技术特征：
技术总结
本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种改善反向恢复特性的多次外延超结器件制作方法，通过在衬底上生长多层外延层，每层外延层交替进行普遍注入第一导电类型杂质+选择性注入第一导电类型杂质和普遍注入第二导电类型杂质+选择性注入第一导电类型杂质，如此反复交替，然后高温推阱，形成多次外延的超结结构；本发明通过淀积外延+N型离子普注+选择性注入P型离子+淀积外延+P型离子普注+选择性注入N型离子，替代现有的淀积外延+N型离子普注+选择性注入P型离子+高温推阱，使得形成的P型柱间的间距增大，从而正向导通时N型外延层能够存储的多数载流子浓度更大，反向恢复时时间更长，增大了反向恢复软度，改善了di/dt、dv/dt动态参数特性。
技术研发人员：薛璐;许高潮;张海涛
受保护的技术使用者：无锡紫光微电子有限公司
技术研发日：2018.12.14
技术公布日：2019.05.03