多频天线装置的制作方法

本实用新型是关于一种多频天线装置。

背景技术：

相较于一般的天线，微带天线结构能够用以制作圆极化天线，具有平面结构、可大量生产及方便整合在主动元件或电路板…等优点，因而被大量的应用在各种无线传输装置上，例如全球定位系统GPS(Global Positioning System)或无线射频辨识(RFID)。

请参阅图1，是已用微带天线的立体透视图。如图所示，已用的微带天线10包括一绝缘基体11、一第一导电层13、一第二导电层15及一导电元件171，其中第一导电层13位于绝缘基体11的上表面，而第二导电层15则位于绝缘基体11的下表面。导电元件171贯穿绝缘基体11、第一导电层13及第二导电层15，并电性连接第一导电层13。

设置在绝缘基体11上表面的第一导电层13可作为微带天线10的幅射体，而设置在绝缘基体11下表面的第二导电层15则是接地面。在通过微带天线10进行无线射频讯号的接收时，无线射频讯号会由第一导电层13经由导电元件171输入，而在进行无线射频讯号的发射时，讯号则会经由导电元件171传送至第一导电层13，并经由第一导电层13发射无线讯号。

微带天线10能够接收或发射的无线讯号的频率与第一导电层13的长度及宽度相关，此外亦与绝缘基体11的介电系数相关。若欲制作共振频率较低的微带天线10，便需要增加第一导电层13的长度或宽度，如此一来将会增加微带天线10的体积及制作成本。当然亦可选用介电系数较高的绝缘基体11制作微带天线10，以达到降低微带天线10的共振频率的目的，此一方式虽然可避免增加微带天线10的体积，但同样会增加微带天线10的制作成本。而当绝缘基体的尺寸与介电系数选定之后，基本上，在该微带天线上能够形成的共振频率就已经固定，所以，在一个绝缘基体上制作具有两个共振频率的微带天线时，不容易同时精确且有效的调整两个共振频率。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决上述技术问题而提供一种多频天线装置，主要在绝缘基体的上表面设置第一电极层及第二电极层，并在绝缘基体的侧表面及/或下表面上设置至少一凹槽，并使得凹槽与第二电极层部分或全部重迭。第一电极层与第二电极层可分别形成不同的共振频率，而通过凹槽的设置可改变介于第二电极层与第三电极层之间的夹层的有效介电系数，借此将可在不增加多频天线装置的体积的情况下，达到调整第二电极层所产生的共振频率的目的。

本实用新型的另一目的是提供一种多频天线装置，可通过设置绝缘基体的侧表面及/或下表面的凹槽的大小、位置及/或数量，调整多频天线装置所产生的共振频率，而不要更改多频天线装置上的电极层的设计，借此将可提高多频天线装置在使用时的便利性及适用范围。

为了达成上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种多频天线装置，包括：

一绝缘基体，包括至少一第一通孔、一第一表面、一第二表面及至少一侧表面，其中该第一表面与该第二表面是隔着该绝缘基体相对的两个表面，且该第一表面经由该侧表面连接该第二表面，而该第一通孔穿透该绝缘基体；

至少一第一电极层，建置于该绝缘基体的该第一表面；

至少一第二电极层，设置在该绝缘基体的该第一表面，并位于该第一电极层的外围，且该第二电极层未接触该第一电极层；

至少一第三电极层，建置于该绝缘基体的该第二表面；

至少一导电元件，穿过该第一通孔并电性连接该第一电极层，且不接触该第三电极层；及

至少一凹槽，设置于该绝缘基体的该侧表面或该第二表面，其中该凹槽在该第一表面的投影与该第二电极层完全或部分重迭，其中该第一电极层用以产生一第一共振频率，而该第二电极层则用以产生一第二共振频率，且该第一共振频率高于该第二共振频率，其中该凹槽用以调整该第二电极层与该第三电极层之间的有效介电系数，并经由调整该第二电极层与该第三电极层之间的有效介电系数来调整该第二共振频率。

