覆晶薄膜型半导体装置的制作方法

本发明涉及覆晶薄膜(cof：chiponfilm)型半导体装置的构造，尤其是涉及双面布线型带式载体(tapecarrier)的特征性的布线设计、和后续的组装工序。

背景技术：

覆晶薄膜型半导体装置例如被使用作为用于驱动便携电话机等的便携式终端装置的显示器的半导体装置。

一般而言，被使用于覆晶薄膜型半导体装置的带式载体，成为在绝缘薄膜上形成有多个布线图案的构造。

图10是示出使用了单面布线型带式载体210的覆晶薄膜型半导体装置200的一例的概略截面图。图11是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图10所示的覆晶薄膜型半导体装置200的概略仰视图。

使用了单面布线型带式载体210的覆晶薄膜型半导体装置200，如图10所示，由绝缘薄膜1、第一布线组1a、第一保护层2a、半导体芯片3以及树脂4构成。第一保护层2a以将第一布线组1a的布线11～111进行绝缘、保护为目的。在半导体芯片3，设有半导体连接端子3a～3a。树脂4以将第一布线组1a的布线11～11和半导体芯片3的半导体连接端子3a～3a之间的接合部10～10进行保护、固定为目的。

关于覆晶薄膜型半导体装置200中所使用的绝缘薄膜1、第一保护层2a、树脂4，多数情形是采用具有光透射性的材料。其理由是，即使是在绝缘薄膜1安装半导体芯片3并密封树脂4之后，也能够从带式载体的与芯片安装面(安装了半导体芯片3的面)相反侧的面，透射而确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态、接合偏差。

关于能够确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态、接合偏差的这件事，为了在产品的生产时制造品质稳定的产品，是非常重要的。

在单面布线型带式载体210的情形，如图10及图11所示，从与芯片安装面相反侧的面，透射绝缘薄膜1。由此，可确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态。因此，在产品的生产时，容易对第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态进行监测。

关于此方面，专利文献1记载有：在带式载体与显示面板的安装中，以在显示面板无引线的去引线部和带式载体的虚拟布线重叠的方式进行安装，从显示面板侧观察带式载体的虚拟布线，而根据各向异性导电薄膜(acf)的压扁情况等来确认acf的连接状态。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-318620号公报

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题

然而，近年来伴随便携电话机等的便携式终端装置的小型化、显示画面的高精细化持续进展，带式载体也被要求小型化、多输出化。

为了对应此，作为谋求多输出化的方法，进行了布线图案的细间距化。但是，在布线加工技术及装配技术存在有极限。因而，现今作为带式载体而使用双面布线型带式载体，由此进行多输出化。

图12是示出使用了双面布线型带式载体310的现有的覆晶薄膜型半导体装置300的一例的概略截面图。图13是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图12所示的覆晶薄膜型半导体装置300的概略仰视图。

使用了双面布线型带式载体310的现有的覆晶薄膜型半导体装置300，如图12及图13所示，为了最大限度地活用双面布线型带式载体310表面上的有效区域，除了图10及图11的构成外，在与芯片安装面相反侧的面包括有第二布线组1b及第二保护层2b。第二保护层2b以对第二布线组1b的布线12～12进行绝缘、保护为目的。第二保护层2b也以与第一保护层2a相同的材料形成。

像这种的双面布线型带式载体310，也在与芯片安装面相反侧的面，形成有第二布线组1b。双面布线型带式载体310，在安装了半导体芯片3后，存在有不具透射性的第二布线组1b的布线12～12。第二布线组1b的布线12～12设置于与接合部10～10的至少一个(此例中为全部)对应的部位(重叠的部位)。因而存在有如下课题，即，第二布线组1b的布线12～12成为障碍，而无法从带式载体的与芯片安装面相反侧的面，确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态。

如所述，在双面布线型带式载体310的与芯片安装面相反侧的与接合部10～10对应的部位存在有第二布线组1b的情形时，无法在生产时监测第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态、接合偏差，因此恐无法提供品质上良好的产品。

本发明鉴于如以上的现有的课题，目的在提供一种覆晶薄膜型半导体装置，其为使用了双面布线型带式载体的覆晶薄膜型半导体装置，能够确实地确认第一布线组的布线与半导体芯片的半导体连接端子之间的接合状态，且由此能提供品质上良好的产品。

