显示设备的制作方法

本申请要求2017年12月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0170509号的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。

本发明的示例性实施方式涉及一种显示设备。

背景技术：

显示设备可包括显示元件以及控制施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件可包括薄膜晶体管(tft)、电容器和多条布线。电子元件可通过它们之间的绝缘层彼此电绝缘，或可通过在绝缘层中形成的接触孔彼此电连接。

技术实现要素：

显示设备的电子元件之间的绝缘层可与电子元件的导电层反应，从而形成非预期的层(例如，取决于绝缘层的材料)。对于用户而言，这种非预期的层可表现为污点。

根据本发明的示例性实施方式的显示设备可防止在导电层与绝缘层之间形成层，这可提高生成的图像的质量。

根据本发明的示例性实施方式，显示设备包括基板，所述基板包括显示区域和显示区域外部的周围区域。电路单元设置在显示区域中并且包括半导体层。绝缘层在半导体层上。导电层通过绝缘层中的接触孔与半导体层连接。导电层包括下层，所述下层包括金属氮化物，所述金属氮化物包括第一金属。显示元件设置在电路单元上并且包括与导电层电连接的像素电极。连接层设置在导电层之下以与接触孔对应。连接层包括第二金属。

绝缘层可包括有机绝缘层。

导电层的下表面的一部分可与绝缘层的上表面直接接触。

显示设备可包括位于接触孔的内壁的至少一部分上的侧面层。侧面层可包括第二金属。

下层可包括氮化钛、氮化钽、氮化铌和氮化钨中的至少一种。

导电层可包括设置在下层上的金属层。

金属层可包括mo、al、cu和ti中的至少一种。

金属层的厚度可大于下层的厚度。

下层的厚度可为约或更大。

连接层可为包括第二金属的金属硅化物层。

显示元件可包括有机发光二极管。

根据本发明的示例性实施方式，显示设备包括基板，所述基板包括显示区域和显示区域外部的周围区域。电路单元设置在显示区域中。电路单元包括半导体层、导电层和有机绝缘层。导电层的下部与有机绝缘层直接接触。导电层的下部包括金属氮化物。显示元件设置在电路单元上，并且包括与导电层电连接的像素电极。

导电层的下表面的一部分可与有机绝缘层直接接触。

导电层可包括金属氮化物层和设置在金属氮化物层上的金属层。

金属氮化物层可包括氮化钛、氮化钽、氮化铌和氮化钨中的至少一种。

金属层可包括mo、al、cu和ti中的至少一种。

导电层可包括金属层上的覆盖层。

金属氮化物层的厚度可为约或更大。

金属层的厚度可大于金属氮化物层的厚度。

导电层可通过有机绝缘层中的接触孔与半导体层连接。

显示设备可包括设置在导电层的下部之下的金属硅化物层。

显示设备可包括覆盖接触孔的内壁的至少一部分的侧面层。包含在侧面层中的金属与包含在金属硅化物层中的金属相同。

导电层可通过有机绝缘层中的接触孔接触设置在有机绝缘层之下的金属元件。

电路单元可包括存储电容器。金属元件可为存储电容器的电极。

电路单元可包括薄膜晶体管。数据线和驱动电压线可与薄膜晶体管电连接。导电层可为数据线或驱动电压线中的一种。

附图说明

通过参考附图具体描述本发明的示例性实施方式，本发明的更全面理解将变得更显而易见，其中：

图1为根据本发明的示例性实施方式的显示设备的平面图；

图2为位于根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域中的一个像素的等效电路图；

图3为根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图；

图4至图9为根据本发明的示例性实施方式，在显示设备的制造工艺中形成导电层中的数据线的工艺的截面图；

图10是根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图；并且

图11是根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图。

具体实施方式

下面，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施方式。就此而言，示例性实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文描述的本发明的示例性实施方式。

在整个说明书和附图中，相同的附图标记可表示相同的元件。

应理解，尽管术语“第一”和“第二”可在本文中用来描述各种组件，但这些组件不应该被这些术语限制。

如本文中使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”、“所述”也可包括复数形式，除非上下文清楚地另外指出。

