蚀刻方法和残渣去除方法与流程

本发明涉及一种对氧化硅膜进行化学蚀刻处理的蚀刻方法和去除残渣的残渣去除方法。

背景技术：

近来，在半导体元件的制造过程中，作为代替等离子体蚀刻的、能够进行微细化蚀刻的方法，在腔室内不生成等离子体而是进行化学性蚀刻的、被称作化学氧化物去除处理(chemicaloxideremoval；cor)的方法备受瞩目。

作为cor，已知如下工艺：在被保持为真空的腔室内，使氟化氢(hf)气体和氨(nh3)气体吸附于作为被处理基板的半导体晶圆的表面上存在的氧化硅膜(sio2膜)，使它们与氧化硅膜发生反应来生成氟硅酸铵((nh4)2sif6；afs)，并在接下来的工序中通过加热来使该氟硅酸铵升华，由此对sio2膜进行蚀刻(例如参照专利文献1、2)。

另一方面，例如在3d-nand型非易失性半导体装置的制造过程中，存在以下工序：将通过化学蒸镀法(cvd)成膜的sio2膜和氮化硅膜(sin膜)多层地层叠，之后使用热磷酸(h3po4)来通过湿蚀刻去除sin膜，从而形成用于形成钨电极的空洞。此时，在去除了sin膜之后，在通过cvd成膜的以teos膜为代表的sio2膜(cvd-sio2膜)的前端部析出含有杂质(p、n、s、si等)的低密度且多孔的二氧化硅(sio2)系残渣物。

当想要如专利文献1、2那样利用hf气体和nh3气体来去除这样的sio2系的残渣物时，cvd-sio2膜也会被蚀刻。与此相对，在专利文献3中示出了如下一种技术，即，能够利用hf气体、以及醇气体或水蒸气来相对于密度相对高的热氧化膜而言以高选择比对密度相对低的cvd-sio2膜进行蚀刻，能够考虑利用该技术来相对于cvd-sio2膜而言选择性地去除同样是sio2膜却密度低的二氧化硅(sio2)系残渣物。

专利文献1：日本特开2005-39185号公报

专利文献2：日本特开2008-160000号公报

专利文献3：日本特开2016-25195号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

但是，已明确了：当在利用该技术进行了去除存在于cvd-sio2膜的前端部的二氧化硅系残渣物的处理之后利用加热处理进行残渣去除时，会对存在于cvd-sio2膜的内部的、密度比cvd-sio2膜的密度低的块氧化物膜(块sio2膜)产生损伤。

因而，本发明的目的在于提供一种即使在对二氧化硅系残渣物进行蚀刻后进行蚀刻残渣去除，也不易对残留的sio2膜产生损伤的蚀刻方法和残渣去除方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明的第一观点提供一种蚀刻方法，用于对形成于sio2膜的含有碱成分的二氧化硅系残渣物进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于，具有：第一阶段，向具有形成有所述二氧化硅系残渣物的所述sio2膜的被处理基板供给hf气体、以及h2o气体或醇气体来选择性地对二氧化硅系残渣物进行蚀刻；以及第二阶段，在所述第一阶段之后，去除通过所述第一阶段而产生的蚀刻残渣，其中，所述第二阶段具有：第一工序，向所述被处理基板供给h2o气体或醇气体；以及第二工序，对所述第一工序后的被处理基板进行加热。

在上述蚀刻方法中，可以为，所述含有碱成分的二氧化硅系残渣物是在通过利用热磷酸的湿蚀刻来去除形成于所述被处理基板的氮化硅膜时形成的。可以为，所述sio2膜是通过cvd成膜的cvd-sio2膜。可以为，所述被处理基板还具有块sio2膜，所述块sio2膜用于支承所述cvd-sio2膜，所述块sio2膜的密度低于所述cvd-sio2膜的密度，所述块sio2膜是通过cvd形成的，从所述块sio2膜隔开间隔地延伸出多个所述cvd-sio2膜。

优选的是，所述第一阶段是通过向配置有所述被处理基板的腔室内供给hf气体、以及h2o气体或醇气体来进行的，所述第二阶段的所述第一工序是通过在将所述被处理基板仍旧配置于所述腔室内的状态下停止hf气体而向所述腔室仅供给h2o气体或醇气体来进行的。

