图像感测半导体器件的制作方法

本实用新型整体涉及半导体器件，并且更具体地讲，涉及图像感测半导体器件。

背景技术：

半导体器件在现代电子产品中很常见。电子部件中半导体器件的数量和密度各不相同。半导体器件可执行多种多样的功能，诸如模拟和数字信号处理、传感器、电磁信号的发送和接收、电子器件控制、功率管理以及音频/视频信号处理。分立半导体器件通常包含一种类型的电子部件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、二极管、整流器、晶闸管以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包含数百至数百万的电子部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、专用集成电路 (ASIC)、标准逻辑、放大器、时钟管理、存储器、接口电路以及各种信号处理电路。

图像传感器是一种通过将光波或电磁辐射的可变衰减转换成电信号来检测和记录图像的半导体器件。图像传感器通过响应于入射电磁辐射传送信号来传达与图像有关的信息。图像传感器可包括成像像素的阵列。成像像素包括光敏元件，诸如光电二极管，这些光敏元件将传入的图像光转换为图像信号。典型的图像传感器可具有数十万或数百万像素。图像传感器使用控制电路来操作成像像素，并使用读出电路以用于读出与光敏元件生成的电荷对应的图像信号。

图像传感器可使用半导体电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体 (CMOS)或N型金属氧化物半导体(NMOS)技术中的有源像素传感器实施，且可应用于电子设备，诸如数字相机、计算机、移动电话、录像机、医学成像设备、夜视设备、热成像设备、雷达、声纳以及其他收集传入的图像光以捕获图像的图像检测设备。

在成像传感器中，每个像素通常包括光敏元件诸如光电二极管，这些光敏元件接收入射光子(光)并将光子转换为电信号。该成像系统包含图像传感器管芯，该图像传感器管芯具有图像传感器集成电路和形成于半导体衬底中的光电二极管阵列。另选地，成像系统包含图像传感器管芯，该图像传感器管芯具有形成于半导体衬底中的光电二极管阵列，并且该图像传感器管芯安装于数字信号处理器(DSP)管芯上。

玻璃层可放置在图像传感器上方以用于提供保护。再分布层(RDL)可形成于半导体管芯的与玻璃层相反的表面上方以用于电互连。单个RDL限制了包含图像传感器的半导体管芯的互连能力。

技术实现要素：

本实用新型所解决的一个技术问题是改进多管芯图像传感器封装内的图像性能。

根据本实用新型的一个方面，图像感测半导体器件包括具有图像传感器区域的半导体晶圆。光透射晶圆设置在半导体晶圆上方。第一半导体管芯设置在半导体晶圆的与光透射晶圆相反的表面上方。第一密封剂沉积在第一半导体管芯周围。互连结构形成于第一密封剂和第一半导体管芯上方。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，穿过半导体晶圆和第一密封剂形成导电通孔。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，互连结构包括形成于第一密封剂和第一半导体管芯上方的第一绝缘层。第一导电层形成于第一绝缘层上方。第二绝缘层形成于第一绝缘层和第一导电层上方。第二导电层形成于第一导电层和第二绝缘层上方。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，互连结构包括沉积在第一密封剂和第一半导体管芯上方的第二密封剂。第一导电层形成于第二密封剂上方。第三密封剂沉积在第二密封剂和第一导电层上方。第二导电层形成于第一导电层和第三密封剂上方。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，第二半导体管芯设置在半导体晶圆的与第一半导体管芯相邻的表面上方。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，第一半导体管芯包括图像传感器处理器，并且第二半导体管芯包括存储器电路。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，光透射晶圆包括玻璃。

根据本实用新型的一个方面，图像感测半导体器件包括具有图像传感器区域的第一半导体管芯。光透射层设置在第一半导体管芯的图像传感器区域上方。第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的与光透射层相反的表面上方。互连结构形成于第二半导体管芯上方。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，密封剂沉积在第二半导体管芯周围。

