技术总结
本发明涉及半导体领域，具体是一种基于V形坑的无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法。本发明所述GaN基白光LED外延结构，包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在n型GaN层上的低温n型GaN层；位于低温n型GaN层的多量子阱层，最后是p型GaN填充层。低温n型GaN层中由于应力释放以及低温下原子迁移率低而产生大量V形坑，生长多量子阱层后，V形坑内形成侧壁量子阱，发光波长与C面量子阱不同，通过合理调控V形坑的尺寸和密度，实现白光发射。这种无荧光粉GaN基白光LED的制备过程无需任何掩膜版以及反刻蚀工艺，工艺流程简单，有巨大的产业应用前景。
技术研发人员：许并社;韩丹;张爱琴;刘培植
受保护的技术使用者：太原理工大学
技术研发日：2018.05.08
技术公布日：2018.10.23