显示面板及其制备方法、显示装置与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

oled显示器件由于具有自发光的特点，与其他显示器件相比，具有功耗低、显示亮度好等优点。

现有的oled显示器件的边缘处，封装层与tft层(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)的金属层接触，由于封装层与金属层之间的粘附性差，导致封装层与下方的金属层易发生剥离，显示器件容易出现边缘处封装失效的问题，影响显示器件的显示效果和使用寿命。

技术实现要素：

根据本申请的第一方面，提供了一种显示面板，包括：

基板；

位于所述基板上的tft层，所述tft层包括第一金属层、位于所述第一金属层上的第一无机层及位于所述第一无机层上的第二金属层，所述第二金属层包括第一区和第二区，第一区与所述第二区之间形成镂空区，所述第一区与所述第二区通过所述第一金属层导通；

位于所述tft层上的封装层，所述封装层位于所述镂空区的部分与所述第一无机层直接接触设置。

在一个实施例中，所述第一无机层上设置有间隔分布的第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔内分别填充有金属，所述第一区与所述第一金属层通过所述第一接触孔内的金属导通，所述第二区与所述第一金属层通过所述第二接触孔内的金属导通。

在一个实施例中，所述tft层还包括形成于所述第二金属层上的环形的堤坝，所述第二区位于所述堤坝的外侧，所述第一金属层至少部分位于所述堤坝下方。

在一个实施例中，所述显示面板还包括形成于所述tft层和所述封装层之间的oled层，所述oled层位于被所述堤坝围合的区域。

在一个实施例中，所述第一金属层的宽度范围为200至2000um。

在一个实施例中，所述tft层还包括电容上极板和源电极，所述第一金属层与所述电容上极板位于同一层，所述第二金属层与所述源电极位于同一层。

在一个实施例中，所述tft层还包括栅电极和源电极，所述第一金属层与所述栅电极位于同一层，所述第二金属层与所述源电极位于同一层。

在一个实施例中，所述显示面板为柔性显示面板。

根据本申请的第二方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成tft层，所述tft层包括第一金属层、位于所述第一金属层上的第一无机层及位于所述第一无机层上的第二金属层，所述第二金属层包括第一区和第二区，所述第一区与所述第二区之间形成镂空区，所述第一区与所述第二区通过所述第一金属层导通；

在所述tft层上形成封装层，所述封装层位于所述镂空区的部分与所述第一无机层直接接触。

根据本申请的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。

本申请提供的显示面板及其制备方法、显示装置，tft层的第二金属层的第一区通过第二金属层与第二区导通，保证显示面板正常工作，封装层位于镂空区中的部分与第一无机层接触，可使得tft层与封装层之间的粘附性增大，避免tft层与封装层之间出现剥离，提升封装效果，延长显示面板的使用寿命。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；

图4为图1所示的显示面板的俯视图；

图5为图1所示的显示面板的俯视图；

图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；

图7为本申请实施例提供的在基板上形成tft层的流程图；

图8为本申请实施例提供的第一中间结构的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的第二中间结构的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的第三中间结构的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的第四中间结构的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的在基板上形成tft层的另一种流程图；

图13为本申请实施例提供的第五中间结构的结构示意图；

图14为本申请实施例提供的第六中间结构的结构示意图；

图15为本申请实施例提供的第七中间结构的结构示意图；

图16为本申请实施例提供的第八中间结构的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个，相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

下面结合附图，对本申请实施例中的柔性显示面板及其制备方法进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。

在本申请实施例中，为描述方便，将由基板指向tft层的方向定义为上，将由tft层指向基板的方向定义为下，以此确定出上下方向。容易理解，不同的方向定义方式并不会影响工艺的实质操作内容以及产品的实际形态。

图1为本申请提供的显示面板100的结构示意图。参见图1，本申请实施例提供的柔性显示面板100包括基板1、tft层2和封装层3。其中，tft层2位于所述基板1上，封装层3位于tft层2上。所述tft层2包括第一金属层21、位于所述第一金属层21上的第一无机层22及位于所述第一无机层22上的第二金属层23。所述第二金属层23包括第一区231和第二区232，所述第一区231与所述第二区232之间形成镂空区233，第一区231与第二区232通过第二一金属层21导通。所述封装层3位于所述镂空区233中的部分与所述第一无机层22接触。