其中该凹槽环绕设置在该绝缘基体的该侧表面或该第二表面。

其中该凹槽的数量是数个，并以对称的方式设置在该绝缘基体的该侧表面或该第二表面。

其中该导电元件电性连结一讯号馈入端。

所述多频天线装置还包括一承载基体，该承载基体包括一第三表面、一第四表面及至少一侧表面，其中该第三表面与该第四表面是隔着该承载基体相对的两个表面，该第三表面经由该侧表面连接该第四表面，且该第三表面的全部或部分区域附着于该绝缘基体的第二表面，其中该承载基体包括至少一第二通孔，该第二通孔穿透该承载基体，并连通该承载基体的第一通孔，且该导电元件穿过相连通的该第一通孔及该第二通孔。

其中该承载基体具有至少一个镂空区。

其中该绝缘基体具有两个第一通孔，该两个第一通孔穿透该绝缘基体，该导电元件的数量是两个，分别设置在该两个第一通孔中，并分别连接该第一电极层，且不接触该第三电极层，该两个导电元件分别用以连接一讯号馈入端。

一种多频天线装置，包括：

一绝缘基体，包括至少一第一通孔、一第一表面及一第二表面，其中该第一表面与该第二表面是隔着该绝缘基体相对的两个表面，而该第一通孔穿透该绝缘基体；

至少一第一电极层，建置于该绝缘基体的该第一表面；

至少一第二电极层，设置在该绝缘基体的该第一表面，并位于该第一电极层的外围，且该第二电极层未接触该第一电极层；

一承载基体，包括至少一第二通孔、一第三表面、一第四表面及至少一侧表面，其中该第三表面与该第四表面是隔着该承载基体相对的两个表面，且该第三表面经由该侧表面连接该第四表面，而该第二通孔穿透该承载基体，其中该第三表面的全部或部分区域附着于该绝缘基体的第二表面，且该第二通孔连通该绝缘基体的第一通孔；

至少一导电元件，穿过该第一通孔及该第二通孔并电性连接该第一电极层；及

至少一凹槽，设置于该绝缘基体的该侧表面或该第二表面，或设置于该承载基体的该侧表面或该第三表面或该第四表面，其中该凹槽在第一表面的投影与该第二电极层完全或部分重迭，其中该第一电极层用以产生一第一共振频率，而该第二电极层则用以产生一第二共振频率，且该第一共振频率高于该第二共振频率。

所述多频天线装置还包括至少一第三电极层，建置于该绝缘基体的该第二表面，且该导电元件不接触该第三电极层。

其中该承载基体由绝缘材料所制成。

所述多频天线装置包括至少一第四电极层，建置于该承载基体的该第四表面，且该第四电极层不接触该导电元件。

其中该承载基体由金属材料所制成，且该承载基体不接触该导电元件。

其中该导电元件用于电性连结一讯号馈入端。

其中该第一电极层的四个相对比较大的边与该第二电极层的四个分别相邻的边，形成四个相对应的间距，其中最小的间距是第一间距，然后依顺时针方向分别是第二间距、第三间距及第四间距，其中该第一间距不等于该第三间距，该第二间距不等于该第四间距。

其中该绝缘基体具有两个第一通孔，而该承载基体则具有两个第二通孔，该绝缘基体的两个第一通孔与该承载基体的两个第二通孔分别对应连通，其中该导电元件的数量是两个，且相连通的该第一通孔及该第二通孔内皆分别设置一该导电元件，该导电元件分别连接该第一电极层及一讯号馈入端，且不接触该第三电极层。

其中该绝缘基体具有两个第一通孔，而该承载基体则具有两个第二通孔，该绝缘基体的两个第一通孔与该承载基体的两个第二通孔分别对应连通，其中该导电元件的数量是两个，且相连通的该第一通孔及该第二通孔内皆分别设置一该导电元件，该导电元件分别连接该第一电极层及一讯号馈入端，且不接触该第四电极层。

本实用新型的有益效果：本实用新型的一种多频天线装置，主要于绝缘基体的上表面设置第一电极层及第二电极层，并于绝缘基体的下表面设置第三电极层，其中第二电极层位于第一电极层的外围，且和第一电极层没有相互接触。绝缘基体的侧表面及/或下表面上可设置至少一凹槽，该凹槽与第二电极层部分或全部重迭。该第一电极层与该第二电极层可分别形成不同的共振频率，而通过凹槽的设置可改变介于第二电极层与第三电极层之间的夹层的有效介电系数，借此以调整第二电极层所产生的共振频率；

