半导体装置的制作方法

本说明书所公开的技术涉及半导体装置。

背景技术：

专利文献1所公开的半导体装置具备半导体元件和经由接合材料接合于半导体元件的表面的导热体。在该半导体装置工作时，在半导体元件产生热，该热经由接合材料而传导至导热体。

现有技术文献

专利文献1：国际公开第2011/142013号

在专利文献1的半导体装置中，当在半导体元件产生的热经由接合材料传导至导热体时，接合材料的温度上升。由此，在接合材料产生变形。在接合材料产生的变形有在接合材料的周缘部比在接合材料的中央部大的趋势。因此，有时因变形在接合材料的周缘部产生裂纹。

另外，在半导体装置中，有时具备用于检测半导体元件的温度的温度检测元件。温度检测元件大多形成于半导体元件的表面的中央部。在这样的半导体装置中，若在接合材料的周缘部产生裂纹，则接合材料的周缘部的温度有时会因裂纹的影响而超过预期地上升。这样，接合材料的周缘部的温度上升会对半导体元件的温度产生影响，有时无法高精度地检测半导体元件的温度。

技术实现要素：

因此，本说明书提供一种能够抑制接合材料的周缘部的变形并且能够高精度地检测半导体元件的温度的技术。

本说明书所公开的半导体装置具备：半导体元件；温度检测元件，形成于所述半导体元件的表面的中央部；以及导热体，经由接合材料接合于所述半导体元件的表面。所述接合材料具备位于所述温度检测元件之上的中央部和位于所述中央部的周缘的周缘部。所述导热体具备与所述接合材料的所述中央部接触的金属部和与所述接合材料的所述周缘部接触的石墨部。

根据该结构，在半导体装置工作时，在半导体元件产生热。在半导体元件产生的热经由接合材料而传导至导热体。此时，接合材料的温度上升。在上述的结构中，导热体具备与接合材料的中央部接触的金属部和与接合材料的周缘部接触的石墨部。石墨的导热率比金属的导热率高。因此，当接合材料的温度上升时，接合材料的周缘部的热以较高的导热率传导至导热体的石墨部。由此，能够抑制接合材料的周缘部的温度上升。其结果，能够抑制接合材料的周缘部的变形。另外，能够抑制对半导体元件的温度产生的影响。因此，能够高精度地检测半导体元件的温度。

附图说明

图1是第一实施例的半导体装置的剖视图。

图2是图1的主要部分ii的放大图。

图3是沿与半导体元件的表面正交的方向观察第一实施例涉及的导热体时的图(导热体的背面图)。

图4是第一实施例涉及的各石墨层的立体图。

图5是第一实施例的变形例1涉及的半导体装置的主要部分的剖视图。

图6是第一实施例的变形例2涉及的半导体装置的主要部分的剖视图。

图7是第一实施例的变形例3涉及的半导体装置的主要部分的剖视图。

图8是第一实施例的变形例4涉及的半导体装置的主要部分的剖视图。

图9是第一实施例的变形例5涉及的导热体的侧面的放大图。

图10是沿与半导体元件的表面正交的方向观察第一实施例的变形例5涉及的导热体时的图(导热体的背面图)。

图11是沿与半导体元件的表面正交的方向观察第一实施例的变形例6涉及的导热体时的图(导热体的背面图)。

图12是第二实施例涉及的半导体装置的主要部分的剖视图(与第一实施例的图2对应的图)。

图13是图12的xiii－xiii剖视图。

图14是图12的xiv－xiv剖视图。

图15是第二实施例的变形例1涉及的半导体装置的主要部分的剖视图(与图14对应的图。)。

图16是第二实施例的变形例3涉及的半导体装置的主要部分的剖视图(与第一实施例的图2对应的图)。

图17是第二实施例的变形例4涉及的半导体装置的主要部分的剖视图(与第一实施例的图2对应的图)。

图18是第二实施例的变形例5涉及的半导体装置的主要部分的剖视图(与第一实施例的图2对应的图)。

标号说明

1半导体装置，2半导体元件，3导热体，4中间接合材料，9温度检测元件，21表面，22背面，23表面电极，24背面电极，25元件区域，26周缘区域，31金属部，32石墨部，34凹部，36凹部，41中央部，42周缘部，43金属线，51上侧散热器，52下侧散热器，91阳极区域，92阴极区域，93阳极电极，94阴极电极，95绝缘膜，101密封树脂。

具体实施方式

(第一实施例)