应理解，当诸如层、膜、区域或板的组件被指在另一组件“上”时，该组件可直接在另一组件上，或可存在中间组件。

为了描述的清楚，可放大附图中元件的尺寸。

当某一实施方式可被不同地实现时，特定工艺顺序可以不同于所描述的顺序执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行，或以与所描述的顺序相反的顺序(或与所描述的顺序不同的其他方式)执行。

应理解，当层、区域或组件被指与另一层、区域或组件“连接”时，其可与另一层、区域或组件直接连接，或可与另一层、区域或组件间接连接，其他层、区域或组件设置在它们之间。

显示设备可显示图像。显示设备的例子可包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。

下面主要描述作为例子的有机发光显示器。然而，根据本发明的示例性实施方式的显示设备并不限于此，并且可使用各种类型的显示设备。

图1为根据本发明的示例性实施方式的显示设备的平面图。

参考图1，显示设备可包括基板100。基板100可包括显示区域da和显示区域da外部的周围区域pa。作为例子，周围区域pa可围绕显示区域da(例如，当在沿着与基板100的上表面正交的方向的平面图中观察时)。周围区域pa可具有围绕显示区域da基本上均匀的宽度；然而，本发明的示例性实施方式并不限于此。诸如有机发光二极管(oled)的显示元件可设置在基板100的显示区域da中。基板100的周围区域pa可为不显示图像的非显示区域。传输待施加至显示区域da的电信号的布线可位于周围区域pa中。作为例子，下面更详细地描述了包括oled作为显示元件的显示设备。然而，本发明的示例性实施方式并不限于此。

图2为位于根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域中的一个像素p的等效电路图。图2图示了其中像素p包括oled的例子。

参考图2，像素p可包括第一薄膜晶体管(tft)t1、第二tftt2、存储电容器cst和oled。

第二tftt2可为开关tft，并且可与扫描线sl和数据线dl连接。第二tftt2可响应于来自扫描线sl的开关电压输入，将来自数据线dl的数据电压输入传递到第一tftt1。

存储电容器cst可与第二tftt2和驱动电压线pl连接，并且可存储对应于从第二tftt2传递的电压与通过驱动电压线pl供给的电压elvdd之间的差的电压。

第一tftt1可为驱动tft，可与驱动电压线pl和存储电容器cst连接，并且可响应于存储在存储电容器cst中的电压控制从驱动电压线pl流过oled的驱动电流id。oled可通过使用驱动电流id发射具有预设亮度的光。例如，oled可发射红光、绿光、蓝光或白光。

作为例子，参考图2描述了包括两个tft和一个存储电容器的像素p的电路单元；然而，本发明的示例性实施方式并不限于此。因此，高质量图像可由根据本发明的示例性实施方式的、具有不同设计的与像素p的oled连接的电路单元的显示设备显示。例如，像素p可包括三个或更多个tft和/或两个或更多个存储电容器。

图3为根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图。图3为沿着图1的线i-i'截取的显示区域的截面图。

参考图3，缓冲层101可设置在基板100上。基板100可包括各种柔性、可卷曲和可弯曲的材料(例如聚合物树脂)。例如，基板100可包括聚合物，诸如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或聚酰亚胺。

缓冲层101可阻挡异物或湿气穿透基板100。例如，缓冲层101可包括无机绝缘材料，诸如，siox(x>0)、sinx(x>0)和/或sion。缓冲层101可具有单层结构或多层结构。

第一tft210和第二tft220可分别包括第一半导体层211和第二半导体层221以及第一栅电极215和第二栅电极225。

第一半导体层211和第二半导体层221可设置在缓冲层101上，并且可包括非晶硅或多晶硅。第一半导体层211可包括第一沟道区211a，以及分别位于第一沟道区211a相对侧的第一源区211b和第一漏区211c。第二半导体层221可包括第二沟道区221a，以及分别位于第二沟道区221a相对侧的第二源区221b和第二漏区221c。第一源区211b和第二源区221b，以及第一漏区211c和第二漏区221c可分别掺杂有比第一沟道区211a和第二沟道区221a的杂质浓度更高的杂质。杂质可包括n型杂质或p型杂质。

