一种阵列基板及显示面板的制作方法

本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术：

已知，液晶显示器包括显示面板与背光模组。显示面板由一彩膜基板、一阵列基板以及一设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层构成。其工作原理是通过施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

阵列基板通常采用薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)等半导体器件作为像素单元是否接收图像数据的开关元件。众所周知，薄膜晶体管需要通过半导体材料作为导电沟道，而显示面板中均有光线的传送。然而，半导体材料在接收到光照时容易产生光电效应，当导电沟道内的半导体材料产生光电效应时将会对薄膜晶体管的开关特性产生影响。因此，显示面板中对应薄膜晶体管导电沟道的位置会设置有遮光层。但是遮光层需要一道单独的工艺来制备，进而增加了阵列基板的生产成本。

技术实现要素：

本申请提供了一种显示面板及其制作方法，以解决现有阵列基板的制作成本较高的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

根据本申请的一个方面，提供了一种阵列基板，包括:

衬底；

设置于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括中间的第一金属单元以及两端的第二金属单元和第三金属单元；

设置于所述第一金属层上的第一绝缘层；

设置于所述第一绝缘层上的有源层，所述有源层包括中间的沟道区以及两端的源极掺杂区和漏极掺杂区；

设置于所述有源层上的第二绝缘层；

设置于所述第二绝缘层上的第二金属层；

其中，所述第一金属单元与所述第二金属单元和所述第三金属单元中的至多一者连接，所述第一金属单元与所述沟道区相对设置用以实现所述沟道区的遮光，所述第二金属单元和所述第三金属单元分别与所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区连接。

根据本申请一种实施例，所述第一金属单元为遮光金属，所述第二金属单元为源极金属，所述第三金属单元为漏极金属。

根据本申请一种实施例，所述第一绝缘层内设置有第一过孔和第二过孔，所述源极掺杂区通过第一过孔与所述第二金属单元连接，所述漏极掺杂区通过所述第二过孔与所述第三金属单元连接。

根据本申请一种实施例，所述第二金属层包括栅极金属，所述栅极金属与所述沟道区相对设置。

根据本申请一种实施例，所述有源层还包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区设置于所述源极掺杂区域所述沟道区之间，所述第二轻掺杂区设置于所述漏极掺杂区域所述沟道区之间。

根据本申请一种实施例，所述阵列基板还包括：

设置于所述第二金属层上的平坦化层；

设置于所述平坦化层上的第一透明电极层；

设置于所述第一透明电极层上的钝化层；以及

设置于所述钝化层上的第二透明电极层。

根据本申请一种实施例，所述阵列基板上设置有第三过孔，所述第三过孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层；

其中，所述第二透明电极层通过所述第三过孔与所述第三金属单元相连。

根据本申请一种实施例，所述第一透明电极层与所述第二透明电极层相互绝缘设置。

根据本申请一种实施例，所述第一金属单元、所述第二金属单元和所述第三金属单元在同一道光罩工艺中制备。

根据本申请另一个方面，还提供了一种显示面板，所述显示面板包括背光模组和上述阵列基板。

有益效果：本申请通过将遮光金属、源极金属和漏极金属集成在同一道膜层中，不仅能够节省一绝缘层，而且能够减少一道光罩，降低了产品的生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图2为本申请第二实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图3为本申请第三实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请提供了一种显示面板及其制作方法，以解决现有阵列基板的制作成本较高的问题。

请参阅图1，图1为本申请第一实施例提供的阵列基板100的结构示意图。

请参阅图3，图3为本申请第三实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图。

根据本申请的一个方面，提供了一种阵列基板100，包括衬底11、第一金属层12、第一绝缘层13、有源层14、第二绝缘层15以及第二金属层16。

在一种实施例中，所述衬底11为柔性衬底和刚性衬底中的其中一者。

所述第一金属层12设置于所述衬底11上。所述第一金属层12包括中间的第一金属单元121以及两端的第二金属单元122和第三金属单元123。

在一种实施例中，所述第一金属单元121为用以为所述有源层14中沟道区141提供遮光保护的遮光金属，所述第二金属单元122为源极金属，所述第三金属单元123为漏极金属。

在一种实施例中，所述第一金属层12的制备材料为钼。

在一种实施例中，所述第一金属层12、所述第二金属层16和所述第三金属层的制备材料相同。

在一种实施例中，所述第一金属层12、所述第二金属层16和所述第三金属层在同一道光罩工艺中制备。进而达到节省一道光罩工艺的效果。

在一种实施例中，所述第一金属单元121至多与所述第二金属单元122和第三金属单元123中的其中一者相连。进而防止第二金属单元122与所述第三金属单元123互相连接发生短路。

