技术特征:
技术总结
一种III族氮化物基激光发光装置包括:n侧III族氮化物基半导体区域;p侧III族氮化物基半导体区域;以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层,以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层,第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域,所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域,并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。
技术研发人员:亚力克斯约丁;谷善彦;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特;伊藤茂稔
受保护的技术使用者:夏普株式会社
技术研发日:2018.08.22
技术公布日:2019.03.05