本发明属于一种硅片倒角结构及方法,此发明适用于降低芯片减薄碎片率。
背景技术:
很多用于小体积封装的半导体芯片,需要减薄到一定厚度,才能放入封装体内,当厚度低于150微米的时候,碎片率会大幅度提升,对减薄设备、工艺等提出更高要求,常规减薄方法使用的硅片,其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角,这种倒角的硅片在减薄的过程中,容易造成硅片边缘较薄,进而崩边,硅片一旦崩边,在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎,本发明改善硅片减薄过程,利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片,减薄过程中,硅片边缘始终和金刚砂轮垂直,采用此方法,同等设备工艺条件下,减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上,当减薄至100微米时,更是可以降低碎片率70%以上。
技术实现要素:
1、一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构,其结构包括:矩形结构101和圆角结构102,圆角半径长度103小于1/2减薄厚度105,减薄厚度105小于150微米。
2、一种降低芯片减薄碎片率的方法,其方法包括:
a、硅片制备,拉单晶、切片、倒角、抛光,倒角边缘为圆角矩形,圆角半径根据最终减薄厚度确定;
b、芯片制备,通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能;
c、减薄、封装、测试,减薄时,硅片边缘始终和减薄金刚砂轮成90度直角,降低减薄碎片率,且减薄完成后,硅片边缘厚度大,降低后续工艺碎片风险。
附图说明
图1是此硅片倒角结构的截面图;
图2是圆形倒角结构硅片的界面图。
编号说明:
101:硅片矩形结构;
102:圆角结构;
103:圆角半径;
104:减薄的位置;
105:减薄的厚度,厚度小于150微米,此结构的优点尤为突出;
201:圆形倒角硅片减薄后硅片边缘位置,有锐角结构,容易崩边。
具体实施方式
1.硅片制备,拉单晶、切片、倒角、抛光,倒角边缘为圆角矩形,圆角半径根据最终减薄厚度确定。
2.芯片制备,通过光刻、注入、扩散、溅射等工艺实现芯片功能。
3.减薄、封装、测试,减薄时,硅片边缘始终和金刚砂轮成90度直角,降低减薄碎片率,且减薄完成后,硅片边缘厚度大,降低后续工艺碎片风险,普通圆形倒角硅片,减薄到后面是锐角边缘,容易崩边、碎片。
通过上述实施例阐述了本发明,同时也可以采用其它实施例实现本发明。本发明不局限于上述具体实施例,因此本发明有所附权利要求范围限定。