解决问题的手段

为了解决上述的课题，本发明的覆晶薄膜型半导体装置，包括：光透射的绝缘薄膜；第一布线组，包括形成在上述绝缘薄膜的第一面上的多个布线；第二布线组，包括形成在上述绝缘薄膜的与上述第一面相反侧的第二面上的多个光不透射的布线；以及半导体芯片，安装于上述第一面上；上述第一布线组的布线与上述半导体芯片的半导体连接端子分别通过接合部而接合，上述覆晶薄膜型半导体装置的特征在于：在上述第二面的、与上述接合部对应的至少一个部位，设有不存在上述第二布线组的布线的非布线区域。

发明效果

根据本发明，能够确实地确认第一布线组的布线与半导体芯片的半导体连接端子之间的接合状态，且由此可提供品质上良好的产品。

附图说明

图1是示出使用了双面布线型带式载体的第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。

图2是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图1所示的覆晶薄膜型半导体装置的概略仰视图。

图3是放大表示图2所示的接合部部分的放大仰视图。

图4是第二实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。

图5是放大表示第三实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的非布线区域及第二布线组部分的放大仰视图。

图6是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察第四实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略仰视图。

图7是放大表示图6所示的非布线区域及第二布线组部分的放大仰视图。

图8是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察第五实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略仰视图。

图9是放大表示图8所示的非布线区域及第二布线组部分的放大仰视图。

图10是示出使用了单面布线型带式载体的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。

图11是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图10所示的覆晶薄膜型半导体装置的概略仰视图。

图12是示出使用了双面布线型带式载体的现有的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。

图13是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图12所示的覆晶薄膜型半导体装置的概略仰视图。

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式一面参照附图一面进行说明。在以下的说明中，对相同的元件标注相同的附图标记。它们的名称以及功能也相同。因此，不重复它们的详细的说明。

〔第一实施方式〕

图1是示出使用了双面布线型带式载体110的第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100的一例的概略截面图。图2是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图1所示的覆晶薄膜型半导体装置100的概略仰视图。

使用了双面布线型带式载体110的本第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100，包括绝缘薄膜1、第一布线组1a(第一布线层)、第二布线组1b(第二布线层)、第一保护层2a、第二保护层2b、半导体芯片3以及树脂4。第一保护层2a形成为覆盖第一布线组1a。第一保护层2a以对第一布线组1a的布线11～11进行绝缘、保护为目的。第二保护层2b以对第二布线组1b的布线12～12进行绝缘、保护为目的。半导体芯片3安装于第一面101上。在半导体芯片3，设有半导体连接端子3a～3a。第一布线组1a的布线11～11与半导体芯片3的半导体连接端子3a～3a分别通过接合部10～10而接合。树脂4以对第一布线组1a的布线11～11与半导体芯片3的半导体连接端子3a～3a之间的接合部10～10进行保护、固定为目的。另外，绝缘薄膜1、第一布线组1a、第二布线组1b、第一保护层2a、第二保护层2b以及树脂4的材质等，为与图12及图13所示的现有者相同，此处省略说明。

在光透射的绝缘薄膜1的第一面101上，形成有包括多个布线11～11的第一布线组1a。在绝缘薄膜1的与第一面101相反侧的第二面102上，形成有包括多个光不透射的布线12～12的第二布线组1b。

而且，在第二面102的、与接合部10～10对应的至少一个部位，设有不存在第二布线组1b的布线12～12的非布线区域5(非布线部)。

根据本实施方式，在第二面102中设于与接合部10～10对应的至少一个部位的非布线区域5，为不存在第二布线组1b的布线12～12的区域。因此，能够从非布线区域5中形成有第二布线组1b的第二面102，确实地确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态。由此，能够提供品质上良好的产品。即，非布线区域5能够设为用于从第二面102透射绝缘薄膜1而辨识至少一个接合部10的区域。

详细而言，第二布线组1b的布线12～12，设置在除了非布线区域5以外的与第一布线组1a的布线11～11对应的部位(重叠的部位)。非布线区域5为用于第二布线组1b的一部分的布线12～12避开一个接合部或连续的两个以上的接合部的区域。在第二面102，以从非布线区域5退避的方式形成有第二布线组1b的布线图案。由此，能够从非布线区域5中形成有第二布线组1b的第二面102，确实地辨识一个接合部或连续的两个以上的接合部(此例中为连续的两个接合部10、10)。因此，能够确实地确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态。

另外，在第二保护层2b的光透射性低而难以确认接合部10～10的情形时，可以和利用高精细的照相机(例如ccd照相机)、高感度的照相机(例如红外线照相机)进行确认的方法组合。通过此方式，能够变得容易辨识接合部10～10。