本实用新型的一种多频天线装置，主要于绝缘基体的侧表面及/或下表面及/或绝缘基体的内部设置至少一凹槽，并使得凹槽在第一表面的投影与绝缘基体上的部分电极层重迭。此外亦可调整凹槽在第一表面的投影与电极层的重迭面积及/或调整凹槽的纵向深度及/或凹槽的设置位置，以调整电极层所产生的共振频率。

附图说明

图1是现有微带天线的立体透视图。

图2是本实用新型多频天线装置一实施例的顶部的立体示意图。

图3是本实用新型多频天线装置一实施例的底部的立体示意图。

图4是本实用新型多频天线装置一实施例的俯视图。

图5是本实用新型多频天线装置又一实施例的俯视图。

图6是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体示意图。

图7是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体示意图。

图8是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体示意图。

图9是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体示意图。

图10是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体示意图。

图11是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体示意图。

图12是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体示意图。

图13是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体示意图。

图14是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体示意图。

图15是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体分解图。

图16是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体分解图。

图17是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体分解图。

图18是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体分解图。

图19是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体分解图。

图20是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体分解图。

图21是本实用新型多频天线装置又一实施例的底部的立体分解图。

图22是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体示意图。

图23是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部的立体示意图。

主要组件符号说明：

10 微带天线 11 绝缘基体

13 第一导电层 15 第二导电层

171 导电元件

20 多频天线装置 21 绝缘基体

211 第一表面 212 间隙

213 第二表面 215 侧表面

217 第一通孔 219 设置区域

231 第一电极层 233 第二电极层

235 第三电极层 237 第四电极层

25 导电元件 27 凹槽

29 接地平面

30 多频天线装置 39 承载基体

391 第三表面 393 第四表面

395 侧表面 397 第二通孔

399 镂空区

40 多频天线装置 41 绝缘基体

411 第一表面 413 第二表面

415 侧表面 417 第一通孔

431 第一电极层 433 第二电极层

435 第三电极层 437 第四电极层

45 导电元件 47 承载基体

471 第三表面 473 第四表面

475 侧表面 477 第二通孔

49 凹槽

50 多频天线装置 531 第一电极层

533 第二电极层 535 第三电极层

59 承载基体 591 第三表面

593 第四表面 595 侧表面

597 第二通孔

具体实施方式

请参阅图2及图3，分别是本实用新型多频天线装置一实施例的顶部及底部立体示意图。如图所示，多频天线装置20主要包括一绝缘基体21、至少一第一电极层231、至少一第二电极层233、至少一第三电极层235、至少一导电元件25及至少一凹槽27。

绝缘基体21包括一第一表面211、一第二表面213、至少一侧表面215及至少一第一通孔217，其中第一表面211与第二表面213是隔着绝缘基体21相对的两个表面，例如第一表面211是顶表面，而第二表面213是底表面。此外第一表面211经由侧表面215连接第二表面213，例如绝缘基体21可是一多边型柱体或一圆柱体。第一通孔217穿透绝缘基体21，例如第一通孔217连通绝缘基体21的第一表面211及第二表面213。

第一电极层231及第二电极层233设置于绝缘基体21的第一表面211，其中第二电极层233位于第一电极层231的外围，且第一电极层231及第二电极层233不相接触。

在本实用新型一实施例中，如图2所示，第二电极层233可紧靠着绝缘基体21的各个侧表面215设置，如图4所示。在不同实施例中，如图2及图6所示，第二电极层233亦可不靠着绝缘基体21的各个侧表面215，并与各个侧表面215之间存在一间隙212。

在本实用新型一实施例中，第二电极层233的数量是一个，其中第二电极层233可是连续的环状构造，并环绕设置在第一电极层231的周围，如图4所示。例如第二电极层233是环状构造，并可在绝缘基体21的第一表面211上形成一设置区域219，此设置区域219是第二电极层233所环绕出来的内部区域，而第一电极层231则设置在设置区域219内。在本实用新型另一实施例中，第二电极层233的数量可是数个，且数个第二电极层233设置在第一电极层231的外围，如图5所示。

