本实用新型涉及半导体器件加工技术领域，具体公开了一种三温区共晶导轨。
背景技术：
在半导体的加工制造过程中，共晶是一个重要的步骤，关系到产品的质量好坏。现有的共晶方式为：筛选配比合适的锡合金焊料；预热基片；焊料涂布；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。对于上述工艺，将焊接好的产品进行共晶焊接处理过程中的加热处理过程是不可避免的。传统的做法是直接将固晶好的产品放在烤箱内进行共晶回流焊。产品进入烤箱时热冲击太猛的话共晶会出现爆炸，致使共晶丧失功能性用途。若烤箱升温太慢，产品在烤箱内停留时间太长，产品在高温下氧化速度加大。由于烤箱结构设计原因，其温度调节性能有限，导致共晶效果差异大，产品质量难以保证。
技术实现要素：
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种三温区共晶导轨，设置独特的结构，将产品放置在导轨上进行传输式共晶，能够对导轨上不同温区温度进行监测，提升共晶质量及效率。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种三温区共晶导轨，包括导轨座，导轨座上设置有导槽，导槽中嵌设有并列设置的导轨块A、导轨块B、导轨块C，导轨块A、导轨块B、导轨块C依次邻接，导轨座内设置有若干并列设置的加热管，导轨块A、导轨块B、导轨块C一侧分别设置有热电偶A、热电偶B、热电偶C，热电偶A、热电偶B、热电偶C测试端分别藏设在导轨块A、导轨块B、导轨块C内。
优选地，导轨座一侧固定连接有与导轨座匹配的隔热保护罩，导轨座嵌设在隔热保护罩上。
优选地，导轨块A、导轨块B、导轨块C底部一侧均设置有若干热流道，导轨块A、导轨块B、导轨块C一侧均贯穿设置有若干与热流道连通的过热孔。
优选地，导轨座一侧贯穿设置若干过孔，热电偶A、热电偶B、热电偶C测试端分别贯穿设置在过孔中。
优选地，导轨座一侧设置有若干与热流道相连通的隔槽。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种三温区共晶导轨，设置独特的结构，在导轨座上并列装设若干加热管，导轨块A、导轨块B、导轨块C独立分离，将安装在导轨座上的加热管数量从导轨块A向导轨块C方向逐渐增多，即可形成从导轨块A向导轨块C方向逐渐升温的三个温区，三个温区分别由热电偶A、热电偶B、热电偶C进行温度监测。将产品依次通过导轨块A、导轨块B、导轨块C进行传输式共晶加热，产品在渐进式的温度下进行共晶。其结构简单，使用方便，三个温区温度调设方便，有效提升共晶质量及共晶效率。将导轨座嵌设在隔热保护罩上，有效提升导轨座温度稳定性，提升共晶质量。热流道上的空气被加热后通过过热孔向产品上散发，产品在热流的作用下共晶效率有所提升，温度稳定性更好。热电偶A、热电偶B、热电偶C测试端分别通过过孔与导轨块A、导轨块B、导轨块C相连，热电偶A、热电偶B、热电偶C的拆装更方便，安装稳定性高。导轨座一侧设置若干与热流道相连通的隔槽，导轨座上的热量在隔槽和热流道之间融汇，提升热量传递效率。
附图说明
图1为本实用新型共晶导轨的分解结构示意图。
图2为本实用新型共晶导轨外形结构示意图。
图3为本实用新型图1中A部的局部放大结构示意图。
图4为本实用新型的导轨块A、导轨块B、导轨块C组合装配结构示意图。
图5为本实用新型图4中B部的局部放大结构示意图。
附图标记为：导轨座1、导槽10、导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4、加热管5、热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8、隔热保护罩9、热流道11、过热孔12、过孔13、隔槽14。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图5。
本实用新型实施例公开一种三温区共晶导轨，包括导轨座1，导轨座1上设置有导槽10，导槽10中嵌设有并列设置的导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4，导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4依次邻接，导轨座1内设置有若干并列设置的加热管5，导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4一侧分别设置有热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8，热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8测试端分别藏设在导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4内。
具体装配时，导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4依次相邻嵌设在导槽10中，在导轨座1上并列装设若干加热管5，加热管5通电后对导轨座1进行加热。将安装在导轨座1上的加热管5数量从导轨块A2向导轨块C4方向逐渐增多，从导轨块A2向导轨块C4方向即可形成逐渐升温的三个温区。分别将热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8的测试端藏设在导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4内，三个温区分别由热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8进行温度监测。共晶生产时，将产品依次通过导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4进行传输，产品传输过程中进行共晶加热，产品在渐进式的温度下进行共晶。三个温区温度调设方便，有效提升共晶质量及共晶效率。
基于上述实施例，导轨座1一侧固定连接有与导轨座1匹配的隔热保护罩9，导轨座1嵌设在隔热保护罩9上。将导轨座1嵌设在隔热保护罩9上，隔热保护罩9可将导轨座1的底部和侧边包围，有效提升导轨座1温度稳定性，提升共晶质量。
基于上述实施例，导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4底部一侧均设置有若干热流道11，导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4一侧均贯穿设置有若干与热流道11连通的过热孔12。热流道11上的空气被加热后通过过热孔12向产品上散发，产品在热流的作用下共晶效率有所提升，温度稳定性更好。
基于上述实施例，导轨座1一侧贯穿设置若干过孔13，热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8测试端分别贯穿设置在过孔13中。热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8测试端分别通过过孔13与导轨块A2、导轨块B3、导轨块C4相连固定，热电偶A6、热电偶B7、热电偶C8的安装稳定性高、拆装更方便。
基于上述实施例，导轨座1一侧设置有若干与热流道11相连通的隔槽14。导轨座1一侧设置若干与热流道11相连通的隔槽14，导轨座1上的热量在隔槽14和热流道11之间融汇，提升热量传递效率。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。