能够为，所述第一阶段在压力为133pa～666pa、温度为0℃～30℃的条件下进行。另外，能够为，在所述第一阶段中，h2o气体相对于hf气体+h2o气体的合计量的流量比率(体积比率)或醇气体相对于hf气体+醇气体的合计量的流量比率(体积比率)为10～50％的范围。

能够为，在所述第二阶段的所述第一工序中，h2o气体或醇气体的流量为100sccm～1000sccm的范围。能够为，所述第二阶段的所述第一工序在10℃～30℃的范围的温度下进行。能够为，所述第二阶段的所述第一工序的时间为5sec～60sec的范围。

能够为，所述第二阶段的所述第二工序在150℃～230℃的范围的温度下进行。能够为，所述第二阶段的所述第二工序的时间为30sec～600sec的范围。

本发明的第二观点提供一种蚀刻残渣的残渣去除方法，用于去除附着于sio2膜的含有氟成分和碱成分的蚀刻残渣，所述残渣去除方法的特征在于，具有：第一工序，向具有所述sio2膜的被处理基板供给h2o气体或醇气体来去除氟成分；以及第二工序，对所述第一工序后的被处理基板进行加热来去除所述蚀刻残渣的剩余部分。

发明的效果

根据本发明，在供给hf气体、以及h2o气体或醇气体来选择性地对二氧化硅系残渣物进行蚀刻之后，在去除蚀刻残渣时，进行第一工序和第二工序，在所述第一工序中向被处理基板供给h2o气体或醇气体，在所述第二工序中对所述第1工序后的被处理基板进行加热，因此通过第一工序去除了氟成分，从而能够抑制由于之后的加热而对残留于被处理基板的sio2膜的损伤。

附图说明

图1是表示3d-nand型非易失性半导体装置的制造过程中的、去除sin膜之前的状态的截面图。

图2是示意性地表示在从图1的状态起通过湿蚀刻来对sin膜进行了蚀刻时在cvd-sio2膜生长了二氧化硅系残渣物的状态的图。

图3是示意性地表示在通过cor处理来对形成于cvd-sio2膜的二氧化硅系残渣物进行蚀刻时蚀刻残渣所存在的状态的图。

图4是表示通过加热处理来去除蚀刻残渣时的块氧化物的损伤的示意图。

图5是说明蚀刻残渣的成分的示意图。

图6是说明在蚀刻残渣去除的第一工序中利用h2o气体来去除结合于块氧化物膜的表面的f的机制的图。

图7是表示蚀刻残渣去除的第一工序中的h2o气体处理后的蚀刻残渣的状态的示意图。

图8是表示进行了蚀刻残渣去除的第二工序的加热处理后的状态的示意图。

图9是表示本发明的一个实施方式所涉及的蚀刻方法中使用的处理系统的一例的概要结构图。

图10是表示搭载于图9的处理系统的cor处理装置的截面图。

图11是表示搭载于图9的处理系统的热处理装置的截面图。

附图标记说明

10：cvd-sio2膜；14：块氧化物膜(sio2膜)；18：空洞；20：二氧化硅系残渣物；22：蚀刻残渣；100：处理系统；104：热处理装置；105：cor处理装置；w：晶圆。

具体实施方式

下面参照附图来说明本发明的实施方式。

<蚀刻方法>

首先对本发明的一个实施方式所涉及的蚀刻方法进行说明。

在此，说明3d-nand型非易失性半导体装置的制造过程中的在去除sin膜之后对存在于cvd-sio2膜的前端部的二氧化硅系残渣物进行蚀刻去除的方法。

图1为表示3d-nand型非易失性半导体装置的制造过程中的去除sin膜之前的状态的截面图，cvd-sio2膜10和cvd-sin膜12具有交替地层叠的结构，与这些膜垂直地形成有埋入于之前形成的槽中的块氧化物膜(块sio2膜)14和槽16。

作为cvd-sio2膜，能够使用利用四乙氧基硅烷(teos)来作为si前体而形成的teos膜。另外，块氧化物膜14也同样是通过cvd成膜的sio2膜，但相比于cvd-sio2膜10而言，杂质多且密度低。