第一栅电极215和第二栅电极225可分别与第一半导体层211和第二半导体层221重叠，栅绝缘层103置于它们之间。第一栅电极215和第二栅电极225可沿着与基板100的上表面正交的方向分别与第一半导体层211和第二半导体层221重叠。例如，第一栅电极215可与第一半导体层211的第一沟道区211a重叠，并且第二栅电极225可与第二半导体层221的第二沟道区221a重叠。栅绝缘层103可包括无机绝缘层，诸如，siox(x>0)、sinx(x>0)和/或sion。栅绝缘层103可具有单层结构或多层结构。

存储电容器230可包括第一电极231和第二电极232。在本发明的示例性实施方式中，第一电极231可包括与第一半导体层211和第二半导体层221相同的材料，并且第二电极232可包括与第一栅电极215和第二栅电极225相同的材料。

作为例子，栅绝缘层103可基本上完全覆盖基板100；然而，本发明的示例性实施方式并不限于此。栅绝缘层103可在与第一栅电极215和第二栅电极225以及第二电极232相同的掩模工艺期间形成。因此，栅绝缘层103可被图案化以与第一栅电极215和第二栅电极225以及第二电极232重叠。

根据本发明的示例性实施方式，第一半导体层211、第二半导体层221和第一电极231中的每个可设置在基板100上(例如，缓冲层101置于它们之间)。栅绝缘层103可共形地设置在缓冲层101的上表面以及第一半导体层211、第二半导体层221和第一电极231中的每个的上表面上。第一栅电极215和第二栅电极225可设置在栅绝缘层103上。因此，第一栅电极215和第二栅电极225可与栅绝缘层103直接接触。

根据本发明的示例性实施方式，第一栅电极215可与基板100上方的第一沟道区211a对齐(例如，沿着与基板100的上表面正交的方向)。第二栅电极225可与第二沟道区221a对齐(例如，沿着与基板100的上表面正交的方向)。

根据本发明的示例性实施方式，第一栅电极215可与其相邻的第三接触孔107h3隔开，并且第二栅电极225可与其相邻的第一接触孔107h1隔开。

第一tft210和第二tft220可被第一绝缘层107覆盖。第一绝缘层107可为有机绝缘层。第一绝缘层107可为可基本完全覆盖显示区域da(见，例如图1)的绝缘层。与无机绝缘层相比，包括有机绝缘层的第一绝缘层107可为相对柔性的(例如，第一绝缘层107可相对强的抵抗应力)，并且因此显示区域da(见，例如图1)可被卷绕、弄弯或弯曲。作为例子，显示区域da可基本上以弯曲状态固定。第一绝缘层107可包括诸如基于酰亚胺的聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物，或具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物，或它们的共混物。在本发明的示例性实施方式中，第一绝缘层107可包括聚酰亚胺。

数据线310可设置在第一绝缘层107上，并且可与第二tft220电连接。例如，数据线310可通过限定在第一绝缘层107中的第一接触孔107h1与第二半导体层221的一部分，例如，第二源区221b连接。与第二半导体层221的第二源区221b连接的数据线310可为第二tft220的源电极的一部分。

驱动电压线330可设置在第一绝缘层107上。驱动电压线330可通过第一绝缘层107中形成的第二接触孔107h2与存储电容器230的第二电极232连接。驱动电压线330可提供预设水平的电压，例如，驱动电压elvdd(见，例如图2)。

连接导体350可设置在第一绝缘层107上，并且可将第一tft210与像素电极510电连接。连接导体350可称为导电层。例如，连接导体350可通过限定在第一绝缘层107中的第三接触孔107h3与半导体层，例如，第一半导体层211的第一漏区211c连接。像素电极510可通过第二绝缘层109中形成的接触孔109h与连接导体350连接。与第一半导体层211的第一漏区211c连接的连接导体350可为第一tft210的漏电极的一部分。