本申请实施例提供的显示面板100，第二金属层23的第一区231通过第一金属层21与第二区232导通，保证显示面板100正常工作，封装层3位于镂空区233中的部分与第一无机层22接触，可使得tft层2与封装层3之间的粘附性增大，避免tft层2与封装层3之间出现剥离，延长显示面板100的使用寿命。

其中，第一无机层22的材料可以是氧化硅或氮化硅。基板1可以是柔性基板或者刚性基板，柔性基板的材料可以是聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚醚砜树脂、聚碳酸酯或聚醚酰亚胺，刚性基板的材料可以是玻璃。

在一个实施例中，所述第一无机层22上设置有间隔分布的第一接触孔221和第二接触孔222，所述第一接触孔221和所述第二接触孔222内填充有金属，第一区231与第一金属层21通过第一接触孔221内的金属导通，第二区232与第一金属层21通过第二接触孔222内的金属导通。通过第一接触孔221和第二接触孔222中的金属将第一区231、第二区232与第一金属层21导通，该结构比较简单，工艺易于实现。

在一个实施例中，如图2和图3所示，tft层2还包括形成于基板1上的半导体层241、形成于半导体层241上的栅极绝缘层242、形成于栅极绝缘层242上的栅电极251及电容下极板252、形成于栅电极251及电容下极板252上的电容绝缘层26、形成于电容绝缘层26上的电容上极板27、形成于电容上极板27上的层间介质层28、形成于层间介质层28和电容绝缘层26中的两个接触孔，以及形成于接触孔内及形成于层间介质层28上的源电极291及漏电极292、形成于源电极291及漏电极292上的平坦化层293、以及形成于平坦化层293上的环形的堤坝294。电容下极板252与电容上极板27构成电容，一个为电容的阳极，另一个为电容的阴极。tft层2具有中心区域及围合中心区域的边缘区域，平坦化层293形成于中心区域。

显示面板100还包括形成于tft层2和封装层3之间的oled层4，oled层4被堤坝294围合，封装层3覆盖在oled层4上及tft层2的边缘区域。oled层4可包括阳极、位于阳极上的有机发光层及位于有机发光层上的阴极，oled层4的阳极与tft层2的漏极接触。

在一个实施例中，第二区232和镂空区233位于堤坝294外侧的边缘区域，第一区231可位于堤坝294下方，第一金属层21至少部分位于堤坝294的下方。由于第二区232和镂空区233位于堤坝294外侧，oled层4被堤坝294围合，在显示面板100的面积一定的情况下，将第一区231的至少部分设置于堤坝294下方时，相对于将第一区231设置于堤坝294外侧，可将堤坝294设置得更靠近显示面板100的边缘，增大堤坝294围合区域的面积，从而增大oled层4的面积，也即是增大显示区域100的面积。

在一个实施例中，再次参见图2，所述第一金属层21与所述电容上极板27位于同一层，所述第二金属层23与所述源电极291和漏电极292位于同一层，第一无机层22为层间介质层28位于边缘区域的部分。

在另一个实施例中，再次参见图3，所述第一金属层21与所述栅电极251位于同一层，所述第二金属层23与所述源电极291和漏电极292位于同一层，第一无机层22为电容绝缘层26及层间介质层28位于边缘区域的部分，第一接触孔221及第二接触孔222分别穿透电容绝缘层26及层间介质层28。封装层3与层间介质层28接触。

其中，第二金属层23可配置为数据线，第二金属层23的第一区231可与同一排的多个源电极291连接，第二金属层23的第二区232可与柔性印刷电路板连接。

进一步地，参见图4，在形成栅电极251和电容下极板252时，在边缘区域形成同时第一金属层21和第一金属层21’。其中，第一金属层21与栅电极251不连接，用以连接两个接触孔内的金属，第一金属层21’与栅电极251连接，可配置为扫描线，用以接收电信号而使tft层2驱动oled层4的有机发光层发光。

