技术总结
本实用新型题为“图像感测半导体器件”。本实用新型涉及一种图像感测半导体器件。所述图像感测半导体器件包括具有图像传感器区域的半导体晶圆。光透射晶圆设置在所述半导体晶圆上方。第一半导体管芯设置在所述半导体晶圆的与所述光透射晶圆相反的表面上方。第一密封剂沉积在所述第一半导体管芯周围。互连结构形成于所述第一密封剂和所述第一半导体管芯上方。本实用新型所解决的一个技术问题是改进多管芯图像传感器封装内的图像性能。本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的图像感测半导体器件。
技术研发人员：谢有德
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
技术研发日：2018.01.09
技术公布日：2018.12.18