一种阵列基板及其制作方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(thinfilmtransistor，简称tft)可用作平板显示器的像素开关元件。根据薄膜晶体管结构中的有源层所采用的不同材料，可将tft分为：非晶硅tft、多晶硅tft、单晶硅tft以及氧化物半导体tft；其中，非晶硅tft有源层可容易沉积在大的区域上且容易在低温条件下加工，但是具有电荷迁移率低的缺点；多晶硅tft有源层虽然电荷迁移高、具有优异的电特性，但是需要在高温条件下加工且其可靠的一致性不稳定；氧化物半导体(例如igzo，indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)tft具有较高的载流子迁移率，能够更好地满足超大尺寸的液晶显示器的驱动要求，并且，氧化物半导体tft还具有组分均一、成本较低、透明率较高等特点，因此备受研发人员的关注。

现有技术中，对于氧化物半导体tft阵列基板，由于制备氮化硅绝缘层时所采用的气体中的h元素对氧化物沟道具有还原性，可导致氧空位增加而使氧化物有源层导体化，所以通常绝缘保护层选用二氧化硅薄膜，或者是二氧化硅和氮化硅复合薄膜。

为简化工艺流程，通常采用干法刻蚀制作出贯穿绝缘保护层的过孔，过孔的底部为漏极的上表面。通常利用碳氟气体(例如cf4)和氧气为刻蚀气体刻蚀二氧化硅薄膜，在刻蚀过程中，二氧化硅材质的过孔内生长有大量的碳氟聚合物，碳氟聚合物形状各异，且在后续过程中并不能轻易除去，这样就会影响像素电极与漏极的电性连接，从而造成显示器的显示不良。

技术实现要素：

为解决上述现有技术中的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该制作方法去除了刻蚀过程中在过孔中形成的聚合物，从而避免了该聚合物对第一图案和第二图案的电性连通的不良影响。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上方形成第一图案；形成覆盖所述第一图案的绝缘层；在所述绝缘层上方形成保护图案，所述保护图案露出所述绝缘层上待形成过孔的部分；通过刻蚀气体刻蚀所述绝缘层上的所述待形成过孔的部分，形成孔洞，所述孔洞的底部具有预设厚度的残留膜层；其中，0≤所述预设厚度＜所述绝缘层的厚度；所述孔洞内形成有所述刻蚀气体与所述绝缘层反应生成的聚合物；通过惰性气体对所述孔洞进行刻蚀处理，以去除所述聚合物和所述残留膜层，形成露出所述第一图案的所述过孔。

可选的，所述通过惰性气体对所述孔洞进行刻蚀处理时，所述惰性气体的轰击能量大于所述刻蚀气体的轰击能量。

可选的，所述通过惰性气体对所述孔洞进行刻蚀处理时，所述惰性气体的轰击能量大于所述刻蚀气体的轰击能量，包括：相比于通过刻蚀气体刻蚀所述绝缘层上的所述待形成过孔的部分时，增加刻蚀设备的自偏压。

可选的，所述惰性气体包括ar气。

可选的，所述绝缘层包括二氧化硅绝缘层；所述刻蚀气体包括：第一刻蚀气体，所述第一刻蚀气体由碳氟气体和氧气构成；所述通过刻蚀气体刻蚀所述绝缘层上的所述待形成过孔的部分包括：通过所述第一刻蚀气体刻蚀所述二氧化硅绝缘层上的对应于所述待形成过孔的部分，形成第一孔洞；其中，所述第一孔洞的底部具有预设厚度的残留膜层；0≤所述预设厚度＜所述二氧化硅绝缘层的厚度；所述第一孔洞内形成有所述第一刻蚀气体与所述二氧化硅绝缘层反应生成的碳氟聚合物。

可选的，所述绝缘层还包括：覆盖在所述二氧化硅绝缘层上方的氮化硅绝缘层；所述刻蚀气体还包括：第二刻蚀气体，所述第二刻蚀气体由硫氟气体和氧气构成；在所述通过所述第一刻蚀气体刻蚀所述二氧化硅绝缘层上的对应于所述待形成过孔的部分之前，所述通过刻蚀气体刻蚀所述绝缘层上的所述待形成过孔的部分还包括：通过所述第二刻蚀气体刻蚀所述氮化硅绝缘层上的对应于所述待形成过孔的部分，形成露出所述二氧化硅绝缘层的第二孔洞；待形成的所述第一孔洞的位置对应于所述第二孔洞；所述孔洞由所述第一孔洞和待形成的所述第二孔洞构成。

