1.一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，其特征在于：传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。
2.如权利要求1所述的集成电路布图结构，其特征在于：传导金属层设置在传导半导体器件第m金属层，被传导金属层设置在被传导半导体的第n层金属层，m≥1，n≥1。
3.如权利要求1所述的集成电路布图结构，其特征在于：当被传导金属层是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸覆盖被传导金属层；
当被传导金属层不是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸插入被传导金属层。
4.如权利要求3所述的集成电路布图结构，其特征在于：当被传导金属层不是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸形成插指状结构插入被传导金属层中，传导金属层的插指状结构与其插入被传导金属层之间距离为现有工艺所能实现的最小物理距离。
5.如权利要求3所述的集成电路布图结构，其特征在于：当被传导金属层是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层是传导器件的顶层金属层。
6.如权利要求4所述的集成电路布图结构，其特征在于：传导金属层和被传导金属层一一对应设置，传导金属层插入距离最近的被传导金属层。
7.如权利要求4所述的集成电路布图结构，其特征在于：传导金属层插入距离最近的被传导金属层。
8.如权利要求1-7任意一项所述的集成电路布图结构，其特征在于：
传导金属层覆盖被传导金属层时，传导金属层与被传导金属层时之间距离d1为0.1微米-2.0微米；传导金属层插入被传导金属层时，传导金属层与被传导金属层相邻金属层之间距离d2为0.1微米-2.0微米。