姆接触，提高半导体器件的电性能。
实施例一
如图1所示，本实施例提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤s110～步骤s140。
步骤s110，制备衬底110，衬底110可以是硅(si)或多晶硅。由于自然氧化的作用，在衬底110表面会形成第一自然氧化层121，如图2-1所示。
步骤s121，清洗衬底110，可以在清洗机台中以湿法清洗(wetclean，也可称作湿法刻蚀)的方式去除第一氧化层121以及其他沾污物，如图2-2所示。
在衬底110进入沉积炉管机台10前的等待过程中，衬底110表面会形成第二自然氧化层122，如图2-3所示，根据等待时间的不同，第二自然氧化层122的厚度也不同，通常为3埃
步骤s122，将衬底110置入沉积炉管机台10中，通过化学气相刻蚀方法去除第二自然氧化层122，如图2-3所示。
在步骤122中，通过化学气相刻蚀方法去除第二自然氧化层122的步骤包括：向沉积炉管机台10通入刻蚀气体20，该刻蚀气体20可以选用氟化氢(hf)，也可以选用三氟化氯(clf3)或三氟化氮(nf3)，还可以选用hf、clf3和nf3的任意组合；将刻蚀气体20保持在沉积炉管机台10中预定时间，以使刻蚀气体20与第二自然氧化层122发生化学反应，并产生反应副产物气体；然后，对沉积炉管机台10循环抽真空和注入n2，使残余的刻蚀气体20以及反应副产物气体排出沉积炉管机台10。需要说明的是，预定时间的设定可根据第二自然氧化层122的厚度进行设定，当第二自然氧化层122的厚度较大时，需要较长的预定时间，以使第二自然氧化层122可以被刻蚀气体10完全反应，以完全去除第二自然氧化层122。
进一步地，在去除第二自然氧化层122的过程中，应控制沉积炉管机台10内的压强为0.1托(torr)至100torr，并控制沉积炉管机台10内的温度为100摄氏度(℃)至625℃。
步骤s140，在沉积炉管机台10内沉积多晶硅接触薄膜140于衬底110上方，如图2-3所示。多晶硅接触薄膜140的材料可以选用非晶硅(amorphoussilicon)，也可以选用结晶硅(crystallizesilicon)，沉积多晶硅接触薄膜140的方式可以是低压化学气相沉积(lpcvd)方式或原子层沉积(ald)方式或原子层种子(seed)沉积结合lpcvd的复合方式或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方式。
也就是说，步骤s122和步骤s140在同一个沉积炉管机台10内进行，由于沉积炉管机台10内处于低压低氧状态，去除第二自然氧化层122后不会再产生自然氧化层，从而避免自然氧化层对接触电阻的影响，从而可以实现良好的欧姆接触，并能降低接触电阻，提高半导体器件的电性能，本实施例的制造方法还可以降低生成工艺的控制难度，利于提高生成效率。
实施例二
本实施例提供一种位线接触栓塞的制造方法，请参阅图3-1至图3-4，需要说明的是，图中相同的填充图案示出同一结构或同一材料。
如图3-1所示，制备衬底210，然后在衬底210上形成器件隔离结构253和埋入式栅极260。器件隔离结构253的形成方法可以包括先沉积垫层252于衬底210上，其中，垫层252的材料可以是氧化物(ox)；接下来，利用浅槽隔离(shallowtrenchisolation，sti)工艺选择性地刻蚀垫层252和衬底210，使衬底210被刻蚀用于隔离器件的隔离沟槽251，随后，利用化学气相沉积(chemicalvapordeposition，简称cvd)工艺或者其他的沉积工艺形成埋入到隔离沟槽251中的绝缘材料并且对绝缘材料执行化学机械抛光工艺直到露出垫层252，从而形成器件隔离结构253，用于隔离器件，其中，绝缘材料可以是ox。埋入式栅极260的形成方法可以包括利用图形化光刻方法刻蚀衬底210，以形成埋入式栅极沟槽261；然后通过氧化工艺在埋入式栅极沟槽261的底部和内侧壁形成栅极氧化层262；接着部分填充金属材料于埋入式栅极沟槽261，以形成字线263，形成字线263的金属材料可以是一种或多种金属材料的混合物。