在上述图像感测半导体器件的实施方案中，穿过第一半导体管芯和第一密封剂形成导电通孔。

本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的图像感测半导体器件。

附图说明

图1a-图1d示出具有由锯道分开的多个半导体管芯的半导体晶圆；

图2a-图2b示出具有由锯道分开的多个图像传感器半导体管芯的半导体晶圆；

图3a-图3j示出了形成多管芯图像传感器半导体封装的工艺；

图4a-图4b示出了形成具有密封剂的内建互连结构的工艺；

图5示出了具有图像传感器的多管芯封装；以及

图6a-图6b示出了包含具有图像传感器的多管芯封装的电子设备。

具体实施方式

下文参照附图描述了一个或多个实施方案，其中类似的数字表示相同或相似的元件。虽然按照实现某些目标的最佳模式描述了附图，但描述旨在涵盖可包括在本公开的实质和范围内的替代形式、修改形式和等同形式。如本文使用的术语“半导体管芯”兼指该词语的单数形式和复数形式，并且相应地，可同时涉及单个半导体器件和多个半导体器件。术语“图像传感器”既指与单独像素相关联的传感器，又指与多个像素(诸如像素阵列)相关联的传感器。图像传感器可包括图像传感器像素阵列，每个像素包括光电二极管和其他运行电路，诸如衬底中形成的晶体管。

图像传感器使用像素来捕获给定环境中的光，并且生成表示该环境中的图像的电信号。例如，像素所生成的电信号生成数字图像，该数字图像作为信息提供给电设备的用户。在一些合适的场景中，图像传感器所生成的电信号经过处理并用于捕获有关在图像传感器处接收到的光的信息，诸如亮度、波长、空间图案化、时间图案化、偏振、方向以及与光相关联的其他合适的特性。此类光特性可由发光或反光源修改，以基于光的特性来编码信息。

电子设备诸如数字相机、计算机、移动电话、录像机、医学成像设备、夜视设备、热成像设备、雷达、声纳和其他图像检测设备收集传入的图像光以捕获图像。图像传感器包括图像像素的阵列。成像像素包括光敏元件，诸如光电二极管，这些光敏元件将传入的图像光转换为图像信号。典型的图像传感器可具有数十万或数百万像素。图像传感器使用控制电路来操作成像像素，并使用读出电路以用于读出与光敏元件生成的电荷对应的图像信号。

图1a示出具有基极衬底材料82(诸如硅、锗、磷化铝、砷化铝、砷化镓、氮化镓、磷化铟、碳化硅或其他基体半导体材料)以用于提供结构支撑的半导体晶圆80。多个半导体管芯84形成在晶圆80上，通过非有源的管芯间晶圆区域或者锯道86分开。锯道86提供用以将半导体晶圆80切割成单独半导体管芯84的切割区域。在一个实施方案中，半导体晶圆80的宽度或直径为100-450 毫米(mm)，厚度为50-100微米(μm)或15-250μm。

图1b示出半导体晶圆80的一部分的剖面图。每个半导体管芯84具有背面或者非有源表面88以及有源表面或区域90，该有源表面或区域包含模拟或数字电路，该模拟或数字电路实现为形成在管芯内并根据管芯的电学设计和功能电互连的有源器件、无源器件、导电层以及介电层。另选地，表面88可为与有源表面90相反的第二有源表面，该第二有源表面包含模拟或数字电路，该模拟或数字电路实现为形成在管芯内并根据管芯的电学设计和功能电互连的有源器件、无源器件、导电层以及介电层。例如，电路可包括一个或多个晶体管、二极管以及其他电路元件，这些元件形成在有源表面或区域90内以实现模拟电路或数字电路，诸如DSP、微控制器、ASIC、标准逻辑、放大器、时钟管理、存储器、接口电路以及其他信号处理电路。半导体管芯84还可包含用于射频信号处理的集成无源器件(IPD)，诸如电感器、电容器和电阻器。

使用PVD、CVD、电解电镀、化学镀层工艺、蒸镀或其他合适的金属沉积工艺在有源表面90上方形成导电层92。导电层92包括铝(Al)、铜(Cu)、锡(Sn)、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、钛(Ti)、钛钨(TiW)或其他合适的导电材料的一个或多个层。导电层92用作与有源表面90上的电路电连接的互连焊盘。

作为质量控制流程的一部分，半导体晶圆80经过电测试和检查。使用人工目视检查和自动光学系统对半导体晶圆80进行检查。可使用软件对半导体晶圆 80进行自动光学分析。目视检查方法可采用诸如扫描电子显微镜、高强度光或紫外线、金相显微镜或光学显微镜等设备。检查半导体晶圆80的结构特性，包括翘曲、厚度变化、表面颗粒、不规则性、开裂、分层、污染和变色。

