技术总结
本实用新型公开一种阵列基板，包括：形成在衬底基板上的光敏部件，及形成在所述光敏部件远离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管和导电层；所述光敏部件包括层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极靠近所述衬底基板设置；所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二电极与所述导电层电连接；其中，所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极。本实用新型实施例的阵列基板，在制备过程中，先形成光敏部件，再在光敏部件上形成薄膜晶体管，避免了光敏部件形成过程中氢元素对薄膜晶体管产生影响，薄膜晶体管的源漏层图案可以通过一次图形化处理形成，简化了制备工艺。
技术研发人员：刘威
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2018.04.12
技术公布日：2018.10.12