在该状态下，使用热磷酸(h3po4)来通过湿蚀刻去除cvd-sin膜12，从而如图2所示那样形成用于形成钨电极的空洞18。

此时，在cvd-sio2膜10的前端部再生长含有杂质(p、n、s、si等)的、低密度且多孔的二氧化硅(sio2)系残渣物20。在本实施方式中，通过cor处理来对该二氧化硅系残渣物20进行蚀刻去除。

cvd-sio2膜10和二氧化硅系残渣物20均以sio2为主成分，但在该蚀刻中，需要相对于cvd-sio2膜10而言以高选择比对二氧化硅系残渣物20进行蚀刻。二氧化硅系残渣物20的密度比cvd-sio2膜10的密度低，因此能够基于上述专利文献3所记载的方法来相对于cvd-sio2膜10而言以高选择比对二氧化硅系残渣物20进行蚀刻去除。

即，在本实施方式中，将图2所示的在cvd-sio2膜10的前端部形成有二氧化硅系残渣物20的、作为被处理基板的半导体晶圆(以下也简单记为晶圆)收容于腔室内，并将hf气体、以及h2o气体(水蒸气)或醇气体导入到腔室内来进行cor处理，由此以高选择比对二氧化硅系残渣物20进行蚀刻。在这些气体中还可以加入惰性气体。作为惰性气体，能够使用n2气体、ar、he等稀有气体。

h2o气体或醇气体均包含oh基，该oh基与hf气体一起带来蚀刻作用。相对于密度相对高的cvd-sio2膜10而言，此时的oh基对密度相对低的二氧化硅系残渣物20的作用大，因而，能够相对于cvd-sio2膜10而言选择性地对二氧化硅系残渣物20进行蚀刻。

此外，块氧化物膜14也是通过cvd来成膜的，因此密度比二氧化硅系残渣物20的密度高，从而也能够相对于块氧化物膜14而言选择性地对二氧化硅系残渣物20进行蚀刻。

该蚀刻时的压力优选为133pa～666pa(1torr～5torr)的范围，更优选为266pa～533pa(2torr～4torr)的范围。另外，此时的晶圆温度优选为10℃～30℃的范围。

另外，h2o气体相对于hf气体+h2o气体的合计量的流量比率(体积比率)或醇气体相对于hf气体+醇气体的合计量的流量比率(体积比率)优选为10～50％的范围，更优选为15～30％的范围。

作为醇气体，优选为甲醇(ch3oh)、乙醇(c2h5oh)、丙醇(c3h7oh)、丁醇(c4h9oh)等一元醇，在它们之中优选乙醇。

在这样的蚀刻处理之后，如图3所示，在块氧化物膜14的表面产生蚀刻残渣22，因此去除该蚀刻残渣22。

一般通过对晶圆进行加热来进行该种蚀刻残渣的去除。但是，在本例的情况下，明确了：当在二氧化硅系残渣物20的蚀刻处理之后直接进行加热处理时，如图4所示那样主要在块氧化物膜14的表面产生凹部24。

对像这样在块氧化物膜14的表面产生凹部24的原因进行了探讨的结果是设想出以下的机制。

在再生长的二氧化硅系残渣物20内，作为杂质而含有碱成分、例如nh3等，在二氧化硅系残渣物20的蚀刻处理之后，该nh3残留于块氧化物膜14的表面。另外，当利用hf气体、以及h2o气体或醇气体来进行蚀刻处理(cor处理)时，在块氧化物膜14的表面残留氟成分(f成分)。因而，如图5所示，在蚀刻残渣22中含有碱成分和f成分。当在该状态下进行加热处理时，在由sio2形成的块氧化物膜14的表面例如产生以下的反应，从而主要使块氧化物膜14被蚀刻。另外，由于该影响，还有时cvd-sio2膜10的前端部也被局部蚀刻。

sio2+4hf+4nh3→sif4+2h2o+4nh3

因此，在本实施方式中，作为在利用了hf气体、以及h2o气体或醇气体的cor处理结束后的蚀刻残渣的去除处理，在进行了供给h2o气体或醇气体的工序之后进行加热处理工序。由此，能够抑制块氧化物膜14的蚀刻。

参照图6和图7来说明该机制。

如图6的(a)所示，由sio2形成的块氧化物膜14的表面的si除了与oh、h结合以外还与f结合，当在该状态下例如供给h2o时，如图6的(b)所示，f与h2o发生反应，从而成为hf并挥发，原本与f结合的si的原子键与oh结合。由此，如图7所示，块氧化物膜14的表面的蚀刻残渣22成为去除了f成分的状态。即使在该状态下进行加热处理，由于已经从块氧化物膜14的表面去除了f，因此能够不产生对sio2进行蚀刻的成分地进行残渣去除，从而能够防止对块氧化物膜14的损伤。另外，即使在cvd-sio2膜10中存在有f成分、碱成分，也同样能够防止损伤。此外，即使使用醇来代替h2o，也能够以同样的机制防止块氧化物膜14的损伤。