参照附图对实施例涉及的半导体装置1进行说明。如图1所示，第一实施例涉及的半导体装置1具备半导体元件2、中间接合材料4、以及导热体3。另外，半导体装置1具备上侧接合材料61、上侧散热器51、下侧接合材料62、下侧散热器52、以及密封树脂101。

半导体元件2由例如硅(si)、碳化硅(sic)等基板形成。如图2所示，半导体元件2具备元件区域25和周缘区域26。元件区域25形成于半导体元件2的中央部。在元件区域25形成有例如igbt(insulatedgatebipolartransistor；绝缘栅双极晶体管)、mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor；金属氧化物半导体场效应晶体管)等元件构造。在元件构造例如是igbt的情况下，在元件区域25形成有发射极区域、集电极区域、基体(body，基极)区域、漂移区域以及栅极电极等(省略图示)。在元件区域25形成有多个元件构造。此外，图2中省略了密封树脂101的图示。

另外，在半导体元件2的元件区域25形成有温度检测元件9。温度检测元件9形成于元件区域25的中央部。温度检测元件9形成于半导体元件2的表面21的中央部。温度检测元件9例如是二极管。温度检测元件9具备构成二极管的阳极区域91和阴极区域92。温度检测元件9是用于利用二极管的温度特性来检测半导体元件2的温度的元件。预先使流向温度检测元件9的电流恒定，通过测定二极管的正向电压能够检测半导体元件2的温度。在半导体装置1工作时，半导体元件2发热。

在半导体元件2的表面21配置有阳极电极93和阴极电极94。阳极电极93配置于温度检测元件9的阳极区域91上。阳极电极93覆盖阳极区域91。阳极电极93与阳极区域91导通。阴极电极94配置于温度检测元件9的阴极区域92上。阴极电极94覆盖阴极区域92。阴极电极94与阴极区域92导通。电流通过阳极电极93和阴极电极94向温度检测元件9流动。阳极电极93和阴极电极94例如由铝硅合金(alsi)形成。阳极电极93和阴极电极94被绝缘膜95覆盖。阳极电极93和阴极电极94通过绝缘膜95与中间接合材料4绝缘。

阳极电极93以及阴极电极94与省略图示的温度检测装置电连接。形成于半导体元件2的元件区域25的温度检测元件9通过阳极电极93以及阴极电极94而与温度检测装置电连接。温度检测装置通过测定温度检测元件9中的正向电压来检测半导体元件2的温度。

另外，在半导体元件2的表面21配置有多个表面电极23。各表面电极23配置于半导体元件2的元件区域25上。各表面电极23覆盖半导体元件2的元件区域25的表面21。各表面电极23例如由铝硅合金(alsi)形成。各表面电极23例如与形成于半导体元件2的元件区域25的各发射极区域(省略图示)导通。电流通过各表面电极23向各发射极区域流动。

另外，在半导体元件2的背面22配置有背面电极24。背面电极24配置于半导体元件2的元件区域25下。背面电极24覆盖半导体元件2的元件区域25的背面22。背面电极24例如由镍(ni)形成。背面电极24例如与形成于半导体元件2的元件区域25的集电极区域(省略图示)导通。电流通过各背面电极24向集电极区域流动。

半导体元件2的周缘区域26形成于元件区域25的周缘。在周缘区域26例如形成有flr(fieldlimitingring，场限环)等周缘耐压构造。在周缘区域26形成有多个场限环区域28。半导体元件2的表面21由绝缘膜261覆盖。

在半导体元件2上，经由中间接合材料4接合有导热体3。中间接合材料4填充于半导体元件2与导热体3之间。中间接合材料4填充于在z方向上与半导体元件2的元件区域25重叠的位置。中间接合材料4将半导体元件2与导热体3接合。中间接合材料4覆盖配置于半导体元件2的表面21的多个表面电极23。中间接合材料4固定于多个表面电极23。中间接合材料4与表面电极23导通。

作为中间接合材料4，例如能够使用软钎料。软钎料例如是sn系软钎料、sncu系软钎料、zn系软钎料等。另外，作为中间接合材料4，例如能够使用硬钎料。硬钎料例如是ag系硬钎料。

中间接合材料4具备中央部41和周缘部42。中间接合材料4的中央部41填充于在z方向上与温度检测元件9重叠的位置。中央部41覆盖配置于温度检测元件9上的绝缘膜95。中间接合材料4的周缘部42位于中央部41的周缘。周缘部42包围中央部41。周缘部42填充于在z方向上与表面电极23重叠的位置。周缘部42填充于在z方向上不与温度检测元件9重叠的位置。

