技术特征：
技术总结
本发明提供了一种双大马士革结构的制作方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，其依次包括导电层、第一介电层、第二刻蚀停止层以及第二介电层，半导体衬底中形成有通孔，且通孔中填充有底部抗反射层；对第二介电层进行第一次刻蚀，形成沟槽的第一部分；沿沟槽的第一部分对第二介电层进行第二次刻蚀，形成沟槽的第二部分，底部抗反射层再次被消耗，底部抗反射层的高度低于第二刻蚀停止层；采用反应性气体清洁通孔暴露出来的侧壁；对沟槽的第二部分以及通孔进行刻蚀；在沟槽的第一部分、第二部分以及通孔中形成填充层，以形成双大马士革结构。本发明避免了沟槽形成时产生篱笆形貌，从而提高了产品良率。
技术研发人员：刘庆;江旻
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.06.13
技术公布日：2018.11.16