诸如数据线310、驱动电压线330和连接导体350的导电层可基本被第二绝缘层109覆盖。第二绝缘层109可为有机绝缘层，并且可包括例如，诸如基于酰亚胺的聚合物、pmma或ps的通用聚合物，或具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物，或它们的共混物。

像素电极510可设置在第二绝缘层109上(例如，在第二绝缘层109的上表面上)，并且可与包括设置在基板100之上的上述导电层的电路单元电连接。包括暴露像素电极510的开口的像素限定层130可设置在像素电极510上。像素限定层130可通过增加像素电极510的边缘与对电极530之间的距离，来防止在像素电极510与对电极530之间发生电弧。像素限定层130可包括例如有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅醚(hmdso)。

中间层520可包括相对低分子量的材料或聚合物材料。当中间层520包括相对低分子量的材料时，中间层520可具有其中堆叠空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml1)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)的结构。当中间层520包括聚合物材料时，中间层520可通常具有包括htl和eml1的结构。中间层520的结构不限于上述结构，并且可具有各种结构。例如，中间层520的至少一层可具有一个主体以基本上完全覆盖显示区域da(见，例如图1)。例如，中间层520的至少一层可基本上覆盖像素限定层130的上表面。

对电极530可设置在中间层520上，并且可基本上完全覆盖显示区域da(见，例如图1)。在本发明的示例性实施方式中，从包括像素电极510、中间层520和对电极530的oled500发射的光可在远离基板100的方向上(例如，在平面图中)被观察到，例如，从通过对电极530的具有透光性的外部被观察到。然而，本发明的示例性实施方式并不限于此。在本发明的示例性实施方式中，从oled500发射的光可从通过基板100的外部被观察到。

第一绝缘层107上的导电层的下部可包括金属氮化物。例如，数据线310、驱动电压线330和连接导体350的各自下部可为包括金属氮化物的最低层。诸如数据线310、驱动电压线330和连接导体350的导电层可各自具有多层结构，并且多层结构的最底层可为金属氮化物层。例如，数据线310、驱动电压线330和连接导体350各自可包括作为下层ul1的最底层。

诸如数据线310、驱动电压线330和连接导体350的导电层的下层ul1可包括金属氮化物层，并且金属层ml1可设置在下层ul1上。金属层ml1可基本上被覆盖层cl1覆盖。下层ul1、金属层ml1和覆盖层cl1各自可包括对应于第一绝缘层107的上表面的第一部分、对应于接触孔的底部的第二部分和对应于接触孔的侧表面的第三部分。

下层ul1可为包括第一金属的金属氮化物层。第一金属可包括ti、ta、nb或w中的至少一种，并且因此下层ul1可包括氮化钛、氮化钽、氮化铌或氮化钨中的至少一种。金属层ml1可包括具有相对小电阻的金属，诸如，mo、al、cu或ti。覆盖层cl1可包括与金属层ml1中包括的金属不同的金属，并且可防止金属层ml1被损坏或氧化。在本发明的示例性实施方式中，下层ul1、金属层ml1和覆盖层cl1可为tin/al/ti，然而，本发明的示例性实施方式并不限于此。

导电层的下层ul1可与设置在其下方的第一绝缘层107(例如，第一绝缘层107可包括有机绝缘层)直接接触。下层ul1的底部表面可与第一绝缘层107的上表面直接接触。当下层ul1包括金属氮化物层时，其可防止金属与有机绝缘层中包括的氧偶联，并且可防止形成氧化层。作为比较例，在导电层的下层为钛层的情况下，钛可与作为有机绝缘层的第一绝缘层107的氧偶联，并且可形成钛氧化层。钛氧化层可保留在第一绝缘层107上，并且可被用户视为污点。根据本发明的示例性实施方式，包括金属氮化物层的下层ul1可通过形成与第一绝缘层107直接接触的导电层的下层ul1来防止氧化层的形成或使氧化层的形成最小化。