可选的，在所述形成露出所述第一图案的所述过孔的步骤之后，所述阵列基板的制作方法还包括：去除所述保护层；在所述绝缘层上方形成第二图案；所述第二图案通过所述过孔与所述第一图案相接触。

可选的，0＜所述预设厚度＜所述绝缘层的厚度；所述过孔的底部具有高度等于所述预设厚度的台阶；所述台阶的高度≤1/8所述第二图案的膜层厚度。

可选的，所述形成覆盖所述第一图案的绝缘层的步骤之前，所述阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上依次形成栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、设置在所述栅绝缘层上的氧化物有源层、设置在所述栅绝缘层上且与所述氧化物有源层相接触的源极和漏极；所述第一图案为所述漏极；所述第二图案为像素电极。

可选的，所述保护图案的材料为光刻胶材料。

另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板通过上述所述的阵列基板的制作方法制得。

再一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述所述的阵列基板。

基于此，通过本发明实施例提供的上述制作方法，由于在刻蚀绝缘层的过程中，首先利用刻蚀气体进行刻蚀，然后在刻蚀的最后阶段，即当孔洞的底部的残留膜层达到预设厚度时，调整为采用惰性气体对孔洞进行刻蚀处理，以去除刻蚀气体与绝缘层反应生成的聚合物和残留膜层，形成过孔，后续待形成的第二图案通过过孔与第一图案相接触，从而避免了过孔中形成的聚合物影响第一图案和第二图案的电性连通。

例如，当第一图案为漏极，第二图案为像素电极时，上述方法可避免过孔中形成的聚合物影响像素电极与漏极的电连接，提高制程良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为在相关技术中的一种阵列基板示意图；

图2为在相关技术中，通过碳氟气体和氧气刻蚀二氧化硅绝缘层后，在过孔表面生长有大量的碳氟聚合物的电镜示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；

图4为完成步骤s03之后的一种结果示意图；

图5(a)为完成图3中步骤s04的一种结果示意图；

图5(b)为完成图3中步骤s04的另一种结果示意图；

图6(a)为在图5(a)所示的结构基础上，完成步骤s05的结果示意图；

图6(b)为在图5(b)所示的结构基础上，完成步骤s05的结果示意图；

图7为完成步骤s03的另一种结果示意图；

图8为在图7所示的结构基础上，完成步骤s041的结果示意图；

图9为在图8所示的结构基础上，完成步骤s042的结果示意图；

图10(a)为在图6(a)所示的结构基础上，完成步骤s07的结果示意图；

图10(b)为在图6(b)所示的结构基础上，完成步骤s07的结果示意图；

图11为通过本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法制作得到的一种阵列基板示意图；

图12为通过本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法制作一种具体阵列基板的过程中，完成步骤e后的结果示意图；

图13为通过本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法制作一种具体阵列基板的过程中，完成步骤f后的结果示意图；

图14为通过本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法制作一种具体阵列基板的过程中，完成步骤g后的结果示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要指出的是，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在相关技术中，如图1所示，氧化物半导体tft阵列基板包括：衬底基板1、栅极2，栅极绝缘层3、有源层4、漏极5、源极6、二氧化硅绝缘层71、氮化硅绝缘层72、有机绝缘层8、公共电极9、像素电极10。

其中，栅极2、有源层4、漏极5、源极6构成tft。

在氧化物半导体tft阵列基板中，绝缘层7的材料通常选用常规的二氧化硅、或二氧化硅和氮化硅。

参考图1所示，当绝缘层7的材料选用二氧化硅和氮化硅时，由于氮化硅层72与有源层4直接接触容易导致有源层4导体化，所以，选用二氧化硅层71与有源层4直接相接触，在二氧化硅层71之上再形成氮化硅层72。

为简化工艺流程，通常采用干法刻蚀制作出贯穿绝缘层7的过孔11，过孔11的底部露出漏极5的上表面。

通常选用碳氟气体(例如cf4)和氧气作为工作气体对二氧化硅层71进行刻蚀。在刻蚀的过程中，如图2所示，由于碳氟气体和氧气与二氧化硅层71发生反应，使得二氧化硅71过孔的内壁上生长有大量的碳氟聚合物，并且在后续过程中不能轻易剥离去除，这样就会使得后续形成的像素电极10与漏极5搭接不良，从而造成显示不良。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，如图3所示，该制备方法包括5个步骤，下面结合图4～图6对该制作方法的主要步骤做具体说明：

