技术特征：
技术总结
本发明的目的在于提高FPD的品质。在搬入工序中，设置有多个包括第一Ti膜、Al膜和第二Ti膜的电极层形成于半导体层上的多个元件的被处理基片被搬入腔体内。在供给工序中，向腔体内供给第一处理气体。在第一蚀刻工序中，利用第一处理气体的等离子体，对包含于各个元件的电极层中的第二Ti膜进行蚀刻，进而对包含于各个元件的电极层中的Al膜进行蚀刻直至在任一个元件中第一Ti膜露出。在切换工序中，将向腔体内供给的处理气体从第一处理气体切换成包含N2气体的第二处理气体。在第二蚀刻工序中，利用第二处理气体的等离子体，重新开始对各个元件的电极层进行蚀刻。
技术研发人员：神户乔史
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2018.06.05
技术公布日：2018.12.11