又，非布线区域5也可以设在多个部位。该情形下，能够从各个的非布线区域5中形成有第二布线组1b的第二面102，确实地辨识一个接合部或连续的两个以上的接合部。

图3是放大表示图2所示的接合部10部分的放大仰视图。如图3所示，在从设置第二布线组1b的薄膜面(第二面102)透射而确认第一布线组1a的情形下，半导体连接端子3a的宽度d1大于被接合的第一布线组1a的布线11的宽度d2。继而，接合部10中，半导体连接端子3a从第一布线组1a的布线11突出而被确认。图3中，将宽度方向h中的两侧的突出量分别记载为α、β。通过确认这些的突出量α、β，能够确认第一布线组1a的布线11是否接合于半导体连接端子3a的宽度方向h中的中央。如果突出量α、β相等，或是突出量α、β的差是容许范围内，则可以判断为第一布线组1a的布线11接合于半导体连接端子3a的中央或大致中央。由此，可确认为未发生位置偏差等的良好的接合状态。

进一步地，也可以进行如以下的接合状态的确认。即，一般而言，半导体连接端子3a可以使用由金(au)构成者。第一布线组1a可以使用在由铜(cu)构成的布线被施予镀锡(sn)者。该情形下，可通过热和压力而形成金(au)与锡(sn)的共晶。由此，能够牢固地连接第一布线组1a的布线11与半导体连接端子3a。此时，根据共晶量的过多，可进行第一布线组1a的布线11与半导体连接端子3a之间的接合状态的判断。

在生产时的监测上，只要通过多个部位的非布线区域5～5来确认多个部位的接合状态，便能进行更稳定的产品的制造。

在此例中，半导体芯片3为长方形状。然而，长方形状的半导体芯片3的长边方向n上的两端附近的接合部10，容易受到半导体芯片3与双面布线型带式载体110之间的热膨胀率的差的影响。继而，容易产生第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a的接合偏差。

因此，非布线区域5优选为设在半导体芯片3的长边方向n上的至少一侧的端部的规定的区域γ1(从端部起规定的距离内侧的区域)的与一个或两个以上的接合部10对应的部位。通过此方式，能够在半导体芯片3的长边方向n上的端部附近确认接合状态。由此，能够在长方形状的半导体芯片3的长边方向n上的两端附近确实地确认容易受到热膨胀率的差的影响的接合部10的接合状态。又，非布线区域5优选为设在长边方向n上的中央部的规定的区域γ2(包含中央的区域)(参照图2)的与一个或两个以上的接合部10对应的部位。通过此方式，能够在半导体芯片3的长边方向n上的中央附近确认接合状态。由此，能够掌握(推测)接合部10～10整体的接合状态。

图2所示的例子中，以虚线表示的半导体芯片3中，接合部10～10沿着长边并排设置。非布线区域5～5设在半导体芯片3的长边方向n上的两端部的规定的区域γ1、γ1与中央部的规定的区域γ2。

半导体芯片3的长边方向n上的两端部的规定的区域γ1、γ1中至少一侧的非布线区域5，优选为以能够确认最接近半导体芯片3的短边的接合部10的方式进行设置。

图2所示的例子中，右端的非布线区域5设置成能够确认距半导体芯片3的短边最近的接合部10和第二近的接合部10。左端的非布线区域5设置成能够确认距半导体芯片3的短边第二近的接合部10和第三近的接合部10。

此例中，虽为能够确认距半导体芯片3的短边第一及第二近的接合部10、10、以及第二及第三近的接合部10、10，但确认部分只要是两端附近，则并不特别地限定。例如，非布线区域5优选为设在从半导体芯片3的长边方向n上的至少一侧的端算起接合部10为十个以内的部位，或者，从半导体芯片3的长边方向n上的至少一侧的端算起半导体芯片3的长边的长度l(参照图2)的1/10以内的部位。

〔第二实施方式〕

图4是第二实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100的一例的概略截面图。

第二实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100，如图4所示，为在第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100中，设置了使第二保护层2b的非布线区域5的部位开口的开口部6。

第二保护层2b在非布线区域5～5被开口。由此，能够从非布线区域5中形成有第二布线组1b的第二面102，更确实地确认一个接合部或连续的两个以上的接合部(此例中为连续的两个接合部10、10)。

