技术特征：
技术总结
本发明公开了一种散热式齐纳二极管，包含属于第一导电型的一重掺杂半导体基板、属于第一导电型的一第一磊晶层、属于第二导电型的一第一重掺杂区、一第二磊晶层与属于第一导电型或第二导电型的一第二重掺杂区。第一磊晶层设于重掺杂半导体基板上，第一重掺杂区设于第一磊晶层中，并与重掺杂半导体基板相隔。第二磊晶层设于第一磊晶层上，第二磊晶层具有贯穿自身的一第一掺杂区，第一掺杂区属于第二导电型，第一掺杂区接触第一重掺杂区。第二重掺杂区设于第一掺杂区中。
技术研发人员：叶致廷;黄菘志;庄哲豪
受保护的技术使用者：晶焱科技股份有限公司
技术研发日：2018.09.20
技术公布日：2019.04.09