技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法。该Cu膜的制备方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在Cu膜之上形成光阻图形；对Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，该高温预处理的温度为150℃～300℃。本发明实施例中利用试验推论得出Cu吸放热理论，对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，然后进行其他制程，可以得到较好Taper角，避免因圆形Taper导致的尖端放电，提高TFT生产良率。
技术研发人员：李嘉
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.12.20
技术公布日：2019.04.23