半导体管芯84内的有源部件和无源部件经受晶圆级的电性能和电路功能测试。使用包括多个探针或测试引线96的测试探头94或者其他测试设备测试每个半导体管芯84的功能和电参数，如图1c所示。半导体管芯84响应于电刺激，该响应由计算机测试系统97测量并与预期响应进行比较，以测试半导体管芯的功能。电测试内容可包括电路功能、引线完整性、电阻率、连续性、可靠性、结深、ESD、射频性能、驱动电流、阈值电流、泄漏电流以及特定于部件类型的工作参数。对半导体晶圆80的检查和电测试使检测合格的半导体管芯 84能够被指定为用于半导体封装的已知合格管芯。

在图1d中，使用锯片或激光切割工具98将半导体晶圆80穿过锯道86切割成单独半导体管芯84。另选地，使用等离子蚀刻来切割半导体晶圆80，等离子蚀刻的优点在于将基极衬底材料82移除以形成精密表面，同时保持该基极衬底材料的结构和完整性。在一个实施方案中，半导体管芯84是存储器电路、图像传感器处理器(ISP)或者其他控制器或信号处理器。

图2a示出具有基极衬底材料102(诸如硅、锗、磷化铝、砷化铝、砷化镓、氮化镓、磷化铟、碳化硅或其他基体半导体材料)以用于提供结构支撑的半导体晶圆100。多个半导体管芯104形成在晶圆100上，通过非有源的管芯间晶圆区域或者说锯道106分开。锯道106提供用以将半导体晶圆100切割成单独半导体管芯104的切割区域。在一个实施方案中，半导体晶圆100的宽度或直径为100-450mm，厚度为100-250μm。

图2b示出半导体晶圆100的一部分的剖面图。每个半导体管芯104具有背面或非有源表面108和有源表面或区域110，该有源表面或区域包括图像传感器区域112，该图像传感器区域实现为CCD以及CMOS或NMOS技术中的有源像素传感器。有源表面或区域110还包含模拟或数字电路，该模拟或数字电路实现为形成在管芯内并根据管芯的电学设计和功能电互连的有源器件、无源器件、导电层以及介电层。

使用PVD、CVD、电解电镀、化学镀层工艺、蒸镀或其他合适的金属沉积工艺在有源表面110上方形成导电层114。导电层114包括Al、Cu、Sn、Ni、 Au、Ag、W、Ti、TiW或其他合适的导电材料的一个或多个层。导电层114用作与有源表面110上的图像传感器区域112和电路电连接的互连焊盘。

与半导体晶圆80类似，作为质量控制流程的一部分，半导体晶圆100经过电测试和检查。对半导体晶圆100的检查和电测试使检测合格的半导体管芯104 能够被指定为用于半导体封装的已知合格管芯。

图3a-图3j示出了形成多管芯图像传感器半导体封装的工艺。在图3a中，光透射晶圆130定位在半导体晶圆100上方并与该半导体晶圆对准。在一个实施方案中，光透射晶圆130由玻璃或者其他光学透明或半透明的材料制成。图 3b示出了光透射晶圆130，该光透射晶圆利用粘合剂材料132(诸如干膜或环氧树脂)设置在半导体晶圆100上方，同时在半导体晶圆100与光透射晶圆130 之间留下空间或间隙134。光透射晶圆130将光传到图像传感器区域112。

在图3c中，半导体晶圆100颠倒并且背表面108的一部分在背面研磨操作中被研磨机136移除。背面研磨操作使基极衬底材料102的厚度减小，以形成基极衬底材料的表面138。在一个实施方案中，半导体晶圆100的研磨后厚度为50-100μm。

在图3d中，使用拾取和放置操作将图1a-图1d的单独半导体管芯84以表面88面向背表面108的方式定位在半导体晶圆100上方。图3e示出了利用管芯附接粘合剂140(诸如环氧树脂)粘结到表面108的半导体管芯84。