经由中间接合材料4接合于半导体元件2的表面21的导热体3配置于在z方向上与半导体元件2的元件区域25重叠的位置。导热体3配置于在z方向上与阳极电极93、阴极电极94、以及表面电极23重叠的位置。导热体3配置于在z方向上不与半导体元件2的周缘区域26重叠的位置。导热体3接合于表面电极23。导热体3与表面电极23导通。导热体3配置于半导体元件2与上侧散热器51之间(参照图1)。导热体3具有作为用于确保半导体元件2与上侧散热器51之间的空间的间隔物(spacer)的功能。此外，导热体3的一部分也可以在z方向上与半导体元件2的周缘区域26重叠。

导热体3具备金属部31和石墨部32。金属部31形成为板状。金属部31具有导电性以及热传导性。金属部31例如由铜(cu)形成。铜(cu)的导热率约为390w/m·k。金属部31也可以由铜(cu)以外的金属形成。

导热体3的石墨部32由石墨形成。石墨部32接合于金属部31的背面。石墨部32从金属部31朝下突出。石墨部32接合于金属部31的周缘部。在金属部31的中央部未接合石墨部32。石墨部32例如经由软钎料或者硬钎料等接合材料而接合于金属部31。石墨部32配置于在z方向上与半导体元件2的元件区域25重叠的位置。石墨部32配置于在z方向上与表面电极23重叠的位置。石墨部32配置于在z方向上不与温度检测元件9重叠的位置。石墨部32配置于在z方向上不与阳极电极93以及阴极电极94重叠的位置。石墨部32配置于在z方向上不与半导体元件2的周缘区域26重叠的位置。石墨部32配置于比半导体元件2的周缘区域26靠内侧。石墨部32位于比形成于周缘区域26的多个场限环区域28靠内侧。

图3是沿与半导体元件2的表面21正交的方向(z方向)观察导热体3时的图(导热体3的背面图)。如图3所示，石墨部32沿金属部31的周向延伸。石墨部32沿金属部31的周向设置一周。石墨部32具备第一构件321、第二构件322、第三构件323以及第四构件324。第一构件321和第三构件323沿x方向延伸。第二构件322和第四构件324沿y方向延伸。各构件321、322、323以及324的各两端部被倾斜地切断。

如图2所示，石墨部32与中间接合材料4的周缘部42接触。石墨部32被中间接合材料4的周缘部42覆盖。在中间接合材料4的周缘部42埋入有石墨部32。石墨部32在周向上沿中间接合材料4的周缘部42延伸。石墨部32不与中间接合材料4的中央部41接触。石墨部32包围中间接合材料4的中央部41。被石墨部32包围的中间接合材料4与金属部31的背面接触。中间接合材料4与从石墨部32露出的金属部31的背面接触。中间接合材料4与未接合有石墨部32的部分的金属部31接触。金属部31与中间接合材料4的中央部41接触。

如图3所示，石墨部32具备多个石墨层325。石墨部32通过层叠多个石墨层325而形成。各石墨层325通过层叠多个石墨烯(省略图示)而形成。多个石墨层325沿金属部31的周向层叠。

各石墨层325具有导电性以及热传导性。各石墨层325的导热率根据碳原子的结合关系而具有各向异性。存在导热率较高的方向和导热率较低的方向。如图4所示，石墨层325的面内方向(第一高导热率方向d1以及第二高导热率方向d2)的导热率比面外方向(低导热率方向d3)的导热率高。第一高导热率方向d1以及第二高导热率方向d2的导热率约为800～1900w/m·k。低导热率方向d3的导热率约为3～10w/m·k。第一高导热率方向d1、第二高导热率方向d2、以及低导热率方向d3相互正交。石墨层325的面外方向(低导热率方向d3)是石墨层325的厚度方向。

如图2所示，各石墨层325配置为第一高导热率方向d1沿着z方向(半导体元件2和导热体3排列的方向)。另外，如图3所示，各石墨层325配置为低导热率方向d3沿着金属部31的周向。各石墨层325配置为第二高导热率方向d2沿从金属部31的中央部朝向周缘部的方向。