步骤s01、在衬底基板1上方形成第一图案5；

步骤s02、形成覆盖第一图案5的绝缘层7；

步骤s03、如图4所示，在绝缘层7上方形成保护图案12，保护图案12露出绝缘层7上待形成过孔的部分73；

步骤s04、通过刻蚀气体刻蚀绝缘层7上的待形成过孔的部分73，形成如图5(a)或图5(b)所示的孔洞110，孔洞110的底部具有预设厚度(图5(b)中标记为d)的残留膜层；其中，0≤预设厚度＜绝缘层的厚度(图5(b)中标记为a)；孔洞110内形成有刻蚀气体与绝缘层7反应生成的聚合物；

步骤s05、通过惰性气体对孔洞110进行刻蚀处理，以去除聚合物和残留膜层，形成如图6(a)或如图6(b)所示的露出第一图案5的过孔11。

需要说明的是，第一、第一图案5可以为阵列基板中需要通过绝缘层上的过孔11与其他结构相接触的任意图案。

第二、在步骤s03中，绝缘层7上方指的是绝缘层7远离第一图案5一侧的表面及该表面的上方。

另外，保护图案12为抗刻蚀层，其作用是使得在刻蚀过程中仅刻蚀未被保护图案12覆盖保护的区域，即绝缘层7上待形成过孔11的部分73。

第三、在步骤s04中，如图5(a)所示，当预设厚度＝0时，孔洞110的底部没有残留膜层，即孔洞110的底部裸露出了第一图案5，此时，孔洞110是侧壁110a上具有刻蚀气体与绝缘层7反应生成的聚合物的如图6(a)所示的过孔11；在后续的步骤s05中仅需通过惰性气体刻蚀去除孔洞110侧壁110a上的聚合物即可得到如图6(a)所示的过孔11。

如图5(b)所示，当0＜预设厚度＜绝缘层的厚度时，孔洞110的底部110b具有预设厚度的残留膜层，此时，孔洞110的侧壁110a和底部110b(即残留膜层的表面)均具有刻蚀气体与绝缘层7反应生成的聚合物；在后续的步骤s05中需通过惰性气体刻蚀去除孔洞110内的聚合物和残留膜层。

第四、在步骤s04中，在刻蚀绝缘层7上的待形成过孔的部分73时，如果直接采用惰性气体进行刻蚀，由于惰性气体进行的刻蚀仅存在垂直于衬底基板的方向上的轰击，不具有侧面腐蚀的效果，则会导致形成的过孔11具有较陡的侧壁，不利于后续需要与第一图案相接触的其他图案层在过孔11中的形成。

第五、在步骤s05中，通过惰性气体对孔洞110进行刻蚀处理，由前述描述可知，由于通过惰性气体进行的刻蚀仅存在垂直于衬底基板的方向上的轰击，因此，不会在过孔内产生新的聚合物。

基于此，通过本发明实施例提供的上述制作方法，由于在刻蚀绝缘层7的过程中，首先利用刻蚀气体进行刻蚀，然后在刻蚀的最后阶段，即当孔洞110的底部的残留膜层达到预设厚度时，调整为采用惰性气体对孔洞110进行刻蚀处理，以去除刻蚀气体与绝缘层7反应生成的聚合物和残留膜层，形成过孔11，后续待形成的第二图案通过过孔11与第一图案5相接触，从而避免了过孔11中形成的聚合物影响第一图案和第二图案的电性连通。

例如，当第一图案为漏极，第二图案为像素电极时，上述方法可避免过孔11中形成的聚合物影响像素电极与漏极的电连接，提高制程良率。

优选地，步骤s05中惰性气体的轰击能量大于步骤s04中刻蚀气体的轰击能量。

这样使得高速运动的惰性气体等离子体可以更加充分地轰击孔洞110内的聚合物和残留膜层，使其被刻蚀去除的更加彻底，从而露出底部的第一图案5的上表面，形成过孔11。

示例的，上述惰性气体的轰击能量大于刻蚀气体的轰击能量具体可以通过下述方式实现：

相比于步骤s04，执行步骤s05时，增加刻蚀设备的自偏压。

例如当使用的刻蚀设备为icp(inductivelycoupledplasma，电感耦合等离子体)刻蚀设备时，在执行步骤s04时，将自偏压(下部电极功率)设置为15w；在执行步骤s05时，将自偏压(下部电极功率)增加至60w。