在图3f中，使用压缩模塑、传递模塑、液体密封剂模塑、真空层合、旋涂或其他合适的涂覆器，将密封剂或模塑化合物144沉积在半导体晶圆100和半导体管芯84上方作为绝缘材料。具体地讲，密封剂144覆盖半导体管芯84的侧表面。密封剂144可为聚合物复合材料，诸如环氧树脂与填料、环氧丙烯酸酯与填料，或者聚合物与合适填料。密封剂144不导电，并且在环境中保护半导体器件免受外部元件和污染物影响。密封剂144还保护半导体管芯84免受因曝光所致的降解的影响。

在图3g中，密封剂144的一部分在背面研磨操作中被研磨机148移除。背面研磨操作使密封剂144与半导体管芯84平面化。

在图3h中，使用机械钻孔、激光钻孔或深反应离子蚀刻(DRIE)穿过密封剂 144和半导体晶圆100形成多个通孔。使用电解电镀、化学镀层工艺或其他合适的金属沉积工艺在通孔中填充Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、W、Ti、TiW、多晶硅或其他合适的导电材料，以形成嵌入在密封剂144及图像传感器区域112 外部的半导体晶圆100内的z方向导电穿硅通孔(TSV)150。TSV 150电连接到半导体管芯104的有源表面110上的图像传感器区域112以及导电层和电路。

在图3i中，使用PVD、CVD、印刷、层合、旋涂或喷涂，在密封剂144 和有源表面90上方形成绝缘层或钝化层154。绝缘层154包含二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)、阻焊剂、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚苯并恶唑(PBO)、聚合物或具有类似绝缘和结构特性的其他材料的一个或多个层。通过蚀刻或激光直接烧蚀(LDA)移除绝缘层154的一部分，以暴露有源表面90上的TSV 150和导电层92。

使用PVD、CVD、电解电镀、化学镀层工艺、蒸镀或其他合适的金属沉积工艺在绝缘层154上形成导电层156。导电层156包括Al、Cu、Sn、Ni、Au、 Ag、Ti、TiW或其他合适的导电材料的一个或多个层。导电层156用作第一 RDL，以用于将电信号从导电层92穿过TSV 150路由到有源表面110和有源表面90上的图像传感器区域112和电路，以及封装的外部。

使用PVD、CVD、印刷、层合、旋涂或喷涂，在绝缘层154和导电层156 上方形成绝缘层或钝化层158。绝缘层158包含SiO2、Si3N4、SiON、Ta2O5、 Al2O3、阻焊剂、聚酰亚胺、BCB、PBO、聚合物或具有类似绝缘和结构特性的其他材料的一个或多个层。通过蚀刻或LDA移除绝缘层158的一部分以暴露导电层156。

使用PVD、CVD、电解电镀、化学镀层工艺、蒸镀或其他合适的金属沉积工艺在绝缘层158上形成导电层160。导电层160包括Al、Cu、Sn、Ni、Au、 Ag、Ti、TiW或其他合适的导电材料的一个或多个层。导电层160电连接到导电层156并用作第二RDL，以用于将电信号从导电层92穿过TSV 150路由到有源表面110和有源表面90上的图像传感器区域112和电路，以及封装的外部。

使用PVD、CVD、印刷、层合、旋涂或喷涂，在绝缘层158和导电层160 上方形成绝缘层或钝化层162。绝缘层162包含SiO2、Si3N4、SiON、Ta2O5、 Al2O3、阻焊剂、聚酰亚胺、BCB、PBO、聚合物或具有类似绝缘和结构特性的其他材料的一个或多个层。通过蚀刻或LDA移除绝缘层162的一部分以暴露导电层160。可将附加绝缘层诸如154、158和162以及导电层诸如156和160 形成为多层RDL内建互连结构168。

使用蒸镀、电解电镀、化学镀层、焊球滴落或丝网印刷工艺，将导电凸块材料沉积在导电层160上方。凸块材料可为Al、Sn、Ni、Au、Ag、铅(Pb)、铋 (Bi)、Cu、焊料以及它们的组合，且具有任选的焊剂溶体。例如，凸块材料可为共熔Sn/Pb、高铅焊料或无铅焊料。使用合适的附接或粘结工艺，将凸块材料粘结到导电层160。在一个实施方案中，通过将凸块材料加热到其熔点以上，使该材料回流，从而形成焊球或凸块170。在一些应用中，再次使凸块170回流，以改善与导电层160的电接触。在一个实施方案中，在凸块下金属化(UBM) 层上方形成凸块170。凸块170还可压缩粘结或热压粘结到导电层160。凸块 170表示可形成于导电层160上方的一种类型的互连结构。互连结构还可使用导电柱、螺柱凸块、微凸块、焊丝、导电胶或其他电互连。

