一种复合型多晶硅片的制作方法

文档序号:16299550发布日期:2018-12-18 21:31阅读:239来源:国知局
一种复合型多晶硅片的制作方法

本实用新型涉及硅片技术领域,尤其涉及一种复合型多晶硅片。



背景技术:

多晶硅片,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅片分为电子级和太阳能级。先说太阳能级的,是作为太阳能产业链的原料,用于铸锭或拉单晶硅棒,在切成硅片,生产成太阳能电池板,就是卫星、空间站上的太阳能帆板,大部分还是用在建太阳能电站了,国内的太阳能电站很少,很为他虽然环保绿色,但成本很高,电费贵,往往需要政府补贴,欧洲是全球使用太阳能最多的,也是中国太阳能电池板主要的销售方向。电子级多晶硅用于生产半导体材料,主要用于电子设备,芯片上用的比较多。

多晶硅片单体由于自身的物理性质,在常温状态下,多晶硅片质地脆,稍有不慎容易造成断裂,且多晶硅片构成的太阳能电池板内部的多晶硅片单体损坏后更换不方便。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种复合型多晶硅片。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:一种复合型多晶硅片,包括多晶硅片单体,所述多晶硅片单体的侧边通过胶水与金属框体粘结,所述金属框体的内部焊接有凸边,所述凸边的上部通过胶水粘附有钢化玻璃片,所述金属框体的相邻两侧壁均焊接有连接凸块,所述金属框体与连接凸块相对的另外两个侧壁开设有连接凹槽,所述多晶硅片单体的底部通过胶水粘附有绝缘片,所述绝缘片对应连接凹槽所在侧边位置开设有矩形缺口。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述凸边与多晶硅片单体相互贴合。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述多晶硅片单体和钢化玻璃片与金属框体的内部轮廓相同。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述凸边的上端面与金属框体的上端面之间的距离与钢化玻璃片的厚度相同。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述连接凸块的宽度和厚度分别与连接凹槽的槽宽和槽深相同,连接凸块的长度与矩形缺口的宽度相同。

本实用新型中,首先,在多晶硅片单体的外部通过胶水粘附有金属框体,金属框体的上部通过胶水粘附有钢化玻璃片,在多晶硅片的下部通过胶水粘附有绝缘片,这样相对于单一的多晶硅片单体,复合后的多晶硅片强度高,不易出现断裂现象;其次,在金属框体的内部焊接的凸边与多晶硅片的上端面进行接触,而金属框体的侧边分别设置有连接凸块和连接凹槽,这样通过连接凸块和连接凹槽的搭接能够实现多组多晶硅片的串联,且多晶硅片损坏后更换方便。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种复合型多晶硅片的爆炸图;

图2为本实用新型金属框体的结构示意图;

图3为本实用新型绝缘片的结构示意图。

图例说明:

1-绝缘片、2-多晶硅片单体、3-金属框体、4-钢化玻璃片、5- 连接凸块、6-凸边、7-连接凹槽、8-矩形缺口。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

参照图1-3,一种复合型多晶硅片,包括多晶硅片单体2,多晶硅片单体2的侧边通过胶水与金属框体3粘结,金属框体3的内部焊接有凸边6,凸边6的上部通过胶水粘附有钢化玻璃片4,金属框体 3的相邻两侧壁均焊接有连接凸块5,金属框体3与连接凸块5相对的另外两个侧壁开设有连接凹槽7,多晶硅片单体2的底部通过胶水粘附有绝缘片1,绝缘片1对应连接凹槽7所在侧边位置开设有矩形缺口8。

凸边6与多晶硅片单体2相互贴合,多晶硅片单体2和钢化玻璃片4与金属框体3的内部轮廓相同,凸边6的上端面与金属框体3的上端面之间的距离与钢化玻璃片4的厚度相同,连接凸块5的宽度和厚度分别与连接凹槽7的槽宽和槽深相同,连接凸块5的长度与矩形缺口8的宽度相同。

金属框体3的表面涂布有绝缘漆,其中凸边6与多晶硅片单体2 接触的底面以及连接凸块5没有涂布绝缘漆。

工作原理:安装时,将多晶硅片单体2的侧边涂布有胶水,然后将多晶硅片单体2放入到金属框体3的内部,直至多晶硅片单体2的正面与凸边6的底面进行贴合,然后再将绝缘片1的上端面和侧边涂布胶水,然后将绝缘片1装入金属框体3中,使得绝缘片1分别与金属框体3和多晶硅片单体2粘附在一起,然后将钢化玻璃片4靠近侧边的底部涂布胶水,然后与凸边6的上端面进行粘附,之后对组装好的多晶硅片根据需要将相邻位置的两个多晶硅片通过连接凹槽7和连接凸块5结合的方式,实现多晶硅片的串联。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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