下层ul1的厚度可为约或更大。在下层ul1的厚度小于的情况下，可从外部观察到污点。在下层ul1的厚度为约或更大的情况下，可防止从外部观察到污点(见，例如下面的表1)。金属层ml1和覆盖层cl1的厚度可大于下层ul1的厚度，并且金属层ml1的厚度可大于覆盖层cl1的厚度。金属层ml1的厚度可是数千并且覆盖层cl1的厚度可是数百

表1

上述导电层中的驱动电压线330可通过第一绝缘层107的第二接触孔107h2与第一绝缘层107之下的导体，例如，第二电极232连接。例如，驱动电压线330的下层ul1可通过第二接触孔107h2与存储电容器230的第二电极232直接接触。

上述导电层中的至少一个，例如，数据线310和连接导体350可与半导体层连接。参考图3，数据线310可通过第一绝缘层107的第一接触孔107h1与第二半导体层221连接，并且连接导体350可通过第一绝缘层107的第三接触孔107h3与第一半导体层211连接。接触层361可设置在连接区域中。

接触层(连接层)361可减小下层ul1与半导体层(例如，第一半导体层211和第二半导体层221)之间的电阻。接触层361可包括金属硅化物层。金属硅化物层包含第二金属。例如，硅化物层的第二金属包括诸如ti、ta、w、co或ni的金属。

接触层361可设置在通过接触孔暴露的第一半导体层211的区域上。接触层361可沿着与基板100的上表面正交的方向与接触孔重叠。如图3所示，每个接触层361可与第一接触孔107h1和第三接触孔107h3各自重叠。

接触层361可设置在接触孔(例如，第一接触孔107h1或第三接触孔107h3)中。例如，在数据线310之下的接触层361的宽度可与通过第一接触孔107h1暴露的第二半导体层221的区域的宽度基本上相同。连接导体350之下的接触层361的宽度可与通过第三接触孔107h3暴露的第一半导体层211的区域的宽度基本上相同。每个数据线310和连接导体350的下层ul1可与接触层361直接接触。

接触层361可分别在第一接触孔107h1和第三接触孔107h3的底部中形成。侧面层362可分别在第一接触孔107h1和第三接触孔107h3的内壁上形成。侧面层362中包括的金属可与接触层361中包括的金属相同，并且取决于第一接触孔107h1和第三接触孔107h3各自的内壁的倾斜角，侧面层362中的每个可基本上完全覆盖或部分覆盖内壁。

图4至图9为根据本发明的示例性实施方式，在显示设备的制造工艺中形成导电层中的数据线的工艺的截面图。

参考图4，缓冲层101可在基板100上形成，并且第二半导体层221可在缓冲层101上形成。可形成栅绝缘层103，并且可形成第二栅电极225。第二沟道区221a、第二源区221b和第二漏区221c可通过使用第二栅电极225作为自对齐掩模，用杂质掺杂第二半导体层221来形成。

可形成第一绝缘层107，并且可在第一绝缘层107中形成暴露第二半导体层221的一部分(或区域)(例如，第二源区221b)的第一接触孔107h1。基板100、缓冲层101、第二半导体层221、第二栅电极225和第一绝缘层107的材料可与上面参考图3更详细描述的那些相同。

参考图5，可在第一绝缘层107上形成光刻胶600，所述光刻胶600在与第一接触孔107h1的位置对应的位置包括孔600h。包括孔600h的光刻胶600可通过曝光工艺和显影工艺形成。

参考图6，可在基板100上方形成包括第二金属的层360。层360的第二金属可包括ti、ta、w、co或ni。

可在光刻胶600的孔600h中形成层360的第一区域360a，并且第二半导体层221可通过第一接触孔107h1暴露。取决于第一接触孔107h1的内壁107is的倾斜角α，层360的第二区域360b可基本上完全或部分在内壁107is上形成。例如，当内壁107is的倾斜角α相对大时，层360的第二区域360b可部分覆盖内壁107is，并且当内壁107is的倾斜角α相对小时，层360的第二区域360b可基本上完全覆盖内壁107is。取决于本发明的示例性实施方式，第一接触孔107h1可形成为相对小的尺寸，并且内壁107is的倾斜角α可相对大(例如，约70°至约90°)。

