技术特征：
技术总结
本发明公开了一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；N型源区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区的第一侧，所述N型源区具有N+型掺杂；P型漏区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区中与所述第一侧相对的第二侧，所述P型漏区具有P+型掺杂；栅极，设置在所述沟道区的第三侧，所述栅极与所述沟道区间设置有栅氧层；隔离区，设置在所述沟道区与所述P型漏区间的漏体结所在区域处，所述隔离区填充有预设隔离氧化物，所述隔离区与所述栅氧层交叠，所述隔离区用于隔离所述P型漏区与所述沟道区间的电子，避免在所述漏体结所在区域处发生隧穿。
技术研发人员：卜建辉;李多力;蔡小五;罗家俊;韩郑生
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.06.07
技术公布日：2018.11.13