集成电路布图结构的制作方法

本实用新型涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路布图结构。

背景技术：

在集成电路领域制造集成电路布图结构时，由于某些功能要求需要使两个半导体器件的工作环境(尤其是温度)尽量保持一致或尽量接近，以便补充工作环境差异对器件性能所产生的影响。通常在设计布图结构时，使对工作环境要求相同的两个半导体器件的物理位置尽量接近。但由于集成电路布图需要遵循一定的物理规则，任何器件之间均有最小物理距离限制，半导体器件之间的距离必须满足所允许的最小物理距离，半导体器件不能无限制的靠近。因此，存在对工作环境要求相同的半导体器件因最小物理距离限制导致工作环境(温度耦合或感应)无法得到满足，造成半导体器件性能得不到保证的情况。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件能满足工作环境(温度耦合或感应)要求的集成电路布图结构。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的集成电路布图结构，包括传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层设置在传导半导体器件第m金属层，被传导金属层设置在被传导半导体的第n层金属层，m≥1，n≥1。

进一步改进所述的集成电路布图结构，当被传导金属层是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸覆盖被传导金属层；

当被传导金属层不是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸插入被传导金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，当被传导金属层不是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸形成插指状结构插入被传导金属层中，传导金属层的插指状结构与其插入被传导金属层之间距离为现有工艺所能实现的最小物理距离。

进一步改进所述的集成电路布图结构，当被传导金属层是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层是传导器件的顶层金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层和被传导金属层一一对应设置，传导金属层插入距离最近的被传导金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层和被传导金属层数量不同时，传导金属层插入距离最近的被传导金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层覆盖被传导金属层时，传导金属层与被传导金属层时之间距离d1为0.1微米-2.0微米；

传导金属层插入被传导金属层时，传导金属层与被传导金属层相邻金属层之间距离d2为0.1微米-2.0微米。

半导体器件具有相连的金属层通常至少有2-4层，甚至更多的金属层。每层金属层的厚度通常为0.5微米-4微米。这些金属层具有良好的热传导性，非常适合进行热传导。本实用新型利用金属层的热传导性在满足集成电路布图最小物理规则前提下，将两个(甚至多个)相邻的半导体器件通过传导金属层覆盖，使各半导体器件满足设计的温度耦合或感应要求。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是本实用新型第一实施例的局部剖视图。

图1a是本实用新型第一实施例插指状结构第一种表现形式局部剖视图。

图1b是本实用新型第一实施例插指状结构第二种表现形式局部剖视图。

图2a是本实用新型第二实施例第一种表现形式局部剖视图。

图2b是本实用新型第二实施例第二种表现形式局部剖视图。

图2c是本实用新型第二实施例第三种表现形式局部剖视图。

图3a是本实用新型第三实施例第一种表现形式局部剖视图。

图3b是本实用新型第三实施例第二种表现形式局部剖视图

图4是本实用新型第四实施例的局部剖视图。

附图标记

A是传导半导体器件

B是被传导半导体器件

C是传导金属层

D是被传导金属层

P是衬底

Va是传导半导体器件连接孔

Vb是被传导半导体器件连接孔

a1是传导半导体器件第一金属层

b1是被传导半导体器件第一金属层

ax是传导半导体器件顶层金属层

by是被传导半导体器件顶层金属层

am是传导半导体器件中间某层金属层

am’是另一传导半导体器件中间某层金属层

am’+1是另一传导半导体器件中间某层金属层上方金属层

bn是被传导半导体器件中间某层金属层

am-1是传导半导体器件中间某层金属层下方金属层

am+1是传导半导体器件中间某层金属层上方金属层

bn-1是被传导半导体器件中间某层金属层下方金属层

bn+1是被传导半导体器件中间某层金属层上方金属层

d1是传导金属层与被传导金属层时之间距离

d2是传导金属层与被传导金属层相邻金属层之间距离。

F是插指状结构

具体实施方式

本实用新型提供的集成电路布图结构，包括传导半导体器件A和被传导半导体器件B，传导半导体器件A和被传导半导体器件B是相对功能命名的，即该器件相对某半导体器件X作为传导半导体器件A，但该器件又可相对某器件Y作为被传导半导体器件B。

传导半导体器件A的至少一层金属层向被传导半导体器件B延伸插入或覆盖被传导半导体器件B的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层命名为传导金属层C，被传导半导体器件B被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层D，传导金属层C与传导半导体器件其他金属层通过连接孔连接，该传导金属层C与被传导半导体器件无接触。