在本实用新型一实施例中，如图4所示，第一电极层231可不设置在设置区域219的中央或中心，也就是说偏向设置区域219的某一侧边或某一角落。例如第一电极层231可是多边形，并可能包括四个以上的边，其中第一电极层231的四个相对比较大的边与第二电极层233的四个相邻的边之间具有四个相对应的间距。最小的间距是第一间距L1，而依顺时针方向分别是第二间距L2、第三间距L3及第四间距L4，其中第一间距L1不等于第三间距L3，而第二间距L2不等于第四间距L4。

第三电极层235设置在绝缘基体21第二表面213的部份区域，如图3所示，或者是将第三电极层235设置在绝缘基体21全部的第二表面213，如图7所示，其中第三电极层235隔着绝缘基体与第一电极层231及/或第二电极层233相对。导电元件25穿过绝缘基体21上的第一通孔217，并电性连接第一电极层231，且不接触第三电极层235。

具体来说，第一电极层231及/或第三电极层235亦设置穿孔，其中设置在绝缘基体21上的第一电极层231及第三电极层235的穿孔与绝缘基体21上的第一通孔217的位置，构成部分或全部重迭。导电元件25的截面积小于绝缘基体21的第一通孔217的截面积，使得导电元件25可放入基体21的第一通孔217内。在本实用新型一实施例中，导电元件25的一端可连接第一电极层231，而导电元件25的另一端则用以电性连接一讯号馈入端(未显示)。

第一电极层231用以产生一第一共振频率，而第二电极层233则用以产生一第二共振频率，且第一共振频率高于第二共振频率。

凹槽27设置于绝缘基体21的侧表面215及/或第二表面213，其中凹槽27在第一表面的投影与第二电极层233完全或部分重迭。在本实用新型一实施例中，如图3所示，凹槽27是设置在绝缘基体21的各个侧表面215。在不同实施例中，如图8所示，凹槽27则是设置在绝缘基体21的第二表面213。此外图3及图8的凹槽27并未贯穿绝缘基体21，在不同实施例中，凹槽27亦可贯穿绝缘基体21。

本实用新型其中一个特点在于，在绝缘基体21的第二表面213及/或至少一侧表面215上设置凹槽27，并使得凹槽27在第一表面的投影与设置在绝缘基体21的第一表面211上的第二电极层233完全或部分重迭。藉由凹槽27的设置，将可改变介于第二电极层233与第三电极层235之间的夹层的有效介电系数，也可以改变介于第二电极层233与多频天线装置20下方接地平面29之间的有效介电系数，如图9所示，其中多频天线装置20设置在接地平面29(例如:电路板上的接地平面)上，并改变第二电极层233所产生的第二共振频率的频率值，例如：通过凹槽27的设置将可降低介于第二电极层233与第三电极层235及/或接地平面29之间的夹层的有效介电系数，并提高第二电极层233所产生的第二共振频率。

在不同实施例中，亦可改变绝缘基体21上设置的凹槽27的位置，例如于绝缘基体21的各个侧表面215上分别设置一个或多个凹槽27，如图3所示。此外亦可仅在绝缘基体21的部分侧表面215上设置一个或多个凹槽27，其中各个凹槽27以对称的方式设置，例如凹槽27分别设置在绝缘基体21相对的侧表面215，如图10所示。当然亦可将凹槽27环绕设置在绝缘基体21的侧表面215，如图11所示。此外亦可将凹槽27设置在绝缘基体21的部分或全部的侧表面215，且凹槽27没有延伸到绝缘基体21的第一表面211及第二表面213，如图12所示。

在实际应用时可改变凹槽27在第一表面的投影与第二电极层233的重迭面积、改变凹槽27沿着侧表面215上的纵向深度及/或改变凹槽27的设置位置，以调整第二电极层233所产生的第二共振频率，并使得第二共振频率符合多频天线装置20的设计需求。