残渣去除处理的第一工序即供给h2o气体或醇气体的工序能够通过在进行了cor处理后的腔室内停止hf气体的供给而持续流通h2o气体或醇气体来进行。此时，能够通过增加h2o气体或醇气体的流量来在短时间内去除块氧化物膜14的表面的f。h2o气体或醇气体的流量优选为100sccm～1000sccm的范围，处理时间优选为30sec～600sec的范围。另外，压力和温度能够设为与cor处理同样的条件。

残渣去除处理的第二工序即加热处理工序在n2气体、ar气体等惰性气体环境下优选在150℃～230℃的范围内进行。由此，在第一工序中没有被去除的残渣成分、例如nh3这样的碱成分等被去除，如图8所示，能够不对块氧化物膜14带来损伤地去除蚀刻残渣22。此时的第二工序的时间优选为30sec～600sec的范围。

实际上，如上述那样在cor处理之后进行两个阶段的残渣去除的结果是确认出：不对作为sio2膜的块氧化物膜14、cvd-sio2膜10产生损伤地去除了蚀刻残渣22。

<本实施方式的蚀刻方法中使用的处理系统的一例>

接着，对本实施方式的蚀刻方法中使用的处理系统的一例进行说明。

图9是表示本实施方式的蚀刻方法中使用的处理系统的一例的概要结构图。该处理系统100具备：搬入搬出部102，其对如上述那样的在去除了sin膜后在cvd-sio2膜10的前端部形成有二氧化硅系残渣物20的构造的晶圆w进行搬入搬出；两个加载互锁室103，该两个加载互锁室103与搬入搬出部102相邻设置；热处理装置104，其分别与各加载互锁室103相邻设置，对晶圆w进行热处理；cor处理装置105，其分别与各热处理装置104相邻设置，对晶圆w进行蚀刻(cor处理)；以及控制部106。

搬入搬出部102具有输送室112，在输送室112的内部设置有用于输送晶圆w的第一晶圆输送机构111。第一晶圆输送机构111具有将晶圆w保持为大致水平的两个输送臂111a、111b。在输送室112的长度方向的侧部设置有载置台113，在该载置台113能够连接例如三个foup等收容多张晶圆w的承载件c。另外，与输送室112相邻地设置有进行晶圆w的对准的对准腔室114。

在搬入搬出部102中，晶圆w被输送臂111a、111b保持，通过第一晶圆输送机构111的驱动在大致水平面内直线移动或升降，由此被输送到所期望的位置。然后，输送臂111a、111b分别相对于载置台113上的承载件c、对准腔室114、加载互锁室103进退，由此进行搬入搬出。

各加载互锁室103以与输送室112之间分别插入有闸阀116的状态分别与输送室112连结。在各加载互锁室103内设置有用于输送晶圆w的第二晶圆输送机构117。另外，加载互锁室103构成为能够被抽真空到规定的真空度。

第二晶圆输送机构117具有多关节臂构造，并具有将晶圆w保持为大致水平的拾取器。在该第二晶圆输送机构117中，在将多关节臂收缩的状态下拾取器位于加载互锁室103内，通过伸出多关节臂，拾取器能够到达热处理装置104，通过进一步伸出多关节臂，拾取器能够到达cor处理装置105，从而能够在加载互锁室103、热处理装置104以及cor处理装置105之间输送晶圆w。

控制部106典型地说由计算机构成，具有：主控制部，其具有对处理系统100的各构成部进行控制的cpu；输入装置(键盘、鼠标等)；输出装置(打印机等)；显示装置(显示器等)；以及存储装置(存储介质)。控制部106的主控制部例如基于内置于存储装置的存储介质、或存储装置中设置的存储介质中存储的处理制程来使处理系统100执行规定的动作。

在这样的处理系统100中，将多张如图2所示的去除sin膜后在cvd-sio2膜10的前端部形成有二氧化硅系残渣物20的构造的晶圆w收纳于承载件c内并输送到处理系统100。在处理系统100中，在打开大气侧的闸阀116的状态下利用第一晶圆输送机构111的输送臂111a、111b中的任一个输送臂从搬入搬出部102的承载件c将一张晶圆w输送到加载互锁室103，并交接给加载互锁室103内的第二晶圆输送机构117的拾取器。