在执行步骤s05时，增加刻蚀设备的自偏压可以使得惰性气体等离子体受到更大的自偏压，使其在垂直于衬底基板的方向上具有更高的运动能量，以便高速运动的惰性气体等离子体可以更加充分地轰击孔洞110内的聚合物和残留膜层，形成过孔11。

进一步的，当以icp刻蚀设备为刻蚀设备时，在执行步骤s05时，还可以增加其上部电极功率和/或增加惰性气体的流量。例如，在执行步骤s04时，将上部电极功率设置为800w，和/或将刻蚀气体流量设置为120/20sccm(标准毫升/每分钟)；在执行步骤s05时，将上部电极功率增加至1000w，和/或将惰性气体流量增加至150sccm。

在执行步骤s05时，增加icp刻蚀设备的上部电极功率和/或增加惰性气体的流量可以使得更多的惰性气体电离成惰性气体等离子体，从而可以使得更多的惰性气体等离子体轰击孔洞110内的聚合物和残留膜层，形成过孔11。

示例的，由于氩气(ar)的电离电位较低，较易电离成等离子体，所以上述惰性气体通常选用ar气。

由于绝缘层7的作用是保护第一图案5，例如，避免第一图案5的表面在后续的工艺中被氧化，可选用结构致密、高温时抗氧化性较强的氮化物、氧化物、氮氧化物等绝缘材料。

绝缘层7的材料通常选用二氧化硅、或者二氧化硅和氮化硅。

当绝缘层7仅包括二氧化硅绝缘层时，根据二氧化硅材料的性质，通常选用碳氟气体和氧气刻蚀二氧化硅绝缘层。为了便于描述，下面将碳氟气体和氧气称作第一刻蚀气体。第一刻蚀气体刻蚀二氧化硅绝缘层的速率较为缓慢，可以使得最后形成的过孔11具有较为平缓的侧壁，以便于后续待形成的图案层在过孔11中形成。

相应的，上述步骤s04具体为：

通过上述第一刻蚀气体刻蚀二氧化硅绝缘层上的对应于待形成过孔11的部分73，形成如图5(a)或图5(b)所示的孔洞110；其中，孔洞110的底部具有预设厚度(图5(b)中标记为d)的残留膜层；0≤预设厚度＜二氧化硅绝缘层的厚度(图5(b)中标记为a)。

上述第一刻蚀气体与二氧化硅绝缘层反应生成碳氟聚合物，该碳氟聚合物附着于孔洞110内。

即，当残留膜层厚度不为零时，碳氟聚合物附着于孔洞110的侧壁110a和底部110b(即残留膜层的表面)上；

当预设厚度＝0时，该碳氟聚合物仅附着于孔洞110侧壁110a上。

为了便于更好地理解本申请实施例，下面对碳氟聚合物的生成过程做具体说明：

碳氟(cf4，c4f8，chf3等)等离子体常被用来刻蚀sio2、si以及其他相关材料。cf4在等离子体状态下分解成离子态的cf2与活性f基，见反应式(1)，其中cf2可以与sio2(或si)表面反应，形成(cf2)n高分子聚合物也即是碳氟聚合物，见反应式(2)。反应式如下：

cf4→2f↑+cf2↑；反应式(1)

ncf2↑→(cf2)n；反应式((2)

cf4等离子体中的cf、cf2等基团主要来自电子对源气体的碰撞，而在c4f8中cf主要来自电子对cf2的碰撞分解。

cf4刻蚀sio2的过程一般分为三个阶段：首先是碳氟薄膜在sio2绝缘层表面上的沉积过程，而后是碳氟薄膜生长被抑制的过程，最后则是sio2绝缘层被刻蚀的过程，也即是：碳氟聚合物沉积在sio2的表面。来自碳氟薄膜的cfx基团与sio2反应生成sifxco2，随后在f原子或离子轰击下分解成sifx。所以碳氟聚合物对sio2刻蚀的影响很大。