在一个实施例中，tft层2的边缘区域可设有多个第一接触孔221和与多个第一接触孔221一一对应的多个第二接触孔222。如图5所示，每一第一接触孔221和每一第二接触孔222分别与一个第一金属层21接触。其中，所述第一金属层21的宽度d的范围可为200至2000um。如此可保证第一金属层21的电阻较小，同时保证第一金属层21将第二金属层23的第一区231及第二区232有效连接。第一金属层21的宽度方向指的是与第一金属层21的延伸方向垂直的方向，第一金属层21的宽度是第一金属层21在宽度方向上的尺寸。

进一步地，第一接触孔221和第二接触孔222的宽度可略小于第一金属层21的宽度，可避免第一接触孔221和第二接触孔222中的金属与和第一金属层21相邻的其他金属接触而影响显示面板100的正常工作。其中，第一接触孔221和第二接触孔222的宽度方向与所述第一金属层21的宽度方向相同。

在一个实施例中，所述封装层3可为薄膜封装(thinfilmencapsulation，tfe)层，封装层3包括形成于所述tft层2上的第二无机层(未图示)，所述第二无机层为封装层3的最下层，与所述第一无机层接触，所述第一无机层22与所述第二无机层的材料相同。位于镂空区233内的第二无机层与第一无机层22接触，二者材料相同，可使得二者的粘附性更好，进一步提高封装层3与tft层2的边缘区域之间的粘附性，提升封装效果，从而改善显示面板100的使用寿命。其中，第一无机层22与第二无机层的材料可为氧化硅或者氮化硅。

封装层3还可包括形成于第二无机层之上的若干有机、无机材料的叠层。例如封装层3为氮化硅层、有机层、氮化硅层的三层结构。

在一个实施例中，显示面板100还包括形成在基板1与tft层2之间的缓冲层5。缓冲层5的材料可以是氧化硅，以提高基板1与tft层2之间的粘附性。缓冲层5的材料也可以是氮化硅，或者缓冲层5也可包括一层氧化硅和一层氮化硅。

本申请实施例提供的显示面板100除了作为显示器件用外，还可以在封装层上设置触控层，作为触控面板用。显示面板100甚至还可以作为半成品与其它部件集成、装配在一起形成如手机、平板电脑(pad)、车载显示屏等显示装置。

图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。参见图6，该制备方法包括如下步骤201至步骤204。

在步骤201中，提供基板。

在一个实施例中，基板可以是柔性基板，则显示面板为柔性显示面板，其中，柔性基板的材料可以是聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚醚砜树脂、聚碳酸酯或聚醚酰亚胺。在其他实施例中，基板也可以是刚性基板，刚性基板的材料可以是玻璃。

在步骤201之后，所述制备方法还包括：在基板1上形成缓冲层5。

在步骤202中，在所述基板上形成tft层，所述tft层包括第一金属层、位于所述第一金属层上的第一无机层及位于所述第一无机层上的第二金属层，所述第二金属层包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区之间形成镂空区，所述第一区与所述第二区通过所述第一金属层导通。

tft层2还包括半导体层241、栅极绝缘层242、栅电极251、电容下极板252、电容绝缘层26、电容上极板27、层间介质层28、源电极291、漏电极292、平坦化层293及堤坝294。

在一个实施例中，在一个实施例中，所述第一无机层22上设置有间隔分布的第一接触孔221和第二接触孔222，所述第一接触孔221和所述第二接触孔222内填充有金属，第一区231与第一金属层21通过第一接触孔221内的金属导通，第二区232与第一金属层21通过第二接触孔222内的金属导通。

在一个实施例中，第一金属层21与电容上极板27同时形成，第二金属层23与源电极291及漏电极292同时形成，第一无机层22为层间介质层28的一部分。对应地，如图7所示，步骤202可包括如下步骤2021至步骤2025。