之后，关闭大气侧的闸阀116并对加载互锁室103内进行真空排气，接着打开闸阀154，使拾取器伸出到cor处理装置105来将晶圆w向cor处理装置105输送。

之后，使拾取器返回到加载互锁室103，并关闭闸阀154，在cor处理装置105中通过上述的cor处理来去除二氧化硅系残渣。在cor处理结束后，利用cor处理装置105来进行上述的残渣去除的第一工序。

在残渣去除的第一工序结束后，打开闸阀122、154，利用第二晶圆输送机构117的拾取器将蚀刻处理后的晶圆w输送到热处理装置104，来进行残渣去除的第二工序的加热处理。

在热处理装置104中的加热处理结束后，利用第一晶圆输送机构111的输送臂111a、111b中的任一个输送臂将晶圆w返回到承载件c。由此，一张晶圆的处理完成。

<cor处理装置>

接着，对搭载于处理系统100的cor处理装置105的一例详细地进行说明。

图10为表示cor处理装置105的一例的截面图。如图10所示，cor处理装置105具备密闭构造的腔室140，在腔室140的内部设置有将晶圆w以大致水平的状态进行载置的载置台142。另外，cor处理装置105具备向腔室140供给处理气体的气体供给机构143、对腔室140内进行排气的排气机构144。

腔室140由腔室主体151和盖部152构成。腔室主体151具有大致圆筒形状的侧壁部151a和底部151b，腔室主体151的上部为开口，该开口被盖部152封闭。侧壁部151a和盖部152利用密封构件(未图示)密闭，从而能够确保腔室140内的气密性。

盖部152具有构成外侧的盖构件155、嵌入于盖构件155的内侧且以与载置台142相面对的方式设置的喷淋头156。喷淋头156具有：主体157，其具有上部壁157b和呈圆筒状的侧壁157a；以及喷淋板158，其设置于主体157的底部。在主体157与喷淋板158之间形成有空间159。

在盖构件155和主体157的上部壁157b，以贯通到空间159的方式形成有气体导入路径161，该气体导入路径161与后述的气体供给机构143的hf气体供给配管171连接。

在喷淋板158上形成有多个气体喷出孔162，经由气体供给配管171和气体导入路径161导入到空间159中的气体从气体喷出孔162向腔室140内的空间喷出。

在侧壁部151a设置有与热处理装置104之间进行晶圆w的搬入搬出的搬入搬出口153，该搬入搬出口153能够利用闸阀154进行开闭。

载置台142在俯视时呈大致圆形，固定于腔室140的底部151b。在载置台142的内部设置有用于调节载置台142的温度的温度调节器165。温度调节器165例如具备供温度调节用介质(例如水等)循环的管路，通过与这样的在管路内流动的温度调节用介质进行热交换来调节载置台142的温度，从而进行载置台142上的晶圆w的温度控制。

气体供给机构143具有供给hf气体的hf气体供给源175、供给h2o气体的h2o气体供给源176、以及供给n2气体、ar气体等惰性气体的惰性气体供给源177，它们分别与hf气体供给配管171、h2o气体供给配管172以及惰性气体供给配管173的一端连接。在hf气体供给配管171、h2o气体供给配管172以及惰性气体供给配管173上设置有进行流路的开闭动作和流量控制的流量控制器179。流量控制器179例如由开闭阀和质量流量控制器构成。如上述那样，hf气体供给配管171的另一端与气体导入路径161连接。另外，h2o气体供给配管172和惰性气体供给配管173的另一端与hf气体供给配管171连接。

这些气体被供给到喷淋头156，并从喷淋头156的气体喷出孔162朝向腔室140内的晶圆w喷出。

此外，如上述那样，也可以供给醇气体来代替h2o气体。另外，惰性气体用作稀释气体和用于对腔室140内进行吹扫的吹扫气体。在进行处理时，也可以不使用稀释气体。

排气机构144具有与形成于腔室140的底部151b的排气口181相连的排气配管182，还具有设置于排气配管182的、用于控制腔室140内的压力的自动压力控制阀(apc)183以及用于对腔室140内进行排气的真空泵184。

