技术特征：
技术总结
石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法，属于半导体探测器领域，解决了现有碳化硅辐射探测器存在的探测效率低、漏电流大的问题。该探测器包括：碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层为双台面结构；设置在碳化硅外延层上的石墨烯透明电极；设置在碳化硅外延层上的二氧化硅钝化层；设置在石墨烯透明电极上的阴极金属电极和阳极金属电极；分别键合在阴极金属电极和阳极金属电极上的电极引线。本发明将石墨烯透明电极应用到辐射探测器中，采用双台面工艺，提供一种具有高有效探测区域、高探测效率、低漏电流、耐高温、耐辐射的石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法。
技术研发人员：黎大兵;刘贺男;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：2018.09.14
技术公布日：2019.02.05