进一步的，如图7所示，绝缘层7还可以包括设置在二氧化硅绝缘层71上的氮化硅绝缘层72。

由于氮化硅材料相对于二氧化硅材料具有更好的防水性和防渗透性，这样使得制作出的阵列基板具有更好的防水性和防渗透性。

根据氮化硅材料的性质，通常选用硫氟气体(例如sf6)和氧气刻蚀氮化硅绝缘层72。

为了便于描述，下面将硫氟气体和氧气称作第二刻蚀气体。第二刻蚀气体刻蚀氮化硅绝缘层72的速率较为缓慢，可以使得最后形成的过孔11具有较为平缓的侧壁，以便于后续待形成的图案层在过孔11中形成。

相应的，参考图7～图9所示，上述步骤s04的具体步骤包括：

步骤s041、通过第二刻蚀气体刻蚀氮化硅绝缘层72上的对应于待形成过孔11的部分73，形成如图8所示的露出二氧化硅绝缘层71的第二孔洞111；

步骤s042、通过第一刻蚀气体刻蚀二氧化硅绝缘层71上的对应于待形成过孔11的部分，如图9所示，形成第一孔洞112(图9中二氧化硅绝缘层71上虚线l2下方的位置)。

在此过程中，第一刻蚀气体继续侧向刻蚀氮化硅绝缘层72的侧壁，使其产生向四周的缩进。第一孔洞111(图9中虚线l1和l2之间的位置)的位置对应于第二孔洞112，即，第一孔洞111和第二孔洞112共同构成孔洞110。

需要说明的是，在上述刻蚀过程中，由于第一刻蚀气体刻蚀氮化硅绝缘层72的速率较快，如果通过第一刻蚀气体刻蚀氮化硅绝缘层72，就会造成过孔侧壁较陡，从而影响后续待形成的第二图案与第一图案5的接触，例如，使得后续形成的像素电极与漏极的搭接不良；又因第二刻蚀气体很难刻蚀二氧化硅绝缘层71，所以选用单独的第一刻蚀气体或者第二刻蚀气体进行刻蚀氮化硅绝缘层72和二氧化硅绝缘层71的效果都不尽如人意。所以，首先通过第二刻蚀气体刻蚀氮化硅绝缘层72，然后通过第一刻蚀气体刻蚀二氧化硅绝缘层71，即不同材料的绝缘层采用不同的刻蚀气体进行刻蚀处理

结合图6(a)和图10(a)所示，在形成露出第一图案5的过孔11的步骤之后，该阵列基板的制作方法还包括：

步骤s06、去除保护图案12；

步骤s07、在绝缘层7上方形成第二图案10；第二图案10通过过孔11与第一图案10相接触。

具体的，保护图案12的材料可以为光刻胶材料。可以采用剥离工艺去除该光刻胶保护图案。

这里，上述第二图案10可以包括但不限于像素电极的图案，本发明实施例对此不作限定，可根据待形成的阵列基板的设计要求灵活调整。

参考图5(b)、图6(b)和图10(b)所示，在步骤s04中，当0＜预设厚度＜绝缘层的厚度时，即孔洞110的底部具有预设厚度的残留膜层；在步骤s05中，由于惰性气体等离子体垂直于衬底基板表面轰击刻蚀，刻蚀完成后的过孔11的底部会产生一个高度等于预设厚度的台阶74。为了防止第二图案10在过孔11底部的台阶74处跨断，要求预设厚度(即台阶74的高度，图6(b)中标记为d)≤1/8第二图案的膜层厚度(图10(b)中标记为d)，以便第二图案10能够充分覆盖住台阶，避免第二图案10在台阶处产生断层，影响与第一图案5的电性连通。

如图11所示，在执行上述步骤s02之前，上述阵列基板的制作方法还包括：

在衬底基板1上依次形成栅极2、覆盖栅极的栅绝缘层3、设置在栅绝缘层3上的氧化物有源层4、设置在栅绝缘层3上且与氧化物有源层4相接触的源极6和漏极5；第一图案5为漏极5；第二图案10为像素电极10；过孔的底部为漏极5的上表面，像素电极10与漏极5通过过孔电性连接。