两个电容压力计186a、186b作为用于测量腔室140内的压力的压力计，以插入到腔室140内的方式设置于腔室140的侧壁。电容压力计186a为高压力用，电容压力计186b为低压力用。在载置于载置台142的晶圆w的附近设置有检测晶圆w的温度的温度传感器(未图示)。

在这样的cor处理装置105中，将如上述那样的在去除sin膜后在cvd-sio2膜10的前端部形成有二氧化硅系残渣物20的构造的晶圆w输入到腔室140内并载置于载置台142。然后，将腔室140内的压力优选设为133pa～666pa(1torr～5torr)，更优选设为266pa～533pa(2torr～4torr)，并将晶圆w温度优选设为10℃～30℃，将hf气体和h2o气体分别优选以500sccm～1500sccm和100sccm～1000sccm的流量供给，将作为稀释气体的惰性气体设为0sccm～500sccm，来对二氧化硅系残渣物进行蚀刻去除。

在去除了二氧化硅系残渣物之后，将晶圆w仍旧保持于腔室140内的载置台142上，停止hf气体，将h2o气体设为100sccm～1000sccm，将作为稀释气体的惰性气体设为0sccm～500sccm，来在优选为30sec～600sec的期间内实施对二氧化硅系残渣物进行了蚀刻去除后的蚀刻残渣去除的第一工序。由此，蚀刻残渣中的f成分被去除。

<热处理装置>

接着，对搭载于处理系统100的热处理装置104的一例详细地进行说明。

图11为表示热处理装置104的一例的截面图。如图11所示，热处理装置104具有能够被抽真空的腔室120以及在其中载置晶圆w的载置台123，在载置台123中埋设有加热器124，利用该加热器124对实施了蚀刻残渣去除的第一工序后的晶圆w进行加热来使残留于晶圆w的蚀刻残渣气化从而将其去除。

在腔室120的加载互锁室103侧设置有用于与加载互锁室103之间输送晶圆的搬入搬出口120a，该搬入搬出口120a能够利用闸阀122进行开闭。另外，在腔室120的cor处理装置105侧设置有用于与cor处理装置105之间输送晶圆w的搬入搬出口120b，该搬入搬出口120b能够利用闸阀154进行开闭。

在腔室120的侧壁上部连接有气体供给路径125，气体供给路径125与供给作为惰性气体的n2气体的n2气体供给源130连接。另外，在腔室120的底壁连接有排气路径127，排气路径127与真空泵133连接。在气体供给路径125上设置有流量调节阀131，在排气路径127上设置有压力调整阀132，通过调整这些阀，将腔室120内设为规定压力的n2气体环境来进行热处理。也可以使用ar气体等除n2气体以外的惰性气体。

在这样的热处理装置104中，将被实施了cor处理装置105内的蚀刻残渣去除的第一工序的晶圆w输入到腔室120内并载置于载置台123。然后，以规定流量供给n2气体，并且将腔室120内的压力优选设为133pa～666pa(1torr～5torr)，利用加热器124将晶圆w温度优选设为150℃～230℃，来对被实施了蚀刻残渣去除的第一工序后的晶圆w实施热处理以使残留于晶圆w的蚀刻残渣气化从而将其去除。

在该情况下，由于通过蚀刻残渣去除的第一工序去除了蚀刻残渣的f成分，因此能够防止由于加热处理而对块氧化物膜的损伤。

<其它应用>

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定为上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。

例如，在上述实施方式中，在对在3d-nand型非易失性半导体装置的制造过程中的sin膜去除后存在于cvd-sio2膜的前端部的二氧化硅系残渣物进行蚀刻去除时应用了本发明，但只要是去除形成于sio2膜的、含有碱性成分的二氧化硅系残渣物的情况下均能够应用本发明，sio2膜不限于cvd-sio2膜，也可以为热氧化膜。另外，不论蚀刻的方式如何，只要在去除附着于通过cvd成膜的sio2膜的碱性成分和f成分的蚀刻残渣的情况下，就能够应用本发明。并且，在本发明中，作为通过cvd形成的sio2膜，也包括通过原子层沉积法(ald)来成膜的膜。另外，在上述实施方式中，作为cvd-sio2膜，例示了teos膜，但也可以为使用其它si前体的sio2膜。

另外，关于上述处理系统、单独的装置的构造，也只不过是例示，能够通过各种结构的系统、装置来实现本发明的蚀刻方法。