在步骤2021中，在所述基板上形成半导体层、位于半导体层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层的栅电极及电容下极板，以得到第一中间结构。

如图8所示，为第一中间结构的示意图。

其中，在栅极绝缘层242上形成栅电极251和电容下极板252的过程可如下：首先在栅极绝缘层242上全局形成金属层，之后将掩模版覆盖在金属层上，将掩模版的开口处暴露的部分刻蚀掉，从而形成栅电极251和电容下极板252。

在一个实施例中，参见图4，在形成栅电极251及电容下极板252时，同时形成了位于边缘区域的第一金属层21’，第一金属层21’与栅电极251连接，可配置为扫描线。

在步骤2022中，在所述栅电极和所述电容下极板上形成电容绝缘层，在所述电容绝缘层上形成电容上极板和第一金属层，以得到第二中间结构。

如图9所示，为第二中间结构的示意图。

其中，在电容绝缘层26上形成电容上极板27和第一金属层21的过程可如下：首先在电容绝缘层26上全局形成金属层，之后将掩模版覆盖在金属层上，将掩模版的开口处暴露的部分刻蚀掉，从而形成电容上极板27和第一金属层21。

在一个实施例中，第一金属层21的宽度范围可为200至2000um。

在步骤2023中，在电容上极板和第一金属层上形成层间介质层，并在层间介质层形成位于第一金属层上方的第一接触孔和第二接触孔、以及在半导体层上方形成穿透层间介质层、电容绝缘层和栅极绝缘层的第三接触孔和第四接触孔，以得到第三中间结构。

如图10所示，为第三中间结构的示意图。

其中，可采用光刻、干法刻蚀技术在层间介质层28上形成第一接触孔221、第二接触孔222，以及在层间介质层28、电容绝缘层26和栅极绝缘层242第三接触孔223和第四接触孔224。

在步骤2024中，在层间介质层上形成源电极、漏电极、第一区和第二区，并在第一接触孔、第二接触孔内、第三接触孔和第四接触孔中填充金属，以得到第四中间结构。

如图11所示，为第四中间结构的示意图。

其中，在层间介质层28上形成源电极291、漏电极292、第一区231和第二区232，并在第一接触孔221、第二接触孔222内、第三接触孔223和第四接触孔224中填充金属的过程可如下：首先在层间介质层28全局形成金属层，同时在第一接触孔221、第二接触孔222、第三接触孔223和第四接触孔224中填充金属，之后将掩模版覆盖在金属层上，将掩模版的开口处暴露的部分刻蚀掉，留下的金属即为源电极291、漏电极292、第一区231和第二区232，第一区231和第二区232之间的区域为镂空区233。

在步骤2025中，在第四中间结构的中心区域上形成平坦化层，并在平坦化层上形成堤坝。

其中，堤坝294为环形的结构，平坦化层293位于第一区231之上，第二区232位于堤坝外侧的边缘区域，第一金属层21至少部分位于堤坝294的下方。

在另一个实施例中，所述第一金属层21与所述栅电极251同时形成，所述第二金属层23与所述源电极291和漏电极292同时形成，第一无机层22为电容绝缘层26及层间介质层28位于边缘区域的部分，第一接触孔221及第二接触孔222分别穿透电容绝缘层26及层间介质层28。对应地，如图12所示，步骤202可包括如下步骤2026至步骤2030。

在步骤2026中，在所述基板上形成半导体层和位于半导体层上的栅极绝缘层，以及位于栅极绝缘层的栅电极、电容下极板和第一金属层，以得到第五中间结构。

如图13所示，为第五中间结构的示意图。

其中，在栅极绝缘层242上形成栅电极251、电容下极板252和第一金属层21的过程可如下：首先在栅极绝缘层242全局形成金属层，之后将掩模版覆盖在金属层上，将掩模版的开口处暴露的部分刻蚀掉，留下的部分金属即为栅电极251、电容下极板252和第一金属层21。