继续参阅图3-1，接下来，形成第一绝缘层271于衬底210的上方，第一绝缘层271的材料可以是氮化硅(sin)；然后，通过图形化方法刻蚀第一绝缘层271，直到露出衬底210，从而在第一绝缘层271中形成位线接触孔241。
然后，清洗具有位线接触孔241的衬底210，可以采用实施例一中的清洗方法清洗衬底210。接下来，将衬底210从清洗机台搬运到沉积炉管机台10，在衬底210进入沉积炉管机台10前的等待过程中，位线接触孔241的底部因为氧化会形成第三自然氧化层222，如图3-2所示。
接下来将位线接触孔241的衬底210置入沉积炉管机台10中，通过化学气相刻蚀方法去除第三自然氧化层222，如图3-3所示，去除第三自然氧化层222的步骤可以参照实施例一中的步骤s122，即向沉积炉管机台10通入刻蚀气体20；将刻蚀气体20保持在沉积炉管机台10中预定时间，以使刻蚀气体20与第三自然氧化层222发生化学反应，并产生反应副产物气体；然后，对沉积炉管机台10循环抽真空和注入n2，使残余的刻蚀气体20以及反应副产物气体排出沉积炉管机台10。预定时间的设定可根据第三自然氧化层222的厚度进行设定，当第三自然氧化层222的厚度较大时，需要较长的预定时间，以使第三自然氧化层222可以被刻蚀气体10完全反应，以完全去除第三自然氧化层222。
然后，在沉积炉管机台10内沉积位线接触薄膜240于衬底210上方，使位线接触薄膜240填充位线接触孔241并覆盖第一绝缘层271，如图3-3所示。位线接触薄膜240的材料优选为多晶硅，例如选用非晶硅或结晶硅，沉积位线接触薄膜240的方式可以是lpcvd或ald或原子层seed沉积结合lpcvd的复合方式或pecvd方式。
优选地，在本实施例中，位线接触薄膜240的材料是原位磷(p)掺杂多晶硅，具体地，位线接触薄膜240的沉积步骤包括：控制沉积炉管机台10内的压强为0.05torr至4torr，并控制沉积炉管机台10内的温度为350℃至625℃；以及以饱和吸附原子层种子的沉积方式沉积原位p掺杂多晶硅薄膜，其中，控制掺杂p粒子的浓度为每立方厘米1019个至每立方厘米5×1021个。
接下来，如图3-4所示，可以以干刻蚀(dryetch)的方式刻蚀位线接触薄膜240，直到露出第一绝缘层271，以形成位线接触栓塞242，所形成的第一绝缘层271覆盖位线接触栓塞242的侧壁。
本实施例中，第三自然氧化层222的去除和位线接触薄膜240的沉积在同一个沉积炉管机台10内进行，由于沉积炉管机台10内处于低压低氧状态，去除自然氧化层后不会再产生自然氧化层，从而避免自然氧化层对接触电阻的影响，从而可以实现良好的欧姆接触，并能降低位线接触电阻，提高位线的电性能，本实施例的制造方法还可以降低生成工艺的控制难度，利于提高生成效率。
实施例三
本实施例提供一种存储节点接触栓塞的制造方法，可基于实施例二形成的具有位线接触栓塞242的衬底210上进行。需要说明的是，图3-1至图3-4示出了衬底210的正面剖视图，接下来的图4-1至图4-4示出了衬底210的侧面剖视图。
如图4-1所示，继续在衬底210上形成覆盖位线接触栓塞242的位线243，形成位线243的材料可以是一种或多种金属的混合物，形成位线243的方式可以是先沉积金属材料，然后图形化刻蚀该金属材料，从而形成位线243；然后，形成第二绝缘层272，以覆盖位线243的顶部和侧壁，第二绝缘层272的材料可以是与第一绝缘层271的材料相同。