如图3a-图3i中所述的晶圆级加工提高了制造效率。在图3j中，使用锯片或激光切割工具174或等离子蚀刻工艺将半导体晶圆100沿锯道106切割成单独的半导体封装。

图4a-图4b示出了用于形成内建互连结构的另一个实施方案。从图3h继续，在密封剂144和有源表面90上方形成密封剂180，如图4a所示。通过蚀刻或 LDA移除密封剂层180的一部分，以暴露有源表面90上的TSV 150和导电层 92。使用PVD、CVD、电解电镀、化学镀层工艺、蒸镀或其他合适的金属沉积工艺在密封剂层180上形成导电层186。导电层186包括Al、Cu、Sn、Ni、Au、 Ag、Ti、TiW或其他合适的导电材料的一个或多个层。导电层186用作第一 RDL，以用于将电信号从导电层92穿过TSV 150路由到有源表面110和有源表面90上的图像传感器区域112和电路，以及封装的外部。

在密封剂层180和导电层186上方形成密封剂层188。通过蚀刻或LDA移除密封剂层188的一部分以暴露导电层186。使用PVD、CVD、电解电镀、化学镀层工艺、蒸镀或其他合适的金属沉积工艺在密封剂层188上形成导电层 190。导电层190包括Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、TiW或其他合适的导电材料的一个或多个层。导电层190电连接到导电层186并用作第二RDL，以用于将电信号从导电层92穿过TSV 150路由到有源表面110和有源表面90上的图像传感器区域112和电路，以及封装的外部。

在密封剂层188和导电层190上方形成密封剂层192。通过蚀刻或LDA移除密封剂层192的一部分以暴露导电层190。可将附加密封剂层诸如180、188 和192以及导电层诸如186和190形成为多层RDL内建互连结构194。

使用蒸镀、电解电镀、化学镀层、焊球滴落或丝网印刷工艺，将导电凸块材料沉积在导电层190上方。凸块材料可为Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、 Cu、焊料以及它们的组合，且具有任选的焊剂溶体。例如，凸块材料可为共熔 Sn/Pb、高铅焊料或无铅焊料。使用合适的附接或粘结工艺，将凸块材料粘结到导电层190。在一个实施方案中，通过将凸块材料加热到其熔点以上，使该材料回流，从而形成焊球或凸块196。在一些应用中，再次使凸块196回流，以改善与导电层190的电接触。在一个实施方案中，在UBM层上方形成凸块196。凸块196还可压缩粘结或热压粘结到导电层190。凸块196表示可形成于导电层190上方的一种类型的互连结构。互连结构还可使用导电柱、螺柱凸块、微凸块、焊丝、导电胶或其他电互连。

在图4b中，使用锯片或激光切割工具198或等离子蚀刻工艺将半导体晶圆 100穿过锯道106切割成单独的半导体封装。

图5示出了切割后的半导体封装200。光透射晶圆130的一部分设置在半导体管芯104的图像传感器区域112上方。TSV 150将半导体管芯104的有源表面110上的图像传感器区域112以及导电层和电路电连接到如在密封剂144 及半导体管芯84的有源表面90上方形成的内建互连结构168或194。内建互连结构194中的密封剂减少凸块196的应力。半导体封装200集成半导体管芯 84和半导体管芯104，以增强多管芯图像传感器封装内的图像性能。半导体管芯84与半导体管芯104之间的电路由路径被缩短，从而改善信号传播时序，降低噪声并提供更高质量的图像感测。

图6a-图6b示出了电子设备210，诸如具有相机的移动电话，该电子设备包括用如图1-图5所述的半导体封装200实现的图像感测设备212。图6a表示具有相机的移动电话。图6b是电子设备210内的部件的功能框图。电子设备 210包括透镜214，以用于在触摸或按压快门释放按钮218时使图像聚焦于图像感测设备212内的像素阵列。另外，电子设备210包括用以控制相机和图像处理功能的中央处理单元(CPU)220(诸如微处理器)、输入/输出(I/O)设备222 和存储器226，它们通过总线230与CPU 220通信。

