1.一种芯片保护环，所述芯片保护环从上到下包括设置在衬底上的间隔层叠分布的至少两层金属层、设置在金属层之间的至少一层通孔层和设置在最底部的金属层下方的插塞层；以及设置在衬底之内的N阱层、N型注入区层和有源区层；
其中所述至少一层通孔层与所述至少两层金属层互连；
其中所述插塞层从最底部的金属层下表面延伸到所述衬底上表面；
其中所述N阱层从所述衬底上表面延伸到所述衬底之内的第一深度；
其中所述N型注入区层从所述衬底上表面延伸到所述N阱层之内的第二深度；
其中所述有源区层从所述衬底上表面延伸到所述N型注入区层之内的第三深度；
其中所述第一深度大于第二深度，且所述第二深度大于第三深度；以及
其中所述插塞层的下表面直接接触所述有源区层的上表面。
2.如权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述芯片保护环还包括设置在最顶部金属层上方的焊垫层。
3.如权利要求1或2所述的芯片保护环，其特征在于，所述N阱层的宽度为3-4微米。
4.如权利要求2所述的芯片保护环，其特征在于，以朝向管芯的方向的边作为内边，且以朝向划片槽方向的边作为外边为基准，所述焊垫层的宽度为2-3微米，所述焊垫层的外边和N阱层的外边对齐，且所述焊垫层的内边与所述N阱层内边相距1微米。
5.如权利要求1或2所述的芯片保护环，其特征在于，以朝向管芯的方向的边作为内边，且以朝向划片槽方向的边作为外边为基准，各金属层的宽度为0.95微米，所述金属层的外边和N阱层的外边对齐，且所述金属层的内边和所述N阱层的内边对齐。
6.如权利要求1或2所述的芯片保护环，其特征在于，以朝向管芯的方向的边作为内边，且以朝向划片槽方向的边作为外边为基准，所述有源区层的宽度为0.5微米，所述有源区层的外边与N阱层的外边相距2.25-3.25微米，且所述有源区层的内边与所述N阱层的内边相距0.25微米。
7.如权利要求1或2所述的芯片保护环，其特征在于，所述N型注入区层包围所述有源区层。
8.如权利要求1或2所述的芯片保护环，其特征在于，所述至少一层通孔层和所述插塞层的中心线与所述有源区层的中心线对齐。
9.如权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述芯片保护环从下到上包括N阱层、N型注入区层、有源区层、插塞层、第一金属层、第一通孔层、第二金属层、顶部通孔层、顶部金属层以及焊垫层。
10.如权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述衬底为P型衬底。