在本实用新型另一实施例中，绝缘基体21上的第一通孔217的数量亦可是两个，如图13及14所示，其中两个第一通孔217皆穿透绝缘基体21，并分别将两个导电元件25设置在两个第一通孔217内，两个导电元件25分别连接第一电极层231，且不接触第三电极层235，并分别连接讯号馈入端(未显示)。

请参阅图15及图16，分别是本实用新型多频天线装置一实施例的顶部及底部的立体分解图。本实用新型实施例的多频天线装置30与上述实施例的多频天线装置20相似，主要的差别在于多频天线装置30还包括一承载基体39。承载基体39可由绝缘材料所制作，亦可由金属或导电材质所制作，并包括一第三表面391、一第四表面393及至少一侧表面395。第三表面391与第四表面393是隔着承载基体39相对的两个表面，且第三表面391经由侧表面395连接第四表面393。

承载基体39包括至少一第二通孔397，其中第二通孔397穿透承载基体39。承载基体39通过第三表面391的全部或部分区域附着于绝缘基体21的第二表面213，其中承载基体39的第二通孔397与绝缘基体21的第一通孔217相连通，而导电元件25则穿过第一通孔217及第二通孔397。

在本实用新型一实施例中，亦可于承载基体39的第四表面393上设置一第四电极层237，当然第四电极层237并非本实用新型的必要构件，亦非本实用新型权利范围的限制。

在本实用新型另一实施例中，如图17所示，承载基体39亦可包括至少一镂空区399，其中承载基板39的镂空区399可和绝缘基体21上凹槽27，部分区域重迭或全部重迭，甚至完全不重迭。此外镂空区399的截面积可大于、等于或小于凹槽27的截面积。

在本实用新型另一实施例中，多频天线装置30上亦可不用设置第三电极层235及第四电极层237，具体来说多频天线装置30仅通过第一电极层231及第二电极层233，亦可产生两种以上的共振频率。

请参阅图18及图19，分别是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部及底部分解立体示意图。如图所示，多频天线装置40主要包括一绝缘基体41、至少一第一电极层431、至少一第二电极层433、至少一第三电极层435、一承载基体47、至少一导电元件45及至少一凹槽49。

绝缘基体41包括一第一表面411、一第二表面413、至少一侧表面415及至少一第一通孔417，其中第一表面411与第二表面413是隔着绝缘基体41相对的两个表面，例如第一表面411是顶表面，而第二表面413是底表面。此外第一表面411经由侧表面415连接第二表面413，使得绝缘基体41是一多边型柱体或一圆柱体。第一通孔417穿透绝缘基体41，例如第一通孔417连通绝缘基体41的第一表面411及第二表面413。

第一电极层431及第二电极层433设置于绝缘基体41的第一表面411，其中第二电极层433位于第一电极层431的外围，且第一电极层431及第二电极层433不相接触。

第三电极层435设置在绝缘基体41的第二表面413，并与第一电极层431及/或第二电极层433相对。导电元件45穿过绝缘基体41上的第一通孔417，并电性连接第一电极层431，且不接触第三电极层435。

承载基体47包括一第三表面471、一第四表面473及至少一侧表面475，其中第三表面471与第四表面473是隔着承载基体47相对的两个表面。第三表面471经由侧表面475连接第四表面473，而第二通孔477则穿透承载基体47。承载基体47的第三表面471的全部或部分区域附着于绝缘基体41的第二表面413，其中承载基体47的第二通孔477与绝缘基体41的第一通孔417相连通。

导电元件45穿过第一通孔417及第二通孔477，并电性连接第一电极层431，且不接触第三电极层435。凹槽49设置于承载基体47的侧表面475及/或第三表面471及/或第四表面473，其中凹槽49在第一表面的投影与第二电极层433完全或部分重迭。第一电极层431用以产生一第一共振频率，而第二电极层433则用以产生一第二共振频率，且第一共振频率高于第二共振频率。凹槽49的数量可是数个，并以对称的方式设置在承载基体47的侧表面475及/或第三表面471及/或第四表面473。

在本实用新型一实施例中承载基体47可是绝缘材质，并可于承载基体47的第四表面473上设置至少一第四电极层437，并使得第四电极层437不接触导电元件45。此外第四电极层437的面积大于第三电极层435的面积。在本实用新型另一实施例中，承载基体47亦可由金属材质所制成，并使得承载基体47不接触导电元件45。具体来说当承载基体47是金属材质时，便不需要额外设置第四电极层437。

