导电薄膜及具有该导电薄膜的电子设备的制作方法

本实用新型涉及电子技术，更具体地讲，本实用新型涉及一种导电薄膜及具有该导电薄膜的电子设备。

背景技术：

透明导电薄膜是一种既具有高的导电性，又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电薄膜，具有广泛的应用前景。近年来已经成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极、透明表面发热器及柔性发光器件等领域中。

传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(Indium Tin Oxides，ITO)导电层。在制备ITO层时，总是不可避免的需要镀膜，图形化，电极银引线制作。且在 ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻，这种传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。并且这种制作流程对工艺、设备要求较高，还在蚀刻中浪费大量的ITO材料，以及产生大量的含重金属的工业废液。

金属网导电薄膜技术的发展弥补了以上缺陷。金属网导电薄膜一般采用网格状设计且包括可视区和引线区，为保证可视区的透过率一般采用比较小的网格状设计，但是这样的网格线在引线区的导电能力不强。

鉴于此，本实用新型通过改善导电薄膜以解决所存在的技术问题。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种导电薄膜及电子设备以解决上述的技术问题。

本实用新型的一个技术方案是：

一种导电薄膜，其包括：

第一层面，所述第一层面包括导电区和电极引线区，所述导电区和所述电极引线区之间电性绝缘；

第二层面，所述第二层包括分别连接所述导电区和电极引线区并实现所述导电区和电极引线区电性连接的搭接部。

在其中一实施例中，所述第一层面还包括聚合物层，所述导电区以及电极引线区位于所述聚合物层同侧。

在其中一实施例中，所述聚合物层压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽填充导电材料后形成导电区，所述第二凹槽填充导电材料后形成电极引线。

在其中一实施例中，所述导电区由导电网格构成，所述搭接部与所述导电网格的电性连接方式为点点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种；所述搭接部与所述电极引线的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种。

在其中一实施例中，所述电极引线呈网格状，所述搭接部一端搭接上所述导电区，所述搭接部的另一端搭接上若干根所述电极引线的网格线。

在其中一实施例中，所述搭接部呈点状、线状、块状、面状、网格状或条状的至少一种。

在其中一实施例中，所述搭接部包括复数连接点，所述连接点连接至少一根所述导电网格的网格线和至少一根所述电极引线区。

在其中一实施例中，所述搭接部呈线状，所述导电网格的网格线延伸至所述搭接部，所述电极引线区延伸至所述搭接部。

在其中一实施例中，所述搭接部呈块状，所述块状搭接部部分覆盖所述导电网格的网格线且部分覆盖所述电极引线区。

在其中一实施例中，所述搭接部包括网格状，所述搭接部的网格线延伸至所述导电网格并与导电网格的网格线电性接触，所述搭接部的网格线延伸至所述电极引线区并与电极引线区电性接触。

在其中一实施例中，所述搭接部呈复数条状，每条所述搭接部一端搭接至所述导电网格且另一端搭接至所述电极引线区。

在其中一实施例中，所述第一凹槽呈倒梯形，或者所述第一凹槽呈倒梯形且所述第一凹槽的侧壁为弧形壁。

在其中一实施例中，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

一种导电薄膜，其包括：

第一层面，所述第一层面包括透明UV胶层，所述透明UV胶层一侧形成第一凹槽以及第二凹槽，所述第一凹槽内填充导电材料形成导电区，且所述导电区由导电网格构成；所述第二凹槽内填充导电材料形成电极引线区；且所述导电区与所述电极引线区电性绝缘；

第二层面，其包括覆设于所述透明UV胶层上的搭接部，所述搭接部桥接所述导电区和电极引线区实现所述导电区和电极引线区的电性连接。

在其中一实施例中，所述电极引线区呈网格状，所述搭接部分别覆盖所述导电网格的若干根网格线和所述电极引线区的若干根网格线。

在其中一实施例中，所述搭接部呈点状、线状、块状、面状、网格状或条状的至少一种。

一种电子设备，其特征在于，具有如上述项中任一项所述的导电薄膜。

在其中一实施例中，所述电子设备包括液晶显示器、OLED显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池、加热膜、发光器件。

本实用新型的有益效果：导电薄膜通过搭接部连接的导电区和电极引线区，其连接更加可靠，增加导电性能，且工艺简单环保。

附图说明

图1为本实用新型导电薄膜的截面示意图；

图2为本实用新型导电薄膜的另一种截面示意图；

图3为本实用新型导电薄膜的另一种截面示意图；

图4为本实用新型导电薄膜的另一种截面示意图；

图5为本实用新型导电薄膜的另一种截面示意图；

图6为本实用新型导电薄膜的平面示意图；

图7a-7b为本实用新型导电薄膜的局部放大示意图；

图8a-8b为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图9a-9b为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图10a-10b为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图11为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图12为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图13为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图14为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图15为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图16为本实用新型导电薄膜的另一种局部放大示意图；