接下来，形成第三绝缘层273、第四绝缘层274和第五绝缘层275，如图4-1所示。其中，第三绝缘层273覆盖第一绝缘层271和第二绝缘层272，第三绝缘层273的材料可以选用氮氧化硅(sion)；第四绝缘层274覆盖第三绝缘层273，第四绝缘层274的材料可以选用ox；第五绝缘层275覆盖和包围第第四绝缘层274、第三绝缘层273和第一绝缘层271，第五绝缘层275的材料可以选用与第一绝缘层271相同的材料，例如选用sin。
然后，刻蚀包括第一绝缘层271、第二绝缘层272、第三绝缘层273、第四绝缘层274和第五绝缘层275的绝缘结构270，直到露出衬底210，以在绝缘结构270中形成存储节点接触槽232，存储节点接触槽232的底部与衬底上表面共平面，如图4-1所示。
然后，清洗具有存储节点接触槽232的衬底210，可以采用实施例一中的清洗方法清洗具有存储节点接触槽232的衬底210。接下来，将具有存储节点接触槽232的衬底210从清洗机台搬运到沉积炉管机台10，在具有存储节点接触槽232的衬底210进入沉积炉管机台10前的等待过程中，存储节点接触槽232底部的衬底210上因为氧化会形成第四自然氧化层322，如图4-2所示。
接下来将具有介质层280的衬底210置入沉积炉管机台10中，通过化学气相刻蚀方法去除自然氧化层322，如图4-3所示，去除自然氧化层322的步骤可以参照实施例一中的步骤s122，即向沉积炉管机台10通入刻蚀气体20；将刻蚀气体20保持在沉积炉管机台10中预定时间，以使刻蚀气体20与自然氧化层322发生化学反应，并产生反应副产物气体；然后，对沉积炉管机台10循环抽真空和注入n2，使残余的刻蚀气体20以及反应副产物气体排出沉积炉管机台10。需要说明的是，预定时间的设定可根据第四自然氧化层322的厚度进行设定，当第四自然氧化层322的厚度较大时，需要较长的预定时间，以使第四自然氧化层322可以被刻蚀气体10完全反应，以完全去除第四自然氧化层322。
然后，在沉积炉管机台10内沉积存储节点接触薄膜230于衬底210上方，使存储节点接触薄膜230填充于存储节点接触槽232中并覆盖绝缘结构270，如图4-3所示。存储节点接触薄膜230的材料可以选用多晶硅，例如非晶硅或结晶硅，沉积存储节点接触薄膜230的方式可以是lpcvd或ald或原子层seed沉积结合lpcvd的复合方式或pecvd方式。
优选地，在本实施例中，存储节点接触薄膜230的材料可以选自于原位p掺杂多晶硅，具体地，存储节点接触薄膜230的沉积步骤包括：控制沉积炉管机台10内的压强为0.05torr至4torr，并控制沉积炉管机台10内的温度为350℃至625℃；以及以饱和吸附原子层种子的沉积方式沉积原位p掺杂多晶硅，其中，控制掺杂p粒子的浓度为每立方厘米1019个至每立方厘米5×1021个。
接下来，如图4-4所示，可以以干刻蚀(dryetch)的方式图形化刻蚀存储节点接触薄膜230，直到露出第四绝缘层274(即要将第五绝缘层275的顶部刻蚀掉)和衬底210，以形成存储节点接触栓塞231；然后，在相邻的存储节点接触栓塞231之间形成过渡层290和介质层280，其中，过渡层290包围介质层280的侧壁和底部。
本实施例中，第四自然氧化层322的去除和存储节点接触薄膜230的沉积在同一个沉积炉管机台10内进行，由于沉积炉管机台10内处于低压低氧状态，去除自然氧化层后不会再产生自然氧化层，从而避免自然氧化层对接触电阻的影响，从而可以实现良好的欧姆接触，并能降低存储节点接触电阻，提高半导体器件的电性能，本实施例的制造方法还可以降低生成工艺的控制难度，利于提高生成效率。
以上实施例中，在沉积多晶硅接触薄膜(位线接触薄膜或存储节点接触薄膜)的沉积炉管机台中先进行化学气相刻蚀方法去除该自然氧化层，然后沉积多晶硅接触薄膜，从而避免自然氧化层对接触电阻的影响，实现良好的欧姆接触，提高电性能。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。