如图1所示，在导热体3上，经由上侧接合材料61接合有上侧散热器51。上侧接合材料61填充于导热体3与上侧散热器51之间。上侧接合材料61将导热体3与上侧散热器51接合。作为上侧接合材料61，例如能够使用软钎料。软钎料例如是sn系软钎料、sncu系软钎料、zn系软钎料等。另外，作为上侧接合材料61，例如能够使用硬钎料。硬钎料例如是ag系硬钎料。

作为导热体3上的上侧散热器51的材质，例如能够使用铜(cu)或者铝(al)。上侧散热器51具有热传导性以及导电性。上侧散热器51具有释放在半导体元件2产生的热的功能。另外，上侧散热器51具有作为电极的功能。

在上侧散热器51上，经由散热膏(thermalgrease，散热油)81配置有上侧绝缘板71。另外，在上侧绝缘板71上，经由散热膏82配置有上侧冷却器201。散热膏81、82具有热传导性。散热膏81、82例如是在硅中混合填料而成的具有粘性的液体。

上侧绝缘板71具有热传导性。上侧绝缘板71将上侧散热器51与上侧冷却器201绝缘。上侧冷却器201例如是水冷式冷却器。在上侧冷却器201的内部流动有冷却用水。上侧冷却器201经由上侧绝缘板71、上侧散热器51、导热体3等对半导体元件2进行冷却。

在半导体元件2之下，经由下侧接合材料62接合有下侧散热器52。下侧接合材料62填充于半导体元件2与下侧散热器52之间。下侧接合材料62将半导体元件2与下侧散热器52接合。作为下侧接合材料62，例如能够使用软钎料。软钎料例如是sn系软钎料、sncu系软钎料、zn系软钎料等。另外，作为下侧接合材料62，例如能够使用硬钎料。硬钎料例如是ag系硬钎料。

作为半导体元件2之下的下侧散热器52的材质，例如能够使用铜(cu)或者铝(al)。下侧散热器52具有热传导性以及导电性。下侧散热器52具有释放在半导体元件2产生的热的功能。另外，下侧散热器52具有作为电极的功能。

在下侧散热器52之下，经由散热膏83配置有下侧绝缘板72。另外，在下侧绝缘板72之下，经由散热膏84配置有下侧冷却器202。散热膏83、84具有热传导性。散热膏83、84例如是在硅中混合填料而成的具有粘性的液体。

下侧绝缘板72具有热传导性。下侧绝缘板72将下侧散热器52与下侧冷却器202绝缘。下侧冷却器202例如是水冷式冷却器。在下侧冷却器202的内部流动有冷却用水。下侧冷却器202经由下侧绝缘板72、下侧散热器52等对半导体元件2进行冷却。

上述的半导体元件2、导热体3、上侧散热器51以及下侧散热器52由密封树脂101密封。密封树脂101填充于上侧散热器51与下侧散热器52之间。作为密封树脂101的材料，能够使用环氧树脂。除此之外，密封树脂101还可以含有固化剂、应力缓和剂、固化促进剂、填料等。

以上，对第一实施例涉及的半导体装置1进行了说明。从上述的说明可知，半导体装置1具备半导体元件2、形成于半导体元件2的表面21的中央部的温度检测元件9、以及经由中间接合材料4接合于半导体元件2的表面21的导热体3。中间接合材料4具备位于温度检测元件9上的中央部41和位于中央部41的周缘的周缘部42。导热体3具备与中间接合材料4的中央部41接触的金属部31和与中间接合材料4的周缘部42接触的石墨部32。

在该结构中，在半导体装置1工作时，在半导体元件2产生热。在半导体元件2产生的热经由中间接合材料4传导至导热体3。在传导热时，中间接合材料4的温度上升。若中间接合材料4的温度上升，则在中间接合材料4产生变形。在上述的半导体装置1中，导热体3具备与中间接合材料4的中央部41接触的金属部31和与中间接合材料4的周缘部42接触的石墨部32。石墨的导热率比金属的导热率高。因而，在上述的结构中，当中间接合材料4的温度上升时，中间接合材料4的周缘部42的热以较高的导热率传导至与周缘部42接触的导热体3的石墨部32。由于中间接合材料4的周缘部42的热传导至导热率较高的石墨部32，所以能够抑制中间接合材料4的周缘部42的温度上升。结果，当因温度上升而中间接合材料4产生变形时，能够抑制中间接合材料4的周缘部42的变形。另外，由于能够抑制中间接合材料4的周缘部42的温度上升，所以能够降低对半导体元件2的温度产生的影响。因此，能够高精度地检测半导体元件2的温度。