该像素电极可以由ito(indiumtinoxide，氧化烟锡)材料制成。

需要说明的是，尽管在本发明实施例中，以薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接为例进行了说明，然而本领域的技术人员应当明白，由于薄膜晶体管的源极和漏极在结构和组成上的可互换性，也可以将薄膜晶体管的源极与像素电极电连接，这属于本发明的上述实施例的等同变换。

为了进一步说明本发明，以下将以第一图案为漏极；第二图案为像素电极；绝缘层包括二氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层；保护图案的材料为光刻胶；刻蚀气体包括硫氟气体和氧气、碳氟气体和氧气结合具体实施例对本发明提供的阵列基板的制作方法进行详细描述。

应当理解的是，下述实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制，本发明的保护范围也不限于下述的实施例。

为简化描述，下面选取需要刻蚀过孔的区域单独进行说明。

a)参考图7所示，在衬底基板1上方形成漏极5；形成覆盖漏极5的二氧化硅绝缘层71，形成覆盖二氧化硅绝缘层71的氮化硅绝缘层72。

b)参考图7所示，在氮化硅绝缘层72上，通过涂胶、曝光、显影等方式制作出待形成过孔的光刻胶掩膜层图案12，使得刻胶掩膜层图案12，露出绝缘层7上待形成过孔的部分73。

c)参考图8所示，以icp刻蚀机为刻蚀设备，以硫氟气体和氧气为刻蚀气体，刻蚀氮化硅绝缘层72上的对应于待形成过孔11的部分73，形成露出二氧化硅绝缘层72的第二孔洞111；

在此过程中，icp刻蚀设备的上部电极功率设置为800w，下部电极功率(自偏压)设置为15w，硫氟气体和氧气流量设置为100/20sccm。

d)参考图9所示，步骤c完成后，继续以icp刻蚀设备为刻蚀设备，以碳氟气体和氧气为刻蚀气体，刻蚀二氧化硅绝缘层71上的对应于待形成过孔11的部分，直至刻蚀到二氧化硅绝缘层71残留的膜层厚度为d时，形成第一孔洞112；

在此过程中，icp刻蚀设备上部电极功率设置为800w，下部电极功率(自偏压)设置为30w，碳氟气体和氧气流量设置为120/20sccm。

需要说明的是，在此过程中，碳氟气体和氧气也将会继续侧向刻蚀氮化硅绝缘层72上的第二孔洞111的侧壁，使第二孔洞111的侧壁继续向四周缩进。

由前述描述可知，经过步骤d的刻蚀，第一孔洞112的侧壁以及残留的膜层的上表面会产生较难被去除的碳氟聚合物。

e)如图12所示，步骤d完成后，继续以icp刻蚀设备为刻蚀设备，以ar气为工作气体，对孔洞110进行刻蚀处理，以去除碳氟聚合物和残留的膜层，直至露出底部的漏极5的上表面，形成过孔11；

在此过程中，icp上部电极功率设置为1000w，下部电极功率(自偏压)设置为60w，ar流量设置为150sccm。。

f)如图13所示，步骤e完成后，去除光刻胶掩膜层图案12。

g)如图14所示，步骤f完成后，在绝缘层7上沉积ito膜层，对ito膜层进行相应的构图工艺处理，形成像素电极10；其中，像素电极10通过过孔11与漏极5电性连接。在上述基础上，本发明实施例还提供了一种采用上述制作方法获得的阵列基板。

基于此，通过上述制作方法获得的阵列基板，由于在刻蚀的最后阶段，即当孔洞110的底部的残留膜层达到预设厚度时，调整为采用惰性气体对孔洞110进行刻蚀处理，去除了刻蚀气体与绝缘层7反应生成的聚合物和残留膜层，形成过孔11，后续待形成的第二图案通过过孔11与第一图案5相接触，从而避免了过孔11中在刻蚀过程中形成的聚合物影响第一图案5和第二图案10的电性连通。

例如，当第一图案5为漏极，第二图案10为像素电极时，通过上述制作方法获得的阵列基板，由于去除了过孔11中在刻蚀过程中产生的聚合物，所以可以避免该聚合物影响像素电极与漏极的电连接，提高制程良率。

具体的，上述阵列基板中还可包括公共电极等其他结构，具体可沿用相关技术，本发明实施例对此不作限定。

进一步的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

该显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、oled(organiclight-emittingdisplay，有机电致发光显示)显示器、oled电视或电子纸、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。