专利名称：一种圆弧倒角硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种圆弧倒角娃片。
背景技术：
相对圆倒角晶棒加工目如圆棒单晶娃棒只需要滚圆，不需要倒角；方型娃棒都需要倒45度角，如图I和2所示。传统机械磨轮倒角加工的硅片，在倒角处存在应力集中点，在后续加工过程中倒角尖角容易与工治具发生碰撞，导致硅片缺角或破裂。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种圆弧倒角硅片，减少倒角处因为应力集中而造成破裂。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种圆弧倒角硅片，硅片为矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的轮廓包括倒角边线和倒角边线两侧的圆弧，倒角边线两侧的圆弧分别与硅片直边和倒角边线相切。圆弧的半径R为300 700um，圆弧的角度Θ为30。 90。。倒角为45。倒角。圆弧与硅片边线的交点至硅片顶角的距离C为O. 35 I. 42mm,圆弧与硅片边线的两个交点之间的距离L为05. 2mm，硅片顶角至倒角边线的垂直距离H为O. 14 O. 8mm。本实用新型的有益效果是1、圆倒角硅片改变晶棒倒角方法，使得晶棒倒角处呈弧形。切割成的硅片不易造成缺角破裂；呈弧形的圆角与工装接触时，避免尖角点接触，减少这种受力集中造成破裂不良。2、圆倒角硅片相对传统倒角改善倒角处结构，可使得硅片单片面积增加约O. 1016mm2 I. 200mm2。
以下结合附图
对本实用新型进一步说明。图I是传统硅片倒角处的结构示意图；图2是本实用新型的硅片倒角处的结构示意图；其中1.硅片直边，2.圆弧，3.倒角边线。
具体实施方式
如图2所示，一种圆弧倒角硅片，硅片为矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的轮廓包括倒角边线3和倒角边线3两侧的圆弧2，倒角边线3两侧的圆弧2分别与硅片直边I和倒角边线3相切。圆弧2的半径R为300 700um，圆弧2的角度Θ为30° 90°。圆弧2与硅片边线I的交点至硅片顶角的距离C为O. 35 I. 42mm,圆弧2与硅片边线I的两个交点之间的距离L为05. 2mm，硅片顶角至倒角边线3的垂直距离H为O. 14 O. 8_。倒角为45°倒角。如图I和2所示，当圆弧2与硅片边线I的交点至硅片顶角的距离C与图I中的倒角边长B相同，圆弧2与硅片边线I的两个交点之间的距离L与图I中的倒角线长N相同，图2中的图像填充区域即为采用本方案的圆弧倒角后增加的区域。权利要求1.一种圆弧倒角硅片，硅片为矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，其特征是所述的硅片的倒角的轮廓包括倒角边线⑶和倒角边线⑶两侧的圆弧(2)，倒角边线(3)两侧的圆弧⑵分别与硅片直边⑴和倒角边线⑶相切。
2.根据权利要求I所述的圆弧倒角硅片，其特征是所述的圆弧(2)的半径R为300 700um，圆弧(2)的角度0为30° 90°。
3.根据权利要求I所述的圆弧倒角硅片，其特征是所述的倒角为45°倒角。
4.根据权利要求I或2或3所述的圆弧倒角硅片，其特征是所述的圆弧(2)与硅片边线(I)的交点至硅片顶角的距离C为0. 35 I. 42mm，圆弧(2)与硅片边线(I)的两个交点之间的距离L为05. 2mm，硅片顶角至倒角边线(3)的垂直距离H为0. 14 0. 8mm。
专利摘要本实用新型涉及一种圆弧倒角硅片，该硅片为矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的轮廓包括倒角边线和倒角边线两侧的圆弧，倒角边线两侧的圆弧分别与硅片直边和倒角边线相切。本实用新型的有益效果是1、圆倒角硅片改变晶棒倒角方法，使得晶棒倒角处呈弧形。切割成的硅片不易造成缺角破裂；呈弧形的圆角与工装接触时，避免尖角点接触，减少这种受力集中造成破裂不良。2、圆倒角硅片相对传统倒角改善倒角处结构，可使得硅片单片面积增加约0.1016mm2～1.200mm2。
文档编号C30B29/06GK202465953SQ201120573838
公开日2012年10月3日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者丁国健, 施贤彪, 罗起发 申请人:常州天合光能有限公司