技术总结
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布。本实用新型能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。
技术研发人员：孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.09.20
技术公布日：2019.06.25