1.一种汽车用暂态电压抑制二极管，其特征在于，包括半导体芯片(1)，用于封装半导体芯片的管体(2)，以及连接半导体芯片(1)的正电极引线(3)和负电极引线(4)；其中，所述半导体芯片(1)包括单晶硅基片(10)，依附在单晶硅基片(10) 上的上掺杂层(101)和下掺杂层(102)，位于上掺杂层(101)与下掺杂层(102)之间的PN结(11)，位于上掺杂层(101)外侧依次堆叠的玻璃钝化层(12)和上电极金属层(103)，以及位于下掺杂层(102)外侧的依次堆叠的玻璃钝化层(12)和下电极金属层(104)；所述正电极引线(3)与上电极金属层(103)相连，负电极引线(4)与下电极金属层(104)相连。
2.根据权利要求1所述的一种汽车用暂态电压抑制二极管，其特征在于，所述上掺杂层(101)为N型磷结区，下掺杂层(102)为P型硼结区。
3.根据权利要求2所述的一种汽车用暂态电压抑制二极管，其特征在于，所述半导体芯片(1)还设置有玻璃保护层(13)，位于上电极金属层(103)和下电极金属层(104)外侧。
4.根据权利要求3所述的一种汽车用暂态电压抑制二极管，其特征在于，所述玻璃钝化层(12)材料为锌硼硅酸盐玻璃。
5.根据权利要求4所述的一种汽车用暂态电压抑制二极管，其特征在于，所述管体(2)材料为环氧树脂。