图17a-17c为本实用新型导电薄膜的制备方法的各步骤的示意图；

图18a-18c为本实用新型导电薄膜的另一种制备方法的各步骤的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本实用新型揭示一种导电薄膜，其包括：

第一层面，所述第一层面包括导电区和电极引线区，所述导电区和所述电极引线区之间电性绝缘；

第二层面，所述第二层包括分别连接所述导电区和电极引线区并实现所述导电区和电极引线区电性连接的搭接部。

其中，所述第一层面还包括聚合物层，所述导电区以及电极引线区位于所述聚合物层同侧。

本实用新型的导电薄膜通过层叠于聚合物层上的桥接层的搭接部实现聚合物层上的导电网格和电极引线的电性连接，工艺环保简单，连接性能好。

优选的，聚合物层压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽。第一凹槽填充导电材料后形成导电网格，导电网格构成导电区，第二凹槽填充导电材料后形成电极引线区(或者可以称之为电极引线)，搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射或蒸镀等工艺搭接导电网格和电极引线。

优选的，电极引线呈网格状，搭接部一端搭接上若干根导电网格的网格线，搭接部的另一端搭接上若干根电极引线的网格线。

优选的，搭接部与导电网格的电性连接方式为点点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种，搭接部与引线的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种。例如，导电网格的一个点与搭接部的一个点相抵接；导电网格的几个点与搭接部的一个面分别抵接；电极引线的一条边线与搭接部的一条边线相交叉；电极引线的一条边线与搭接部的一个面接触；电极引线的一个面与搭接部的一个面相接触；导电网格的一个凸面与搭接部的一个凹面相配合接触；等等。搭接部的边缘与导电网格的边缘相抵接，搭接部与导电网格上下相叠接触等等。

优选的，搭接部呈点状、线状、块状、面状、网格状或条状的至少一种。

优选的，搭接部包括复数连接点，连接点连接至少一根导电网格的网格线和至少一根电极引线的网格线。

优选的，搭接部呈线状，导电网格的网格线延伸至所述搭接部，电极引线的网格线延伸至所述搭接部。

优选的，搭接部呈块状，块状搭接部部分覆盖导电网格的网格线且部分覆盖所述电极引线的网格线。

优选的，搭接部包括网格状，搭接部的网格线延伸至所述导电网格并与导电网格的网格线电性接触，搭接部的网格线延伸至所述电极引线并与电极引线的网格线电性接触。

优选的，搭接部呈复数条状，每条搭接部一端搭接至所述导电网格且另一端搭接至所述电极引线。

搭接部呈点状、线状、网格状等宽度较小的形状时，可与导电网格接触更大的面积，特别是当导电网格所在区为可视区时，搭接部不会影像可视效果且能得到更好的电性连接效果。

优选的，搭接部的高度小于导电网格的高度小于电极引线的高度，或者，搭接部的高度小于导电网格的高度等于电极引线的高度，或者，导电网格的高度小于搭接部的高度小于电极引线的高度。搭接部的宽度大于导电网格的宽度大于电极引线的宽度。

优选的，搭接部的形状、长、宽、高、角度、弧度等参数不做限定，可根据实际需要设置，故此，例如丝印搭接部时无需严格对位，工艺简单可靠。

优选的，第一凹槽呈倒梯形，或者第一凹槽呈倒梯形且第一凹槽的侧壁为弧形壁。第二凹槽也可呈倒梯形，或者第二凹槽呈倒梯形且第二凹槽的侧壁为弧形壁。

优选的，第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度。第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。

优选的，聚合物层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，搭接部包括朝向第一侧面的底面，底面部分接触第一侧面上。也即，搭接部的底面一部分接触导电网格，一部分接触第一侧面，一部分接触电极引线。

优选的，导电网格包括相对于第一凹槽底的第一顶面，电极引线包括相对于第二凹槽的第二顶面，搭接部的底面分别接触第一顶面和第二顶面。

优选的，电极引线为非网格状，而是一根实线。导电网格的网格线宽度小于电极引线的实线宽度。

优选的，导电薄膜包括多条相互不连通的导电网格(一块区域的导电网格呈条状分布)，每条导电网格通过搭接部电性连接一条电极引线。导电薄膜还包括位于相邻两条导电网格之间的配色线，配色线可以为在第一侧面形成第三凹槽，填充入配色材料后形成。配色线也可以为其中一条导电网格，但该导电网格不连接电极引线。