由于光刻胶600的孔600h的内壁可以相对大的倾斜角形成，因此层360不需要在光刻胶600的孔600h的内壁上形成。

可移除光刻胶600。在移除光刻胶600的同时，可移除位于光刻胶600的上表面上的层360(见，例如图7)。

可通过执行退火来形成接触层361。通过退火，参考图6描述的层360的第一区域360a中包括的金属可与第二半导体层221中包括的硅反应，并且可形成包括金属硅化物的接触层361。层360的第二区域360b可保留在第一接触孔107h1的内壁107is上而形成侧面层362。

参考图8，可形成包括下层ul1、金属层ml1和覆盖层cl1的导电材料层300，并且可通过刻蚀导电材料层300来形成数据线310(见，例如图9)。在本发明的示例性实施方式中，可通过溅射工艺来形成导电材料层300，并且用于形成数据线310的刻蚀工艺可为干刻工艺。

尽管已经参考图4至图9描述了用于形成数据线310的示例性工艺，但是本发明的示例性实施方式并不限于此。连接导体350(见，例如图3)可通过与形成数据线310的工艺相同的工艺来形成，并且可通过使用与用于形成数据线310的掩模相同的掩模来形成。驱动电压线330(见，例如图3)可与数据线310基本上同时形成，并且可通过与形成数据线310的工艺相同的工艺来形成。然而，由于驱动电压线330可与第二电极232直接接触，因此暴露第二电极232的第二接触孔107h2可在参考图5和图6描述的工艺期间被光刻胶600覆盖。

本发明的示例性实施方式通过形成具有金属氮化物层的导电材料层300的下层ul1，可防止在下层ul1为包括诸如ti的金属的金属层的情况下可能出现的污点被用户观察到。在本发明的示例性实施方式中，下层ul1中包括的氮与金属的摩尔比(n/m，其中n为氮并且m为金属)可大于0.8。例如，当金属为钛时，0.8<n/ti≤1.15。当n/ti偏离上述条件的下限时，硅可在退火工艺期间扩散到数据线310或驱动电压线330的下层ul1，并且可增加电阻。

尽管在参考图4至图9描述的本发明的示例性实施方式中，退火工艺可在导电材料层300形成之前执行，但本发明的示例性实施方式并不限于此。在本发明的示例性实施方式中，退火工艺可在形成导电材料层300之后执行。在本发明的示例性实施方式中，退火工艺可在形成导电材料层300之后并且在形成像素电极510的工艺之前执行。

第一接触孔107h1的技术特征也适用于本文中描述的其他接触孔(例如，第三接触孔107h3)。例如，本文中参考图4至图9描述的技术特征可适用于第三接触孔107h3。

图10为根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图。图10为沿着图1的线i-i'截取的显示区域的截面图。

参考图10，根据本发明的示例性实施方式的显示设备可包括诸如数据线310、驱动电压线330和连接导体350的导电层。数据线310、驱动电压线330和连接导体350各自可具有包括下层ul1的多层结构，下层ul1可包括金属氮化物层(见，例如图3)。数据线310和驱动电压线330可分别与半导体层，例如，第二半导体层221和第一半导体层211连接。接触层361和侧面层362可在接触孔周围形成，用于数据线310和驱动电压线330与半导体层之间的连接。下面可省略与上面(例如，参考图1至图3)描述的技术特征相同或基本上相同的技术特征。

参考图10，与驱动电压线330连接的存储电容器230'可与第一tft210重叠。存储电容器230'可包括第一电极231'和第二电极232'，并且第一电极231'可用作第一tft210的第一栅电极215。第二电极232'可与第一栅电极215和第一电极231'重叠，层间绝缘层105置于它们之间。层间绝缘层105可包括无机绝缘层。

