1.一种局部镀银的半导体引线框架，包括框架主体(7)，其特征在于：若干个所述框架主体(7)相互连接，相邻的所述框架主体(7)之间均设置有连接孔(2)，所述框架主体(7)的顶部设置有载片槽(5)，所述载片槽(5)的两侧均设置有封装架(1)，所述封装架(1)安装在框架主体(7)上，所述载片槽(5)的下方设置有流通凹孔(6)，所述框架主体(7)的底部连接有散热片(10)，所述流通凹孔(6)设置在散热片(10)的上方，所述载片槽(5)的四周均设置有若干个均匀分布的芯片脚焊接口(9)，所述载片槽(5)的一侧设置有三根均匀分布的引脚(8)，所述引脚(8)的一侧设置有定位孔(4)，所述载片槽(5)的另一侧设置有两个对称的安装孔(3)。
2.根据权利要求1所述的一种局部镀银的半导体引线框架，其特征在于：所述引脚(8)上均安装有银质镀膜。
3.根据权利要求1所述的一种局部镀银的半导体引线框架，其特征在于：所述框架主体(7)的厚度为0.25mm-0.35mm。
4.根据权利要求1所述的一种局部镀银的半导体引线框架，其特征在于：所述散热片(10)通过散热硅脂粘连在框架主体(7)上。
5.根据权利要求1所述的一种局部镀银的半导体引线框架，其特征在于：所述引脚(8)与框架主体(7)为一体式结构。
6.根据权利要求1所述的一种局部镀银的半导体引线框架，其特征在于：所述散热片(10)的厚度为0.1mm-0.2mm。