1.一种砷化镓太阳能电池外延结构，其特征在于，所述电池包括依次层叠设置的ge底电池、gaas中电池和gainp顶电池，所述gaas中电池和所述gainp顶电池中均包括背层和发射层；
所述gaas中电池的背层包括delta掺杂的p型gainp层，发射层包括delta掺杂的n型gaas层；所述gainp顶电池的背层包括delta掺杂的p型gainp层，发射层包括delta掺杂的n型gainp层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述gaas中电池的背层还包括贴附于所述delta掺杂的p型gainp层靠近所述ge底电池的表面，通过直接掺杂生长得到的p型gainp层，发射层中还包括贴附于所述delta掺杂的n型gaas层靠近所述ge底电池的表面通过直接掺杂生长得到的n型gaas层；
和/或，所述gainp顶电池的背层还包括贴附于所述delta掺杂的p型gainp层靠近所述ge底电池的表面通过直接掺杂生长得到的p型gainp层，发射层还包括贴附于所述delta掺杂的n型gainp层靠近所述ge底电池的表面通过直接掺杂生长得到的n型gainp层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述gaas中电池的背层中，所述通过直接掺杂生长得到的p型gainp层的厚度为20～40nm，所述p型delta掺杂的gainp层的厚度为20～40nm；所述gaas中电池的发射层中，所述通过直接掺杂生长得到的n型gaas层的厚度为25～60nm，所述delta掺杂的n型gaas发射层的厚度为25～60nm；
和/或，所述gainp顶电池的背层中，通过直接掺杂生长得到的p型gainp层的厚的为20～40nm，delta掺杂的p型gainp的厚度为20～40nm；所述gainp顶电池的发射层中，通过直接掺杂生长得到的n型gainp层的厚的为25～60nm，delta掺杂的n型gainp的厚度为25～60nm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，朝向所述ge底电池的方向，所述gaas中电池中包括依次层叠设置的窗口层、发射层、基区和背层；朝向所述gaas电池的方向，所述gainp顶电池中包括依次层叠设置的接触层、窗口层、发射层、基区和背层。
5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述ge底电池与所述gaas中电池通过隧穿结进行连接，所述gaas与所述gainp顶电池通过隧穿结进行连接；优选的，所述隧穿结为gaas。
6.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，朝向所述gaas电池的方向，所述ge底电池中依次层叠设置p型ge衬底，n型ge发射层和n型gainp窗口层。
7.权利要求1～6任一项所述的太阳能电池外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
形成所述gaas中电池的背层中delta掺杂的p型gainp层，采用金属有机化合物化学气相沉淀法，先生长2～4nm的未通掺杂源的gainp，再只通磷烷1～3秒，再打开掺杂源2～4秒，完成一个周期的生长；如此进行5～20个周期的循环生长；
和/或，形成所述gaas中电池的发射层中delta掺杂的n型gaas层，采用金属有机化合物化学气相沉淀法，先生长2～4nm未通硅烷的gaas，再只通砷烷1～3秒，再打开硅烷2～4秒，完成一个周期的生长，如此进行6～30个周期的循环生长。
8.权利要求7所述的太阳能电池外延结构的生长方法，其特征在于，包括：
形成所述gainp顶电池的背层中delta掺杂的p型gainp层，采用金属有机化合物化学气相沉淀法，先生长2～4nm的未通掺杂源的gainp，再只通磷烷1到3秒，再打开掺杂源2～4秒，完成一个周期的生长，如此进行5到20个周期的循环生长；
形成所述gainp顶电池的发射层中delta掺杂的n型gainp层，采用金属有机化合物化学气相沉淀法，先生长2～4nm未通硅烷的gainp，再只通磷烷1～3秒，再打开硅烷2到4秒，完成一个周期的生长，如此进行6～30个周期的循环生长。
9.权利要求7或8所述的太阳能电池外延结构的制备方法，其特征在于，所述金属有机化合物化学气相沉淀法的条件为，温度550～850℃，压强50～200托。
10.根据权利要求7～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述其中电池或顶电池背层掺杂源为ccl4、cbr4或二乙基锌中的一种。