图1所示，本实用新型第一实施例的局部剖视图(省略其他金属层及半导体器件结构)，传导半导体器件A的第一金属层a1作为传导金属层C，被传导半导体器件B的第一金属层b1作为被传导金属层D。由于采用半导体器件的第一金属层作为传导金属层和被传导金属层，采用插入结构，形成插指状结构F。插指状结构插入到被传导金属层D与被传导器件B无接触，其插入又可以划分为两种形式，一种插指状结构位于被传导金属层的一侧，被传导半导体的连接孔位于另一侧,如图1a所示(省略其他金属层及半导体器件结构)。另一种，插指状结构位于被传导金属层中间，被传导半导体的连接孔位于插指状结构两侧，如图1b所示(省略其他金属层及半导体器件结构)。

本实用新型第二实施例，当被传导金属层D是被传导器件B的顶层金属层by时，传导金属层C延伸覆盖被传导金属层D，具体结构主要包括以下三种形式，x＞m＞1,y＞n＞1；

第一种形式如图2a所示(省略其他金属层及半导体器件结构)，传导半导体器件A的顶层金属层ax作为传导金属层C，被传导半导体器件B的顶层金属层by作为被传导金属层D。传导半导体器件A的顶层金属层ax延伸即可覆盖被传导半导体器件B顶层金属层by。

第二种形式如图2b所示(省略其他金属层及半导体器件结构)，传导半导体器件A的中间某一金属层am,为传导金属层C，被传导半导体器件B的顶层金属层by作为被传导金属层D。则传导半导体器件A的中间金属层am向上延伸到达被传导半导体器件B的顶层金属层by上方，再水平延伸覆盖被传导半导体器件B的顶层金属层by。

第三种形式如图2c所示(省略其他金属层及半导体器件结构),传导半导体器件A的中间某几层金属层作为传导金属层C，本实施例以am和am-1层为例但不限于2层，可以是多层结合作为传导金属层C。被传导半导体器件B的顶层金属层by作为被传导金属层D。则传导半导体器件A的中间金属层am和am-1层向上延伸到达被传导半导体器件B的顶层金属层by上方，再水平延伸覆盖被传导半导体器件B的顶层金属层by。

本实用新型第三实施例，当被传导金属层D是被传导器件B的中间金属层bn时，传导金属层C延伸插入被传导金属层D，具体结构主要包括以下两种形式，x＞m＞1,y＞n＞1；

第一种形式如图3a所示(省略其他金属层及半导体器件结构)，传导半导体器件A的顶层金属层ax作为传导金属层C，被传导半导体器件B的中间金属层bn作为被传导金属层D。传导半导体器件A的顶层金属层ax延伸插入被传导半导体器件B中间金属层bn，n＞m＞1。图3a中，被传导半导体器件B的中间金属层bn侧视由于被传导半导体器件A的顶层金属层ax遮挡未显示(即图1a的插入形式)。

相应的，传导半导体器件A的顶层金属层ax延伸插入被传导半导体器件B中间金属层bn的插入形式可以参考图1a、图1b的插入形式。

第二种形式如图3b所示(省略其他金属层及半导体器件结构)，传导半导体器件A的中间金属层am作为传导金属层C，被传导半导体器件B的中间金属层bn作为被传导金属层D。传导半导体器件A的中间金属层am延伸插入被传导半导体器件B中间金属层bn，x＞m＞1,y＞n＞1。图3b中，被传导半导体器件B的中间金属层bn侧视被传导半导体器件A的中间金属层am遮挡未显示(即图1a的插入形式)。

传导半导体器件A的中间金属层am和被传导半导体器件B的中间金属层bn采用就近原则，即该两层之间距离尽可能的近。相应的，传导半导体器件A的中间金属层am延伸插入被传导半导体器件B中间金属层bn的插入形式可以参考图1a、图1b的插入形式。

上述各实施例中，传导金属层C覆盖被传导金属层D时，传导金属层C与被传导金属层D时之间距离d1为0.1微米-2.0微米；

传导金属层C插入被传导金属层D时，传导金属层C与被传导金属层D相邻金属层之间距离d1为0.1微米-2.0微米。假设bn是被传导金属层，则其相邻金属层是bn-1金属层(下方金属层)、bn+1金属层(上方金属层),即传导金属层C与被传导金属层D上方的金属层bn+1之间距离d2为0.1微米-2.0微米，或传导金属层C与被传导金属层D下方的金属层bn-1之间距离d2为0.1微米-2.0微米。

本实用新型第四实施例，具有两个传导半导体器件，一个传导半导体器件命名为A1，另一个传导半导体器件命名为A2，一个被传导半导体B。传导半导体器件A1的顶层金属层金属ax作为传导金属层，被传导半导体B的顶层金属by作为被传导金属层(相对半导体器件A1),另一传导半导体器件A2的中间金属层am’作为传导金属层，被传导半导体B的中间金属层bn作为被传导金属层(相对半导体器件A2)，即被传导半导体器件B具有两个被传导金属层(by,bn)。

以上通过具体实施方式和实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本实用新型的保护范围。