薄膜绝缘层沉积加热器的制作方法

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种薄膜绝缘层沉积加热器。

背景技术：

AMAT(应用材料公司)的高深宽比薄膜沉积设备(HARP STI)在工艺的过程中，由于工艺压力要求过高(600Torr，接近大气压760Torr)，需要将硅片尽可能完全紧贴在加热器表面，防止硅片移动和受热不均匀。目前使用的方法是用真空吸附硅片。但由于硅片和加热器本身的差异和形变，会导致硅片边缘翘起，从而工艺的副产物会残留在翘起的间隙中。随着时间累计效应，最终会出现硅片无法吸附和加热器表面出现粉尘残留，设备出现异常，需要维护和处理。如图1所示，晶圆周缘翘起，由于真空吸附的气流走向是由外向内，所以粉尘容易堆积在晶圆周缘。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能避免粉尘堆积在晶圆周缘的薄膜绝缘层沉积加热器,包括晶圆托盘、真空吸附结构、支撑结构和真空驱动装置，真空吸附结构设置在晶圆托盘上，支撑结构设置在晶圆托盘下方，真空驱动装置设置在支撑结构下方，真空吸附结构的真空管路穿过支撑结构连接真空驱动装置，晶圆托盘上还设有通风结构，通风结构的通风管路穿过支撑结构连接通风驱动装置相连。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述通风结构是通风孔。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，通风孔以为几何中心均匀分布在真空吸附结构四周。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述通风孔呈环形分布在真空吸附结构四周。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述通风结构是通风槽。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，：所述通风槽以真空吸附结构为中心呈环形分布在晶圆托盘上。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，包括至少两个呈同心圆布置的通风槽。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述通风结构中的气流走向是自晶圆托盘内向晶圆托盘外。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述通风结构与晶圆托盘所处平面呈第一夹角。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述具有第一夹角范围是小于90度大于等于0度。

进一步改进所述薄膜绝缘层沉积加热器，所述通风驱动装置驱动氦气进入通风结构。

本实用新型通过在晶圆托盘上增加采用氦气背部冷却(HE backside cooling)通风结构的方式来避免粉尘容易堆积在晶圆周缘，使气流方向由加热器内向加热器外，从而尽可能吹散粉尘，在有效地让硅片均匀受热的前提下避免了粉尘对产品的影响，提高产品的良品率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是现有薄膜绝缘层沉积加热器结构示意图。

图2是本实用新型的整体结构第一实施例侧视示意图。

图3是本实用新型第二实施例晶圆托盘俯视图。

图4是本实用新型第三实施例的一种可行结构示意图。

图5是本实用新型第三实施例的另一种可行结构示意图。

图6是本实用新型通风结构是通风孔结构示意图。

附图标记说明

气流方向→

积压粉尘位置A

晶圆B

第一夹角a

晶圆托盘1

真空吸附结构2

支撑结构3

真空驱动装置4

通风结构5

通风驱动装置6

真空吸附孔7

具体实施方式

如图2所示，本实用新型提供薄膜绝缘层沉积加热器第一实施例,包括晶圆托盘1、真空吸附结构2、支撑结构3和真空驱动装置4，真空吸附结构4设置在晶圆托盘1上，支撑结构3设置在晶圆托盘1下方，真空驱动装置4设置在支撑结构3下方，真空吸附结构3的真空管路穿过支撑结构3连接真空驱动装置4，晶圆托盘1上还设有通风结构 5，通风结构5的通风管路穿过支撑结构4连接通风驱动装置6相连。

本实用新型提供薄膜绝缘层沉积加热器第二实施例,包括晶圆托盘1、真空吸附结构 2、支撑结构3和真空驱动装置4，真空吸附结构4设置在晶圆托盘1上，支撑结构3 设置在晶圆托盘1下方，真空驱动装置4设置在支撑结构3下方，真空吸附结构3的真空管路穿过支撑结构3连接真空驱动装置4，晶圆托盘1上还设有通风结构5，通风结构5的通风管路穿过支撑结构4连接通风驱动装置6相连。

所述通风结构是通风孔，假设真空吸附结构是真空吸附孔7，通风孔以真空吸附孔 7为中心均匀分布在真空吸附孔7的四周。通风结构中的气流走向是自晶圆托盘内向晶圆托盘外，通风驱动装置6驱动氦气进入通风结构，如图3所示。

本实用新型提供薄膜绝缘层沉积加热器第三实施例,包括晶圆托盘1、真空吸附结构 2、支撑结构3和真空驱动装置4，真空吸附结构4设置在晶圆托盘1上，支撑结构3 设置在晶圆托盘1下方，真空驱动装置4设置在支撑结构3下方，真空吸附结构3的真空管路穿过支撑结构3连接真空驱动装置4，晶圆托盘1上还设有通风结构5，通风结构5的通风管路穿过支撑结构4连接通风驱动装置6相连。

所述通风结构是通风槽，假设真空吸附结构是真空吸附孔7，通风槽以真空吸附孔 7为中心均匀分布在真空吸附孔7的四周。通风结构中的气流走向是自晶圆托盘内向晶圆托盘外，通风驱动装置6驱动氦气进入通风结构。

如图4所示，本实用新型第三实施例的一种可行结构，通风槽以真空吸附孔7为中心围绕在真空吸附孔7四周。

如图5所示，本实用新型第三实施例的另一种可行结构，通风槽是圆环形，并且包括2个以真空吸附孔7为圆心的圆环形通风槽。

本实用新型提供薄膜绝缘层沉积加热器第四实施例,包括晶圆托盘1、真空吸附结构2、支撑结构3和真空驱动装置4，真空吸附结构4设置在晶圆托盘1上，支撑结构3 设置在晶圆托盘1下方，真空驱动装置4设置在支撑结构3下方，真空吸附结构3的真空管路穿过支撑结构3连接真空驱动装置4，晶圆托盘1上还设有通风结构5，通风结构5的通风管路穿过支撑结构4连接通风驱动装置6相连。

所述通风结构是通风槽/通风孔，假设真空吸附结构是真空吸附孔7，通风槽/通风孔以真空吸附孔7为中心均匀分布在真空吸附孔7的四周。通风结构中的气流走向是自晶圆托盘内向晶圆托盘外，通风驱动装置6驱动氦气进入通风结构。

通风槽/通风孔与晶圆托盘所处平面呈第一夹角a，所述具有第一夹角a范围是小于 90度大于等于0度。

如图6所示，假设通风结构是通风孔，第一夹角a为45度。假设通风结构是通风槽，对于局部剖视图来说无论通风孔/通风槽显示情况相同，不再赘述。通风结构与晶圆托盘所处平面具有夹角，这样通风结构吹出的气流与晶圆也具有夹角，减少晶圆向上的受力，避免晶圆向上移动。

以上通过具体实施方式和实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本实用新型的保护范围。