一种高压紫外水平LED晶片结构的制作方法

本实用新型涉及一种LED晶片结构，尤其涉及一种高压紫外水平LED晶片结构。

背景技术：

随着社会的发展，对环保的要求越来越高，对紫外工业固化的性能、环保有更多的要求。同时，紫光LED进行固化具有无汞污染和效率高的优势。

而随着各种设备场景对灯光效果及电源效率的高要求，需要更高的电压才能满足要求。而现有的紫光LED无法满足对高压的需求，甚至常会出现烧坏现象。

技术实现要素：

针对上述不足，本实用新型的目的在于提供一种高压紫外水平LED晶片结构，实现紫外LED晶片在晶片层级上做成6V或以上的高压，不但满足了环保要求，而且可提供高压，满足各种设备场景对灯光效果及电源效率的高要求，提升电源效率，散热效果好，保护紫外LED晶片，无烧坏现象。

本实用新型为达到上述目的所采用的技术方案是：

一种高压紫外水平LED晶片结构，其特征在于，包括一基板、及间隔分布于基板上的若干紫外LED晶片组，其中，每相邻两组紫外LED晶片组之间通过一金属线串联连接，且在该若干紫外LED晶片组与金属线上表面覆盖有一荧光胶层；在该基板上表面设置有一高压散热层，该高压散热层包括设置于紫外LED晶片组下表面的一高压散热块、及设置于高压散热块外围的一纳米碳铜箔散热片，该高压散热块包括设置于紫外LED晶片组下端一侧的第一金属散热片、设置于紫外LED晶片组下端另一侧的第二金属散热片、及设置于紫外LED晶片组下端且位于第一金属散热片与第二金属散热片之间的一绝缘片。

作为本实用新型的进一步改进，所述紫外LED晶片组包括一紫外LED晶片。

作为本实用新型的进一步改进，所述金属线连接于相邻两组紫外LED晶片组中的两片紫外LED晶片之间。

作为本实用新型的进一步改进，所述紫外LED晶片上具有一正极与一负极，所述金属线连接于每相邻两个紫外LED晶片中的一个紫外LED晶片的负极与另外一个紫外LED晶片的正极之间，使所有紫外LED晶片串联连接于一体。

作为本实用新型的进一步改进，所述紫外LED晶片组还包括设置于紫外LED晶片下端且穿过绝缘片连接至基板的一导电基片，所述金属线连接于相邻两组紫外LED晶片组中的两片导电基片之间。

本实用新型的有益效果为：

(1)采用串联方式，将水平结构的紫外LED晶片组进行电性连接，从而使紫外LED晶片在晶片层级上做成6V或以上的高压，不但满足了环保要求，而且可提供高压，满足各种设备场景对灯光效果及电源效率的高要求，提升电源效率，保护紫外LED晶片，无烧坏现象；

(2)在基板与紫外LED晶片组之间增设高压散热层，在晶片层级上提供6V或以上的高压时，高压散热层能吸收产生的大量热量并发散出去，由于高压散热层由高压散热块与纳米碳铜箔散热片组成，其散热面积表面积变大，晶片层级产生的热流密度迅速通过高压散热块扩散为小的热流密度，并由纳米碳铜箔散热片传导出去，热量不会在晶片层级处堆积，起到散热降温的作用，保证晶片层级长期高压的正常提供。

上述是实用新型技术方案的概述，以下结合附图与具体实施方式，对本实用新型做进一步说明。

附图说明

图1为实施例一的俯视图；

图2为实施例一的剖视图；

图3为实施例二的剖视图；

图4为实施例三的剖视图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达到预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本实用新型的具体实施方式详细说明。

实施例一：

请参照图1与图2，本实施例提供一种高压紫外水平LED晶片结构，包括一基板1、及间隔分布于基板1上的若干紫外LED晶片组2，其中，每相邻两组紫外LED晶片组2之间通过一金属线3串联连接，且在该若干紫外LED晶片组2与金属线3上表面覆盖有一荧光胶层4；在该基板1上表面设置有一高压散热层5，该高压散热层5包括设置于紫外LED晶片组2下表面的一高压散热块51、及设置于高压散热块51外围的一纳米碳铜箔散热片52，该高压散热块51包括设置于紫外LED晶片组2下端一侧的第一金属散热片511、设置于紫外LED晶片组2下端另一侧的第二金属散热片512、及设置于紫外LED晶片组2下端且位于第一金属散热片511与第二金属散热片512之间的一绝缘片513。

如图2所示，所述紫外LED晶片组2包括一紫外LED晶片21。所述金属线3连接于相邻两组紫外LED晶片组2中的两片紫外LED晶片21之间。

实施例二：

请参照图3，本实施例与实施例一的主要区别在于：所述紫外LED晶片21上具有一正极211与一负极212，所述金属线3连接于每相邻两个紫外LED晶片21中的一个紫外LED晶片的负极212与另外一个紫外LED晶片的正极211之间，使所有紫外LED晶片21串联连接于一体。

实施例三：

请参照图4，本实施例与实施例一的主要区别在于：所述紫外LED晶片组2还包括设置于紫外LED晶片21下端且穿过绝缘片513连接至基板1的一导电基片22，所述金属线3连接于相邻两组紫外LED晶片组2中的两片导电基片22之间。

本实用新型采用上述三种串联方式，将水平结构的紫外LED晶片组进行电性连接，从而使紫外LED晶片在晶片层级上做成6V或以上的高压，不但满足了环保要求，而且可提供高压，满足各种设备场景对灯光效果及电源效率的高要求，提升电源效率，保护紫外LED晶片，无烧坏现象；在基板与紫外LED晶片组之间增设高压散热层，在晶片层级上提供6V或以上的高压时，高压散热层能吸收产生的大量热量并发散出去，由于高压散热层由高压散热块与纳米碳铜箔散热片组成，其散热面积表面积变大，晶片层级产生的热流密度迅速通过高压散热块扩散为小的热流密度，并由纳米碳铜箔散热片传导出去，热量不会在晶片层级处堆积，起到散热降温的作用，保证晶片层级长期高压的正常提供。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故采用与本实用新型上述实施例相同或近似的技术特征，而得到的其他结构，均在本实用新型的保护范围之内。