以上，对一个实施例进行了说明，但具体的方式不限定于上述实施例。在以下的说明中，对与上述的说明中的结构相同的结构标注相同的标号并省略说明。

(变形例1)

在第一实施例的变形例1涉及的半导体装置1中，如图5所示，导热体3的金属部31的背面和石墨部32的背面处于相同的高度位置。导热体3的背面成为平坦的状态。石墨部32包围金属部31的下端部。第二实施例涉及的导热体3也可以通过在框型的石墨部32嵌入金属部31来制造。

根据该结构，能够使与导热体3的金属部31接触的中间接合材料4的厚度比上述的第一实施例的结构薄。因此，在半导体元件2产生的热会容易经由中间接合材料4而传导至导热体3。结果，散热性得以提高。确保中间接合材料4的抗裂性。

(变形例2)

在第一实施例的变形例2涉及的半导体装置1中，如图6所示，导热体3的金属部31与石墨部32的接合面35相对于半导体元件2的表面21倾斜。石墨部32的各石墨层325配置成第一高导热率方向d1与倾斜的接合面35正交。石墨部32的各石墨层325配置成第二高导热率方向d2沿着倾斜的接合面35。

(变形例3)

在第一实施例的变形例3涉及的半导体装置1中，如图7所示，导热体3的石墨部32包围金属部31。金属部31与石墨部32处于相同的高度。

(变形例4)

在第一实施例的变形例4涉及的半导体装置1中，如图8所示，在导热体3的石墨部32形成有多个凹部34。各凹部34形成于石墨部32的背面(未与金属部31接合的一侧的面)。各凹部34沿金属部31的周向延伸。在各凹部34填充有中间接合材料4。根据该结构，能够牢固地将导热体3的石墨部32与中间接合材料4接合。能够提高导热体3与中间接合材料4的锚固效果(anchoreffect)。

(变形例5)

在第一实施例的变形例5涉及的半导体装置1中，如图9所示，在导热体3的石墨部32形成有多个凹部36。各凹部36形成于石墨部32的背面(未与金属部31接合的一侧的面)。多个凹部36沿金属部31的周向排列。石墨部32的各凹部36以沿着从金属部31的中央部朝向周缘部的方向的方式延伸。各凹部36将被石墨部32包围的内侧的部分351(参照图10)与未被石墨部32包围的外侧的部分352(参照图10)连接。在多个凹部36填充有中间接合材料4。当中间接合材料4固化时，存在于中间接合材料4内的空气通过凹部36向外侧排出。

(变形例6)

在第一实施例的变形例6涉及的半导体装置1中，如图11所示，导热体3的石墨部32的各构件321、322、323以及324的各两端部未被倾斜地切断。第二构件322和第四构件324从导热体3的y方向的一端部延伸至另一端部。第一构件321和第三构件323配置于第二构件322与第四构件324之间。根据该结构，由于石墨部32的各构件321、322、323以及324的各两端部未被倾斜地切断，所以能够容易制造石墨部32。

(第二实施例)

如图12所示，第二实施例涉及的半导体装置1具备多个金属线43。多个金属线43埋入于中间接合材料4的周缘部42。各金属线43例如由铜(cu)形成。各金属线43也可以由铜(cu)以外的金属形成。各金属线43例如也可以由金(au)或者铝(al)形成。由铜(cu)形成的金属线43的导热率约为398w/m·k。另外，由金(au)形成的金属线43的导热率约为320w/m·k。另外，由铝(al)形成的金属线43的导热率约为238w/m·k。另外，在中间接合材料4是软钎料的情况下，其导热率约为46.5w/m·k。软钎料例如是sncunip。

多个金属线43中的几个金属线固定于导热体3的金属部31。导热体3不具备石墨部32。多个金属线43中的其它几个金属线固定于表面电极23。上侧的多个金属线431固定于导热体3的金属部31。下侧的多个金属线432固定于表面电极23。各金属线43通过球焊(ballbonding)、楔焊(wedgebonding)而固定于导热体3的金属部31或者表面电极23。上侧的多个金属线431埋入于中间接合材料4的上部。下侧的多个金属线432埋入于中间接合材料4的下部。上侧的多个金属线431以一列的方式排列。下侧的多个金属线432以两列的方式排列。在下侧的两列多个金属线432的上端部之间配置有上侧的一列多个金属线431的下端部。

如图13所示，当沿z方向(与半导体元件2的表面21正交的方向)观察时，多个金属线43沿导热体3的金属部31的周向排列。多个金属线43沿中间接合材料4的周缘部42排列。