优选的，导电薄膜包括竖向延伸的多条导电网格和横向延伸的多条导电网格，横向延伸的导电网格在与竖向延伸的导电网格的交叉处断开并通过第二搭接部电性连接。

本实用新型揭示另一种导电薄膜，其包括：

透明UV胶层，压印固化后形成第一凹槽和第二凹槽；

导电网格，所述第一凹槽内填充导电材料后形成所述导电网格；

电极引线，所述第二凹槽内填充导电材料后形成所述电极引线；

搭接部，覆设于所述透明UV胶层上，桥接所述导电网格和电极引线实现所述导电网格和电极引线的电性连接。

优选的，电极引线呈网格状，搭接部分别覆盖导电网格的若干根网格线和电极引线的若干根网格线。

优选的，所述搭接部呈点状、线状、块状、面状、网格状或条状的至少一种，以增加其稳定性能。

本实用新型还揭示一种电子设备，具有如上述所述的导电薄膜。电子设备包括液晶显示器、OLED显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池、加热薄、发光器件。

以下，请参附图，举例说明本实用新型。

请参图1，本实用新型揭示一种导电薄膜100，其包括聚合物层1、导电网格2、电极引线3和桥接层。聚合物层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，聚合物层1的第一侧面11凹设有相互不连通的第一凹槽111和第二凹槽 112。第一凹槽111内填充导电材料形成导电网格2。第二凹槽112内填充导电材料形成电极引线3。从而导电网格2和电极引线3嵌设于聚合物层1的胶层内。在聚合物层1，导电网格和电极引线相互绝缘。桥接层层叠于聚合物层1上，桥接层包括分别连接导电网格2和电极引线3并实现导电网格2和电极引线3电性连接的搭接部4。填充的导电材料选自石墨烯、导电碳、金属、金属氧化物等导电材料中的一种或几种。金属包括金、银、铜、铝、镍、锌或任意两者或两者以上的合金。

搭接部4通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀等方式形成于第一侧面11上。也即搭接部4与导电网格2和电极引线3电性接触且不再同一层次上。搭接部4 层叠于聚合物层1上，搭接部4的底面接触第一侧面11上，该底面一部分接触导电网格2，一部分接触第一侧面11，一部分接触电极引线3。具体的，导电网格2包括相对于第一凹槽底的第一顶面21。电极引线3包括相对于第二凹槽底的第二顶面31。搭接部4包括朝向第一侧面11的底面41。底面41分别接触第一顶面21、第二顶面31和第一侧面11。此实施例中，第一凹槽111和第二凹槽112正好填充满导电材料(第一顶面21、第二顶面31和第一侧面11均在一个面内)。其他实施例中，由于在第一凹槽111和第二凹槽112内未填充满导电材料(第一顶面21和第二顶面31低于第一侧面11)或者填充满盈(第一顶面21和第二顶面31高于第一侧面11)，底面41便变得不平整。其他实施例中，第一顶面21和第二顶面31因工艺原因不为平面，而是凹凸不平的，底面41也将变得凹凸不平。

导电网格2和电极引线3同时压印填充成型，搭接部4后丝印成型，不需要电镀工艺，环保安全，且工艺简单，导电性能优异。并且，搭接部4搭接上导电网格2和电极引线3实现导电网格2和电极引线3的电性连接即可，所以可以不严格规定丝印时的掩膜版的对位要求，可简化工艺。如图2所示，搭接部4 (为方便描述和理解，不同实施例相同的特征采用同一编号，下同)大小和位置并不做严格限定。

第一凹槽111的宽度大于第二凹槽112的宽度，也即导电网格2的宽度大于引线3的宽度。

请参图3，第一凹槽111的横截面呈梯形，第一凹槽111位于第一侧面11 的开口宽度大于第一凹槽111底部的宽度。第二凹槽112的横截面呈梯形，第二凹槽112位于第一侧面11的开口宽度大于位于第二凹槽112底部的宽度。梯形即为上宽下窄的倒梯形。呈倒梯形的第一凹槽111和第二凹槽112在压印成型时可方便脱模。

该梯形也可为大致呈梯形，请参图4，第一凹槽111(为清楚显示第一凹槽 111的结构，图4中的一个第一凹槽111内未填充材料，)包括第一底壁1111和两第一侧壁1112，两第一侧壁1112为弧形壁1112。第二凹槽112(为清楚显示第二凹槽112的结构，图4中的一个第二凹槽112内未填充材料，)包括第二底壁1121和连接第二底壁1121两侧的两第二侧壁1122，两第二侧壁1122为弧形壁1112。弧形壁成型简单，脱模方便。

