有机半导体器件的制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极。本揭示能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。

技术研发人员：陈黎暄
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2019.01.08