本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种局部镀银的半导体引线框架。
背景技术：
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架用铜合金大致分为铜一铁系、铜一镍-硅系、铜一铬系、铜一镍一锡系(JK--2合金)等，三元、四元等多元系铜合金能够取得比传统二元合金更优的性能，更低的成本，铜一铁系合金的牌号最多，具有较好的机械强度，抗应力松弛特性和低蠕变性，是一类很好的引线框架材料。由于引线框架制作及封装应用的需要，除高强度、高导热性能外，对材料还要求有良好的钎焊性能、工艺性能、蚀刻性能、氧化膜粘接性能等。材料向高强、高导电、低成本方向发展，在铜中加人少量的多种元素，在不明显降低导电率的原则下，提高合金强度(使引线框架不易发生变形)和综合性能。
现有技术的引线框架加工制造存在以下问题：1、引线框架结构单一，没有显著的散热效果，容易烧坏芯片，从而造成电路板损伤；2、成本较高，加工不方便，精准度低。
技术实现要素：
为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种局部镀银的半导体引线框架，具有散热效果好的特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种局部镀银的半导体引线框架，包括框架主体，若干个所述框架主体相互连接，相邻的所述框架主体之间均设置有连接孔，所述框架主体的顶部设置有载片槽，所述载片槽的两侧均设置有封装架，所述封装架安装在框架主体上，所述载片槽的下方设置有流通凹孔，所述框架主体的底部连接有散热片，所述流通凹孔设置在散热片的上方，所述载片槽的四周均设置有若干个均匀分布的芯片脚焊接口，所述载片槽的一侧设置有三根均匀分布的引脚，所述引脚的一侧设置有定位孔，所述载片槽的另一侧设置有两个对称的安装孔。
优选的，所述引脚上均安装有银质镀膜。
优选的，所述框架主体的厚度为0.25mm-0.35mm。
优选的，所述散热片通过散热硅脂粘连在框架主体上。
优选的，所述引脚与框架主体为一体式结构。
优选的，所述散热片的厚度为0.1mm-0.2mm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型通过在载片槽内设置有凹孔，使得半导体芯片处于底部架空流通状态，能够将半导体芯片的热量向环境中辐射，并传递到散热板，从而降低电路运行时的温度，且框架底板和散热片均为金属材料，接触面带来的导热阻力小，能够有效促进半导体芯片散热。
2、本实用新型框架主体上预设有定位孔和连接孔，便于根据需求分割组装框架单元和加工定位，节约材料成本，结构简单，实用性强。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的侧视图；
图中：1、封装架；2、连接孔；3、安装孔；4、定位孔；5、载片槽；6、流通凹孔；7、框架主体；8、引脚；9、芯片脚焊接口；10、散热片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型提供以下技术方案：一种局部镀银的半导体引线框架，包括框架主体7，框架主体7的厚度为0.25mm，若干个框架主体7相互连接，相邻的框架主体7之间均设置有连接孔2，框架主体7的顶部设置有载片槽5，载片槽5的两侧均设置有封装架1，封装架1安装在框架主体7上，载片槽5的下方设置有流通凹孔6，框架主体7的底部连接有散热片10，散热片10的厚度为0.1mm，散热片10通过散热硅脂粘连在框架主体7上，流通凹孔6设置在散热片10的上方，载片槽5的四周均设置有若干个均匀分布的芯片脚焊接口9，载片槽5的一侧设置有三根均匀分布的引脚8，引脚8与框架主体7为一体式结构，引脚8上均安装有银质镀膜，引脚8的一侧设置有定位孔4，载片槽5的另一侧设置有两个对称的安装孔3。
本实用新型的工作原理及使用流程：本实用新型在安装时，将半导体芯片放置在载片槽5的上方，芯片四周的焊接脚对准并插进芯片脚焊接口9，使用焊料连接在框架主体7上，载片槽5内设置有流通凹孔6，使得半导体芯片处于底部架空流通状态，在电路板工作时，能够将半导体芯片的热量向空气中辐射，并传递到散热片10，从而降低电路运行时的温度，每个框架单元可以根据所需大小通过由连接孔2处分割实行不同数量的组合，得到不同尺寸框架产品。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。