技术特征：
技术总结
本发明提供了一种低漏电高可靠性的夹层隔离阱，包括衬底和设置在衬底上的第一隐埋层及第二隐埋层，第二隐埋层环绕第一隐埋层设置，第一隐埋层上设置有第一阱区和横向隔离阱区，横向隔离阱区包括第一夹层阱、第二夹层阱和第三夹层阱，第一夹层阱环绕第一阱区设置，第二夹层阱环绕第一夹层阱设置，第三夹层阱环绕第二夹层阱设置，第二隐埋层上设置有环绕第三夹层阱的第二阱区，横向隔离阱区的三层同电位设置；其中衬底、第二隐埋层、第一阱区、第二夹层阱和第二阱区分别为第二导电类型的半导体材料，第一隐埋层、第一夹层阱和第三夹层阱分别为第一导电类型的半导体材料。该发明具有设计科学、实用性强、反向漏电低、可靠性高的优点。
技术研发人员：许剑;刘桂芝
受保护的技术使用者：无锡麟力科技有限公司
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.03.19