如图14所示，各金属线43弯曲。上侧的各金属线431的一端部和另一端部固定于导热体3的金属部31。下侧的各金属线432的一端部和另一端部固定于表面电极23。在沿金属部31的周向相邻的上侧的金属线431、431的下端部之间配置有下侧的金属线432的上端部。另外，在沿金属部31的周向相邻的下侧的金属线432、432的上端部之间配置有上侧的金属线431的下端部。

以上，对第二实施例涉及的半导体装置1进行了说明。从上述的说明可知，第二实施例涉及的半导体装置1具备埋入于中间接合材料4的多个金属线43。当沿z方向(与半导体元件2的表面21正交的方向)观察时，多个金属线43沿中间接合材料4的周缘部42排列。

根据该结构，当中间接合材料4的温度上升时，中间接合材料4的周缘部42的热以较高的导热率传导至导热体3。因多个金属线43的存在，热以较高的导热率传导至导热体3。由此，能够抑制中间接合材料4的周缘部42的温度上升。其结果，当因温度上升而在中间接合材料4产生变形时，能够抑制中间接合材料4的周缘部42的变形。另外，由于能够抑制中间接合材料4的周缘部42的温度上升，所以能够降低对半导体元件2的温度产生的影响。因此，能够高精度地检测半导体元件2的温度。另外，利用多个金属线43与中间接合材料4的锚固效果，能够抑制中间接合材料4的周缘部42的变形。

(变形例1)

在第二实施例的变形例1涉及的半导体装置1中，如图15所示，上侧的各金属线431的一端部固定于导热体3的金属部31。上侧的各金属线431的另一端部未固定于导热体3的金属部31。上侧的各金属线431从导热体3的金属部31朝向表面电极23延伸。另外，下侧的各金属线432的一端部固定于表面电极23。下侧的各金属线432的另一端部未固定于表面电极23。下侧的各金属线432从表面电极23朝向导热体3的金属部31延伸。各金属线43例如通过螺柱凸块(studbumping)加工而固定于导热体3的金属部31或者表面电极23。

根据该结构，能够缩短相邻的金属线43、43之间的距离，能够在中间接合材料4的周缘部42的内部配置大量金属线43。由此，热传导性提高，所以能够进一步抑制中间接合材料4的周缘部42的温度上升。

(变形例2)

第二实施例的变形例2涉及的半导体装置1也可以不具备下侧的多个金属线432。即半导体装置1也可以是仅具备上侧的多个金属线431的结构。或者，半导体装置1也可以不具备上侧的多个金属线431。即半导体装置1也可以是仅具备下侧的多个金属线432的结构。

(变形例3)

在第二实施例的变形例3涉及的半导体装置1中，也可以如图16所示，导热体3不具备石墨部32。半导体装置1具备导热体3的石墨部32和下侧的多个金属线432。

在中间接合材料4产生的变形有在半导体元件2侧比在导热体3侧大的趋势。根据在中间接合材料4的下部埋入有金属线432的结构，利用多个金属线432与中间接合材料4的锚固效果，能够抑制中间接合材料4的变形。另外，利用导热体3的石墨部32，能够以较高的导热率传导热，从而能够抑制中间接合材料4的温度上升。

(变形例4)

在第二实施例的变形例4涉及的半导体装置1中，也可以如图17所示，多个金属线43埋入于中间接合材料4的中央部41。下侧的多个金属线432埋入于中间接合材料4的中央部41和周缘部42。根据该结构，能够进一步提高多个金属线432与中间接合材料4的锚固效果。

(变形例5)

在第二实施例的变形例4涉及的半导体装置1中，如图18所示，在导热体3的石墨部32形成有多个凹部34。下侧的金属线432的上端部配置在石墨部32的凹部34内。在各凹部34内配置有各金属线432。此外，在图18的右上示出凹部34的周边的放大图。金属线432与凹部34的内表面间隔开。

以上，对本发明的具体例进行了详细说明，但这些只不过是示例，不用于限定权利要求范围。权利要求范围所记载的技术包括对以上例示出的具体例进行各种变形、变更后的技术方案。在本说明书或者附图中说明的技术要素单独或者通过各种组合来发挥技术实用性，并不限定于申请时权利要求书所记载的组合。另外，在本说明书或者附图中例示出的技术可能同时实现多个目的，实现其中一个目的本身具有技术实用性。