技术特征：
技术总结
本发明公开了一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法，以氧化钼作为p型晶体硅钝化层和空穴传输层，具有如下的结构：Ag/SiNx/n‑c‑Si/p‑c‑Si/SiO2/MoO3/Al/Ag，其中x＝0.9～1.2，n‑c‑Si为磷掺杂的n型晶体硅。本发明利用氧化钼取代氧化铝作为p型晶体硅电池的背面钝化材料，不仅可以大幅降低了电池背面的复合，同时也可以作为p型晶体硅电池的空穴传输层，因此，在电池的实际生产工艺中不像PERC电池那样需要激光开孔来保证载流子的传输，这就达到了既能降低晶体硅的背面复合、又同时避免了激光开孔带来的负面影响。
技术研发人员：黄仕华;周理想;池丹;陆肖励
受保护的技术使用者：浙江师范大学
技术研发日：2018.08.08
技术公布日：2018.12.25