虽然已详细示出并描述了一个或多个实施方案，但技术人员将认识到，在不脱离本公开的范围的情况下，可对这些实施方案作出修改和变更。下文中列出了多个示例性实施方案，而其他实施方案也是可能的。

在第一实施方案中，制备包括图像传感器的半导体器件的方法包括以下步骤：提供包括图像传感器区域的半导体晶圆，将光透射晶圆设置在半导体晶圆上方，将半导体管芯设置在半导体晶圆的与光透射晶圆相反的表面上方，将第一密封剂沉积在半导体管芯周围，以及在第一密封剂和半导体管芯上方形成互连结构。

在第二实施方案中，第一实施方案的方法还包括穿过半导体晶圆和第一密封剂形成导电通孔。

在第三实施方案中，第一实施方案的形成互连结构步骤包括在第一密封剂和半导体管芯上方形成第一绝缘层，在第一绝缘层上方形成第一导电层，在第一绝缘层和第一导电层上方形成第二绝缘层，以及在第一导电层和第二绝缘层上方形成第二导电层。

在第四实施方案中，第一实施方案的形成互连结构步骤包括在第一密封剂和半导体管芯上方形成第二密封剂，在第二密封剂上方形成第一导电层，在第二密封剂和第一导电层上方形成第三密封剂，以及在第一导电层和第三密封剂上方形成第二导电层。

在第五实施方案中，第一实施方案的方法还包括移除半导体晶圆的一部分。

在第六实施方案中，第一实施方案的方法还包括移除第一密封剂的一部分。

在第七实施方案中，第一实施方案的光透射层包括玻璃。

在第八实施方案中，制备包括图像传感器的半导体器件的方法包括以下步骤：提供包括图像传感器区域的第一半导体管芯，将光透射层设置在第一半导体管芯的图像传感器区域上方，将第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的与光透射层相反的表面上方，以及在第二半导体管芯上方形成互连结构。

在第九实施方案中，第八实施方案的方法还包括将密封剂沉积在第二半导体管芯周围。

在第十实施方案中，第九实施方案的方法还包括穿过第一半导体管芯和密封剂形成导电通孔。

在第十一实施方案中，第八实施方案的形成互连结构的步骤包括在第二半导体管芯上方形成第一绝缘层，在第一绝缘层上方形成第一导电层，在第一绝缘层和第一导电层上方形成第二绝缘层，以及在第一导电层和第二绝缘层上方形成第二导电层。

在第十二实施方案中，第八实施方案的形成互连结构的步骤包括在第二半导体管芯上方形成第一密封剂，在第一密封剂上方形成第一导电层，在第一密封剂和第一导电层上方形成第二密封剂，以及在第一导电层和第二密封剂上方形成第二导电层。

在第十三实施方案中，第八实施方案的光透射层包括玻璃。

在第十四实施方案中，第八实施方案的方法还包括移除半导体晶圆的一部分。

在第十五实施方案中，图像感测半导体器件包括具有图像传感器区域的第一半导体管芯。光透射层设置在第一半导体管芯的图像传感器区域上方。第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的与光透射层相反的表面上方。互连结构形成于第二半导体管芯上方。

在第十六实施方案中，第十五实施方案的图像感测半导体器件还包括沉积在第二半导体管芯周围的密封剂。

在第十七实施方案中，第十六实施方案的图像感测半导体器件还包括穿过第一半导体管芯和第一密封剂形成的导电通孔。

在第十八实施方案中，第十五实施方案的互连结构包括形成于第二半导体管芯上方的第一绝缘层。第一导电层形成于第一绝缘层上方。第二绝缘层形成于第一绝缘层和第一导电层上方。第二导电层形成于第一导电层和第二绝缘层上方。

在第十九实施方案中，第十五实施方案的互连结构包括形成于第二半导体管芯上方的第一密封剂。第一导电层形成于第一密封剂上方。第二密封剂形成于第一密封剂和第一导电层上方。第二导电层形成于第一导电层和第二密封剂上方。

在第二十实施方案中，第十五实施方案的光透射层包括玻璃。