在一种实施例中，所述第一金属单元121、所述第二金属单元122和所述第三金属单元123之间相互绝缘。

在一种实施例中，所述第一金属单元121与所述第二金属单元122连接并与所述第三金属单元123绝缘。

在一种实施例中，所述第一金属单元121与所述第三金属单元123连接并与所述第二金属单元122绝缘。

所述第一绝缘层13设置在所述第一金属层12上。

在一种实施例中，所述第一绝缘层13的制备材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一者。

在一种实施例中，所述第一绝缘层13包括氧化硅层和氮化硅层。

所述有源层14设置在所述第一绝缘层13上。所述有源层14包括中间的沟道区141以及设置在所述沟道区141两端的源极掺杂区142和漏极掺杂区143。

在一种实施例中，所述沟道区141与所述第一金属单元121相对设置。

在一种实施例中，所述有源层14还包括第一轻掺杂区144和第二轻掺杂区145，所述第一轻掺杂区144设置于所述源极掺杂区142域所述沟道区141之间，所述第二轻掺杂区145设置于所述漏极掺杂区143域所述沟道区141之间。所述第一轻掺杂区144和所述第二轻掺杂区145的存在能够增强薄膜晶体管的电学特性。

在一种实施例中，所述第二绝缘层15设置在所述有源层14上。

在一种实施例中，所述第二绝缘层15的材料包括氮化硅。

在一种实施例中，所述第二金属层16设置在所述第二绝缘层15上。

在一种实施例中，所述第二金属层16包括栅极金属。

其中，所述第一金属单元121与所述沟道区141相对设置用以实现所述沟道区141的遮光，所述第二金属单元122和所述第三金属单元123分别于所述源极掺杂区142和所述漏极掺杂区143连接。

本申请将源极金属和漏极金属设置在所述有源层14的下方，通过上述方案能够将阵列基板100中遮光金属和源极金属、漏极金属设置集成在同一膜层中，将多晶硅层通过在第一绝缘层13中挖孔与所述源极金属和所述漏极金属连接，从而能够省掉一层绝缘层，达到省光罩的效果。

在一种实施例中，所述第一绝缘层13内设置有第一过孔131和第二过孔132，所述源极掺杂区142通过第一过孔131与所述第二金属单元122连接，所述漏极掺杂区143通过所述第二过孔132与所述第三金属单元123连接。

请参阅图2，图2为本申请第二实施例提供的阵列基板100的结构示意图。

在一种实施例中，所述阵列基板100还包括设置在所述第二金属层16上的平坦化层17、第一透明电极层18、钝化层19以及第二透明电极层20。

在一种实施例中，所述阵列基板100上设置有第三过孔21，所述第三过孔21贯穿所述钝化层19、所述平坦化层17、所述第二绝缘层15和所述第一绝缘层13；

其中，所述第二透明电极层20通过所述第三过孔21与所述第三金属单元123相连。

在一种实施例中，所述第一透明电极层18与所述第二透明电极层20相互绝缘设置。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种显示面板，所述显示面板包括背光模组和阵列基板100，所述阵列基板100包括:

衬底11；

设置于所述衬底11上的第一金属层12，所述第一金属层12包括中间的第一金属单元121以及两端的第二金属单元122和第三金属单元123；

设置于所述第一金属层12上的第一绝缘层13；

设置于所述第一绝缘层13上的有源层14，所述有源层14包括中间的沟道区141以及两端的源极掺杂区142和漏极掺杂区143；

设置于所述有源层14上的第二绝缘层15；

设置于所述第二绝缘层15上的第二金属层16；

其中，所述第一金属单元121与所述第二金属单元122和所述第三金属单元123中的至多一者连接，所述第一金属单元121与所述沟道区141相对设置用以实现所述沟道区141的遮光，所述第二金属单元122和所述第三金属单元123分别与所述源极掺杂区142和所述漏极掺杂区143连接。

在一种实施例中，所述第一金属单元121为遮光金属，所述第二金属单元122为源极金属，所述第三金属单元123为漏极金属。

在一种实施例中，所述第一绝缘层13内设置有第一过孔131和第二过孔132，所述源极掺杂区142通过所述第一过孔131与所述第二金属单元122连接，所述漏极掺杂区143通过所述第二过孔132与所述第三金属单元123连接。

在一种实施例中，所述第二金属层16包括栅极金属，所述栅极金属与所述沟道区141相对设置。

在一种实施例中，所述有源层14还包括第一轻掺杂区144和第二轻掺杂区145，所述第一轻掺杂区144设置于所述源极掺杂区142域所述沟道区141之间，所述第二轻掺杂区145设置于所述漏极掺杂区143域所述沟道区141之间。

在一种实施例中，所述阵列基板100还包括：

设置于所述第二金属层16上的平坦化层17；

设置于所述平坦化层17上的第一透明电极层18；

设置于所述第一透明电极层18上的钝化层19；以及

设置于所述钝化层19上的第二透明电极层20。

在一种实施例中，所述阵列基板100上设置有第三过孔21，所述第三过孔21贯穿所述钝化层19、所述平坦化层17、所述第二绝缘层15和所述第一绝缘层13；

其中，所述第二透明电极层20通过所述第三过孔21与所述第三金属单元123相连。

在一种实施例中，所述第一透明电极层18与所述第二透明电极层20相互绝缘设置。

在一种实施例中，所述第一金属单元121、所述第二金属单元122和所述第三金属单元123在同一道光罩工艺中制备。

有益效果：本申请通过将遮光金属、源极金属和漏极金属集成在同一道膜层中，不仅能够节省一绝缘层，而且能够减少一道光罩，降低了产品的生产成本。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。