技术特征：
技术总结
本发明公开了一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块。本发明的功率半导体模块衬底，包括第一桥臂单元，第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；第二功率金属敷层设有第一功率开关；其中，第一功率开关的第一开关组、第二开关组、第三开关组和第四开关组依次沿第二方向并排设置，第一开关组的晶体管芯片和第三开关组的晶体管芯片分别靠近第一辅助金属敷层设置，第二开关组的晶体管芯片和第四开关组的晶体管芯片分别远离第一辅助金属敷层设置。本发明的功率半导体模块衬底及功率半导体模块，能够降低功率开关的各个芯片之间的热耦合程度、均衡功率开关的各个芯片之间的杂散参数。
技术研发人员：安冰翀
受保护的技术使用者：臻驱科技(上海)有限公司
技术研发日：2018.06.06
技术公布日：2018.08.24