在本实用新型一实施例中，第一电极层431未接触第二电极层433，并在第一电极层431及第二电极层433之间形成距离不等的间距，俯视图如图4所示。此外第一通孔417及第二通孔477的数量亦分别可是两个，两个第一通孔417及两个第二通孔477分别对应连通，并分别将两个导电元件45分别设置在两个第一通孔417及两个第二通孔477内，且两个导电元件45的一端分别连接第一电极层431，不接触第三电极层435，而导电元件45的另一端则分别连接讯号馈入端(未显示)。

在本实用新型另一实施例中，多频天线装置40上亦可不用设置第三电极层435及/或第四电极层437，具体来说多频天线装置40仅通过第一电极层431及第二电极层433，便可产生两种以上的共振频率。此外可将至少一凹槽49设置于绝缘基体41的侧表面或第二表面213，或者是设置于承载基体49的侧表面或第三表面471或第四表面473，以达到调整多频天线装置40产生的共振频率的目的。

请参阅图20及图21，分别是本实用新型多频天线装置又一实施例的顶部及底部立体示意图。如图所示，多频天线装置50主要包括一绝缘基体21、至少一第一电极层531、至少一第二电极层533、至少一导电元件25、至少一凹槽27及一承载基体59。

绝缘基体21包括一第一表面211、一第二表面213、至少一侧表面215及至少一第一通孔217，其中第一表面211与第二表面213是隔着绝缘基体21相对的两个表面，例如第一表面211是顶表面，而第二表面213是底表面。此外第一表面211经由侧表面215连接第二表面213，使得绝缘基体21是一多边型柱体或一圆柱体。第一通孔217穿透绝缘基体21，例如第一通孔217连通绝缘基体21的第一表面211及第二表面213。

第一电极层531及第二电极层533设置于绝缘基体21的第一表面211，其中第二电极层533位于第一电极层531的外围，且第一电极层531及第二电极层533不相接触。

凹槽27设置于绝缘基体21的侧表面215及/或第二表面213，其中凹槽27在第一表面的投影与第二电极层533完全或部分重迭。第一电极层531用以产生一第一共振频率，而第二电极层533则用以产生一第二共振频率，且第一共振频率高于第二共振频率。

承载基体59包括一第三表面591、一第四表面593及至少一侧表面595，其中第三表面591与第四表面593是隔着承载基体59相对的两个表面，且第三表面591经由侧表面595连接第四表面593，而第二通孔597穿透承载基体59。

承载基体59的第三表面591的全部或部分区域附着于绝缘基体21的第二表面213，其中承载基体59的第二通孔597与绝缘基体21的第一通孔217相连通。导电元件25穿过第一通孔217及第二通孔597并电性连接第一电极层531。具体来说，本实用新型实施例与图15及图16的差异处在于，本实用新型实施例的绝缘基体21的第二表面213上并未设置导电层。

在本实用新型一实施例中，承载基体59可是绝缘材质，并可于承载基体59的第四表面593上设置至少一第三电极层535，并使得第三电极层535不接触导电元件25。在本实用新型另一实施例中，承载基体59亦可由金属材质所制成，并使得承载基体59不接触导电元件25。具体来说当承载基体59是金属材质时，便不需要额外设置第三电极层535。

在本实用新型另一实施例中，除了于绝缘基体21上设置凹槽27外，亦可于承载基体39、47、59上设置凹槽49，其中承载基体39、47、59的凹槽49可面向绝缘基体21的凹槽27，例如凹槽49设置于承载基体39、47、59的上表面，使得承载基体39、47、59的凹槽49与绝缘基体21的凹槽27连通，如图22所示。当然凹槽49亦可设置在承载基体39、47、59的下表面，使得承载基体39、47、59的凹槽49与绝缘基体21的凹槽27朝同一个方向，如图23所示。当然，凹槽49也可以只设置在承载基体39、47、59的侧表面。

以上所述，仅为本实用新型的一较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，即凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的权利要求范围内。