一种晶圆级的射频芯片电磁屏蔽封装工艺的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种晶圆级的射频芯片电磁屏蔽封装工艺，包括如下步骤：101）底座处理步骤、102）顶部处理步骤、103）中间层处理步骤、104）封装步骤；本发提供晶圆级的壳体产量大成本低，适合大规模生产的射频芯片电磁屏蔽封装工艺。

技术研发人员：冯光建;郑赞赞;陈雪平;刘长春;丁祥祥;王永河;马飞;郁发新
受保护的技术使用者：浙江集迈科微电子有限公司
技术研发日：2018.10.10
技术公布日：2019.07.12