1.一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体(5)、器件主体(5)底端的固定机构和器件主体(5)一侧的连接机构，其特征在于：所述固定机构包括底座(3)和外壳(1)，所述器件主体(5)的底端设置有底座(3)，所述底座(3)的顶端设置有外壳(1)，所述底座(3)的顶端表面设置有固定冒檐(10)，所述固定冒檐(10)的底端相对于底座(3)的顶端设置有滑轨(11)，所述外壳(1)的底端相对于滑轨(11)的位置处设置有滑柱(12)，所述外壳(1)的一侧设置有磁铁(14)，所述底座(3)的一侧相对于磁铁(14)的位置处设置有固定卡槽(13)，所述底座(3)的另一侧设置有连接柱(15)，所述连接柱(15)的两侧内部设置有固定弹簧(19)，所述底座(3)的两侧相对于固定弹簧(19)的位置处设置有固定槽(18)，所述固定槽(18)的一侧设置有按压块(17)。
2.根据权利要求1所述的一种通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述连接机构包括固定柱(6)和固定管(16)，所述器件主体(5)的一侧设置有固定柱(6)，所述固定柱(6)的一侧设置有固定管(16)，所述固定柱(6)的一侧相对于按压块(17)的内部设置有固定块(20)，所述按压块(17)的一侧内壁设置有内螺纹。
3.根据权利要求1所述的一种通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述外壳(1)的一侧设置有固定孔(2)，所述外壳(1)的另一侧表面设置有连接孔(9)，且连接孔(9)贯穿外壳(1)的一侧表面。
4.根据权利要求1所述的一种通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述外壳(1)的两侧设置有限位孔(4)，且限位孔(4)贯穿外壳(1)的整体。
5.根据权利要求1所述的一种通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述外壳(1)的一侧设置有连接卡座(8)，所述连接卡座(8)的一侧设置有连接块(7)。