图11为根据本发明的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图。图11为沿着图1的线i-i'截取的显示区域的截面图。

参考图11，根据本发明的示例性实施方式的显示设备可包括诸如数据线310、驱动电压线330和连接导体350的导电层(见，例如图3和图10)。图11的显示设备可进一步包括第三绝缘层108，以及设置在第三绝缘层108上的驱动电压线430和连接导体450。下面可省略与上面(例如，参考图1至图3和图10)描述的技术特征相同或基本上相同的技术特征。

与在第三绝缘层108之下的驱动电压线330类似，第三绝缘层108上的驱动电压线430可为电路单元提供驱动电压elvdd。为了将第三绝缘层108上(例如，第三绝缘层108的上表面上)的驱动电压线430与设置在第三绝缘层108之下(例如，在第三绝缘层108的底部表面上)的驱动电压线330区分开，第三绝缘层108上的驱动电压线430可称为上驱动电压线430。类似地，第三绝缘层108上的连接导体450可称为上连接导体450。

数据线310、驱动电压线330和连接导体350可基本上被第三绝缘层108覆盖。诸如数据线310、驱动电压线330和连接导体350的导电层的堆叠结构，例如，下层ul1、金属层ml1和覆盖层cl1可与参考图3至图10更详细描述的那些相同。

上驱动电压线430和上连接导体450可设置在第三绝缘层108上。第三绝缘层108可包括有机绝缘层，并且可包括例如，诸如基于酰亚胺的聚合物、pmma或ps的通用聚合物，或具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物，或它们的混合。

上驱动电压线430可直接设置在第三绝缘层108上，以与第三绝缘层108的上表面直接接触，并且可与设置在第三绝缘层108之下的驱动电压线330连接。例如，上驱动电压线430的一部分可与通过第四接触孔108h1暴露的驱动电压线330的上表面直接接触。

上连接导体450可直接设置在第三绝缘层108上，以与第三绝缘层108的上表面直接接触，并且可与设置在第三绝缘层108之下的连接导体350连接。例如，上连接导体450的一部分可与通过第五接触孔108h2暴露的连接导体350的上表面直接接触。上连接导体450可将连接导体350与像素电极510连接。

诸如上驱动电压线430和上连接导体450的上导电层的下层ul2可包括金属氮化物层，并且金属层ml2可设置在下层ul2上。金属层ml2可基本上被覆盖层cl2覆盖。

下层ul2可为金属氮化物层，并且可包括氮化钛、氮化钽、氮化铌或氮化钨中的至少一种。金属层ml2可包括具有小电阻的金属，诸如，mo、al、cu或ti。覆盖层cl2可包括与金属层ml2中包括的金属不同的金属，并且可防止金属层ml2在工艺(制造工艺期间)期间被损坏或氧化。在本发明的示例性实施方式中，尽管上导电层的下层ul2、金属层ml2和覆盖层cl2可是tin/al/ti，但本发明的示例性实施方式并不限于此。

上导电层的下层ul2可与第三绝缘层108直接接触。当下层ul2包括金属氮化物层时，下层ul2可防止金属氮化物与有机绝缘层中包括的氧偶联，并且防止形成氧化层，如上面更详细描述的。

下层ul2可具有约或更大的厚度，并且可防止从外部观察到污点，并且金属层ml2和覆盖层cl2可形成为厚度大于下层ul2的厚度，如上所述。

参考图3至图11，连接导体350和上连接导体450可与第一tft210连接，但本发明的示例性实施方式并不限于此。参考图2，电路单元可进一步包括与第一tft210和oled连接的tft。在该情况下，增加的tft可通过连接导体350和上连接导体450与像素电极510电连接。

尽管已经参考本发明的示例性实施方式对本发明进行了图示和描述，但是对于本领域普通技术人员显而易见，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可对本发明进行形式和细节方面的各种变化。