进一步的，请参图5，第二凹槽112的深度大于第一凹槽111的深度，也即电极引线3的厚度(高度)大于导电网格2的厚度(高度)，从而保证电极引线的导电率，特别是在第一凹槽111的宽度大于第二凹槽112的宽度时。

一种实施方式中，请参图6，导电网格2包括第一网格22，电极引线3包括第二网格32(可参图7a)，搭接部4电性搭接第一网格22和第二网格32。相互连通的第一网格22形成了导电网格2，相互连通的第二网格32形成了电极引线 3，搭接部4搭接若干根第一网格22和若干根第二网格32，确保第一网格22和第二网格32，确保第一网格22和第二网格32的电性连接，且导电性能优异。

请参图7a-10b，为搭接部4与第一网格22和第二网格32连接部位的局部放大示意图例。其中7a、8a、9a、10a中，第一网格22和第二网格32之间的框示意了搭接部4的区域，可清楚显示三者之间的位置关系及连接关系。其中 7b、8b、9b、10b为设置搭接部4后的示意图。从7a-10b中可以看出，搭接部 4可覆盖多条第一网格22和多条第二网格32，从而确保电性连接。另，第一网格22的网线宽度大于第二网格32的网线宽度，第一网格22的网格密度小于第二网格32的网格密度。第一网格22和第二网格32可以均不设置边线，如图7a；也可以第一网格22设置边线221，第二网格32不设置边线，如图8a；也可以第一网格22不设置边线，第二网格32设置边线321，如图9a；也可以第一网格22设置边线221，第二网格32设置边线321，如图10a。搭接桥4的形状、角度和位置也不限定。搭接部4呈条状，两条搭接部4分别连接导电网格2和电极引线3，如图10b。

搭接部4可丝印呈点状、线状、面状、块状、条状或网格状等多种形状。具体的，请参图11-16举例说明搭接部的形状。

请参图11，搭接部4包括复数连接点42，连接点42连接至少一根第一网格 22的网格线和至少一根第二网格32的网格线。

请参图12，搭接部4呈线状，第一网格22的网格线延伸至搭接部4，第二网格32的网格线延伸至搭接部4。

请参图13，搭接部4呈块状，块状搭接部4部分覆盖第一网格22的网格线且部分覆盖第二网格32的网格线。

请参图14，搭接部4包括第三网格43，第三网格43延伸至第一网格22余第一网格22电性接触，第三网格43延伸至第二网格32并与第二网格32电性接触。

请参图15，搭接部4呈复数条状，每条搭接部4一端搭接至第一网格22且另一端搭接至第二网格32。

请参图16，搭接部4呈复数条状且为曲线状，各曲线状搭接部4一端搭接至第一网格22且另一端搭接至第二网格32。

请参图17a-17c，举例介绍导电薄膜的制备方法。

一种导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

请参图17a，步骤S1，用压印胶形成聚合物层1，在压印胶的第一侧面11 压印成型相互不连通的第一凹槽111和第二凹槽112。

请参图17b，步骤S2，在第一凹槽111中填充入导电材料形成导电网格2，在第二凹槽中填充入导电材料形成电极引线3。

请参图17c，步骤S3，在第一侧面11上丝印出搭接部4，搭接部4分别电性连接导电网格2和引线3。

第一凹槽111和第二凹槽112可一次压印成型，也可只填充一次导电材料即形成导电网格2和引线3。

除了丝印，还可以用溅射、蒸镀、喷墨打印等形成搭接线。

请参图18a-18c，另一种导电薄膜的制备方法，其包括如下步骤：

步骤S1，用压印胶形成聚合物层，在压印胶的第一侧面压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

步骤S2，请参图18a，导电材料填充入第一凹槽，形成竖向延伸的多条导电网格2和横向延伸的多条导电网格2，横向延伸的导电网格2在与竖向延伸的导电网格2的交叉处断开，导电材料同时填充入第二凹槽，形成电极引线3；

步骤S3，请参图18b，设置绝缘部5，分布覆盖于竖向延伸的导电网格2在于横向延伸的导电网格2的交叉处；

步骤S4，请参图18c，在第一侧面上丝印搭接部4，搭接部4的两端分别电性连接导电网格2和电极引线3；在绝缘部5上形成第二搭接部6，第二搭接部 6电性连接在此处断开的导电网格2。

导电薄膜通过同时压印填充形成导电网格和电极引线，再丝印搭接部电性连接导电网格和电极引线，工艺简单、环保、电气性能优异。导电薄膜可应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电磁的电极、加热膜、屏蔽膜、 OLED显示器、OLED发光器等领域中。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。