高温退火时保护功率器件金属接触的方法和金属接触结构与流程

本发明涉及一种功率器件，尤其涉及功率器件的肖特基金属。

背景技术：

现有的功率器件其肖特基金属一般有两种制备方法：1.肖特基金属形成后，直接放入退火炉，进行热退火；2.肖特基金属和阳极金属形成后，直接放入退火炉，进行热退火；

功率器件的退火炉存在多种产品共同使用的现象，也就是说，退火炉会存在金属颗粒交叉污染，因此，在退火过程中一方面金属颗粒落在肖特基金属上，导致肖特基接触的势垒改变；另一方面颗粒落在肖特基接触金属上以外的碳化硅表面区域，导致界面态增加；以上两点，均影响器件电特性，导致产品性能不稳定和良率降低。

技术实现要素：

本发明所要解决的主要技术问题是提出一种退火时保护功率器件肖特基金属的方法，防止退火炉等芯片制造机台中存在的颗粒交叉污染，提高欧姆接触或肖特基接触金属、欧姆接触或肖特基接触金属以外的碳化硅表面区域的洁净度，减少器件表面态，让器件的欧姆接触或者肖特基接触更趋于理想状态，提高产品的稳定性和良率。

为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种高温退火时保护功率器件金属接触的方法：在退火前在基底表面以及阳极金属表面沉积一层绝缘介质层，再在绝缘介质层上沉积一层钝化层；在退火后，对所属绝缘介质层和钝化层进行开孔，暴露出所述阳极金属；

所述高温退火的温度在500°以上。

在一较佳实施例中：所述绝缘介质层为sio2。

在一较佳实施例中：所述绝缘介质层的厚度为

在一较佳实施例中：所述钝化层为si3n4。

在一较佳实施例中：所述钝化层的厚度为

本发明还提供了一种功率器件金属接触结构，包括：基底，设置在基底上表面的金属，所述金属的上表面具有阳极金属；所述基底的上表面、金属和阳极金属的表面覆盖有一层绝缘介质层，所述绝缘介质层的上表面还覆盖有一层钝化层；

所述钝化层和绝缘介质层分别具有开孔以暴露所述阳极金属。

在一较佳实施例中：所述绝缘介质层为sio2。

在一较佳实施例中：所述绝缘介质层的厚度为

在一较佳实施例中：所述钝化层为si3n4。

在一较佳实施例中：所述钝化层的厚度为

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：

本发明通过绝缘介质层和钝化层使得退火过程中金属、衬底和阳极金属全部都处在绝缘介质层和钝化层的保护下，因此能够防止退火炉等芯片制造机台中存在的颗粒交叉污染，提高欧姆接触或肖特基接触金属、欧姆接触或肖特基接触金属以外的碳化硅表面区域的洁净度，减少器件表面态，让器件的欧姆接触或者肖特基接触更趋于理想状态，提高产品的稳定性和良率。

附图说明

图1-图4为本发明优选实施例中高温退火时保护功率器件金属接触的方法的实施步骤图。

具体实施方式

下文结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案做进一步说明：

参考图1-4，本实施例提供了一种高温退火时保护功率器件金属接触的方法：所述高温退火的温度在500°以上。

1)通过电子束蒸发、pecvd或者lpcvd等薄膜淀积工艺，在基底的上表面形成一层金属，本实施例中金属与基底之间形成肖特基接触；

2)通过电子束蒸发、pecvd或者lpcvd等薄膜淀积工艺，在金属的上表面形成阳极金属；

3)在衬底的上表面、金属的侧面和阳极金属的上表面和侧面，通过pecvd，形成厚度为的sio2绝缘介质层；

4)在sio2绝缘介质层的上面，通过pecvd，形成厚度为的si3n4钝化层；

5)利用sio2绝缘介质层和si3n4钝化层，对金属和阳极金属形成保护，再放入高温退火炉，进行退火；

6)通过光刻、刻蚀，对钝化层和绝缘介质层开出窗口。

作为本实施例的简单替换，所述金属与基底之间还可以形成欧姆接触。

通过绝缘介质层和钝化层使得退火过程中金属、衬底和阳极金属全部都处在绝缘介质层和钝化层的保护下，因此能够防止退火炉等芯片制造机台中存在的颗粒交叉污染，提高欧姆接触或肖特基接触金属、欧姆接触或肖特基接触金属以外的碳化硅表面区域的洁净度，减少器件表面态，让器件的欧姆接触或者肖特基接触更趋于理想状态，提高产品的稳定性和良率。

经过上述方法后，得到了一种功率器件金属接触结构，包括：基底1，设置在基底上表面的金属2，所述金属2的上表面具有阳极金属3；所述基底1的上表面、金属2和阳极金属3的表面覆盖有一层绝缘介质层4，所述绝缘介质层4的上表面还覆盖有一层钝化层5；

所述钝化层4和绝缘介质层5分别具有开孔以暴露所述阳极金属3。

所述金属2与基底1之间可以形成肖特基接触或者欧姆接触。

以上仅为本发明的优选实施例，但本发明的范围不限于此，本领域的技术人员可以容易地想到本发明所公开的变化或技术范围。替代方案旨在涵盖在本发明的范围内。因此，本发明的保护范围应由权利要求的范围确定。

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种高温退火时保护功率器件金属接触的方法，在退火前在基底表面以及阳极金属表面沉积一层绝缘介质层，再在绝缘介质层上沉积一层钝化层；在退火后，对所属绝缘介质层和钝化层进行开孔，暴露出所述阳极金属；所述高温退火的温度在500°以上。该方法能够防止退火炉等芯片制造机台中存在的颗粒交叉污染，提高欧姆接触或肖特基接触金属、欧姆接触或肖特基接触金属以外的碳化硅表面区域的洁净度，减少器件表面态，让器件的欧姆接触或者肖特基接触更趋于理想状态，提高产品的稳定性和良率。

技术研发人员：陶永洪;高秀秀;蔡文必
受保护的技术使用者：厦门市三安集成电路有限公司
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.05.28