再次参见图4，在形成第一金属层21时，同时形成了第一金属层21’，其中，第一金属层21’与栅电极251连接，可配置为扫描线。

在步骤2027中，在所述栅电极、所述电容下极板和所述第一金属层上形成电容绝缘层，在所述电容绝缘层上形成电容绝缘层，在所述电容绝缘层形成电容上极板，以得到第六中间结构。

如图14所示，为第六中间结构的示意图。

其中，在电容绝缘层26上形成电容上极板27的过程可如下：首先在电容绝缘层26全局形成金属层，之后将掩模版覆盖在金属层上，将掩模版的开口处暴露的部分刻蚀掉，留下的部分金属即为电容上极板27。其中，边缘区域的金属层被刻蚀掉。

在步骤2028中，在电容上极板上形成层间介质层，并在第一金属层上方形成穿透层间介质层和电容绝缘层的第一接触孔和第二接触孔、以及在在半导体层上方形成穿透层间介质层、电容绝缘层和栅极绝缘层的第三接触孔和第四接触孔，以得到第七中间结构。

如图15所示，为第七中间结构的示意图。

其中，可采用光刻、干法刻蚀技术形成第一接触孔221、第二接触孔222、第三接触孔223和第四接触孔224。

在步骤2029中，在层间介质层上形成源电极、漏电极、第一区和第二区，并在第一接触孔、第二接触孔内、第三接触孔和第四接触孔中填充金属，以得到第八中间结构。

如图16所示，为第八中间结构的示意图。

其中，在层间介质层28上形成源电极291、漏电极292、第一区231和第二区232，并在第一接触孔221、第二接触孔222内、第三接触孔223和第四接触孔224中填充金属的过程可如下：首先在层间介质层28全局形成金属层，同时在第一接触孔221、第二接触孔222内、第三接触孔223和第四接触孔224中填充金属，之后将掩模版覆盖在金属层上，将掩模版的开口处暴露的部分刻蚀掉，留下的金属即为源电极291、漏电极292、第一区231和第二区232。其中，第一区231和第二区232之间的区域为镂空区233。

在步骤2030中，在第八中间结构的中心区域上形成平坦化层，并在平坦化层上形成堤坝。

其中，堤坝294为环形的结构，平坦化层293位于第一区231之上，第二区232位于堤坝外侧的边缘区域，第一金属层21至少部分位于堤坝294的下方。

在步骤203中，在所述tft层上形成oled层。

oled层4位于被堤坝围合的区域内。oled层4可包括形成于平坦化层293上的阳极、形成于阳极上的有机发光层及形成于有机发光层上的阴极，oled层4的阳极与tft层2的漏极接触。

在步骤204中，在所述oled层和所述tft层的边缘区域上形成封装层，所述封装层位于所述镂空区的部分与所述第一无机层接触。

通过步骤204可得到图2或图3所示的显示面板。

在一个实施例中，封装层3可为薄膜封装层，薄膜封装层包括形成于所述tft层2上的第二无机层，所述第二无机层为封装层3的最下层，所述第一无机层22可与所述第二无机层的材料相同。位于镂空区233内的第二无机层与第一无机层22接触，二者材料相同，可使得二者的粘附性更好，进一步提高封装层3与tft层2的边缘区域之间的粘附性，从而改善显示面板100的使用寿命。具体的，第一无机层22与第二无机层的材料可为氧化硅或者氮化硅。封装层3还可包括形成于第二无机层之上的若干有机、无机材料的叠层。例如封装层3为氮化硅层、有机层、氮化硅层的三层结构。

本申请实施例提供的显示面板的制备方法，tft层2的第二金属层23的第一区231通过第一金属层21与第二区232导通，保证显示面板100正常工作，形成于tft层2之上的封装层3位于镂空区233中的部分与第一无机层22接触，可使得tft层2与封装层3之间的粘附性增大，避免tft层2与封装层3之间出现剥离，可延长显示面板100的使用寿命。

本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的柔性显示面板。在一个实施例中，显示装置还包括外壳，柔性显示面板固定在外壳上。

本申请实施例中的显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请做任何形式上的限制，虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。