如所述，通过在非布线区域5设置开口部6，作为为了确认接合部10而相关连的部件仅为透射性高的绝缘薄膜1及树脂4。因此，能够不使用高光度、高精细的照相机(例如ccd照相机)、高感度的照相机(例如红外线照相机)而确实地确认接合部10～10。

〔第三实施方式〕

图5是放大表示第三实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100的一例的非布线区域5及第二布线组1b部分的放大仰视图。

如图5所示，非布线区域5在可确认接合部10、10的附近弯曲形成第二布线组1b的布线12～12。通过此方式，能够无需设置虚拟布线、未布线区域，而最大限度地设置有效端子。

图5所示的例子中，示出为了避开非布线区域5而使布线12～12弯曲的第二布线组1b的一例。详细而言，第二布线组1b的布线12～12，使在非布线区域5的周边的间距pa～pa比其以外的间距pb～pb狭窄。该情形下，例如，可使各间距pa～pa的尺寸为相同或者大致相同以及/或者不同的尺寸。可使各间距pb～pb的尺寸为相同或者大致相同尺寸。

〔第四实施方式〕

图6是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察第四实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100的一例的概略仰视图。图7是放大表示图6所示的非布线区域5及第二布线组1b部分的放大仰视图。

如图6及图7所示，至少与半导体芯片3对应的第二布线组1b的布线12～12，形成为呈直线状彼此平行或大致平行。而且，第二布线组1b的布线12～12中形成非布线区域5的布线12a、12a的间距pc(参照图7)，比不形成非布线区域5的布线12b～12b的间距pd～pd(参照图7)宽。通过此方式，虽不形成非布线区域5的布线12b～12b整体的间距pd～pd狭窄，但能够使如第三实施方式般用于避开非布线区域5的布线12～12弯曲的部分消失，由此，能够容易进行布线作成时的蚀刻。

图6及图7所示的例子中，示出为了避开非布线区域5而使布线12～12整体于长边方向n平行移动后的第二布线组1b的一例。详细而言，第二布线组1b的布线12～12，以不布线于非布线区域5的方式，使与非布线区域5相邻的两个布线12a、12a的间距pc比其以外的(不与非布线区域5相邻的)布线12b～12b的间距pd～pd宽。该情形下，例如，可使各间距pd～pd的尺寸为相同或者大致相同尺寸。可使布线12a与布线12b之间的间距pe的尺寸为与间距pd的尺寸相同或者大致相同尺寸。

〔第五实施方式〕

图8是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察第五实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100的一例的概略仰视图。图9是放大表示图8所示的非布线区域5及第二布线组1b部分的放大仰视图。

图8所示的覆晶薄膜型半导体装置100，为在第四实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100中，增加了虚拟布线7。

然而，如形成非布线区域5的布线12a、12a的间距pc，当在布线12～12的间距具有宽广的部分时，恐有对布线12～12上的第二保护层2b施加应力而在第二保护层2b产生裂缝等的情况。因此，第五实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100中，在形成非布线区域5的布线12a、12a间(具体而言为中央部)的除了非布线区域5以外的区域设有虚拟布线7。通过此方式，能够使施加在布线12～12上的第二保护层2b的应力分散。由此，能够抑制第二保护层2b的裂缝等的产生。

〔其他实施方式〕

第一布线组1a及第二布线组1b的布线图案，并不限定于第一实施方式至第五实施方式，可采用其他各种的布线图案。

本发明不限定于以上已说明的实施方式，可以其他各式各样的方式来实施。因此，本案的实施方式在所有的方面只不过仅是示例，不可限定性地进行解释。本发明的范围是通过权利要求来表示，说明书本文中不做任何拘束。进而，属于权利要求的等同范围的变形、变更，均为本发明的范围内。

附图标记说明

1绝缘薄膜

1a第一布线组

1b第二布线组

2a第一保护层

2b第二保护层(保护层的一例)

3半导体芯片

3a半导体连接端子

4树脂

5非布线区域

6开口部

7虚拟布线

11布线

12布线

12a布线

12b布线

10接合部

100覆晶薄膜型半导体装置

101第一面

102第二面

110双面布线型带式载体

200覆晶薄膜型半导体装置

210单面布线型带式载体

300现有的覆晶薄膜型半导体装置

310双面布线型带式载体

h宽度方向

l长度

n长边方向

pa间距

pb间距

pc间距

pd间距

d1宽度

d2宽度

α突出量

β突出量

γ1规定的区域

γ2规定的区域