技术总结
本实用新型公开了一种汽车用暂态电压抑制二极管，包括半导体芯片，用于封装半导体芯片的管体，以及连接半导体芯片的正电极引线和负电极引线；其中，所述半导体芯片包括单晶硅基片，依附在单晶硅基片上的上掺杂层和下掺杂层，位于上掺杂层与下掺杂层之间的PN结，位于上掺杂层外侧依次堆叠的玻璃钝化层和上电极金属层，以及位于下掺杂层外侧的依次堆叠的玻璃钝化层和下电极金属层，所述正电极引线与上电极金属层相连，负电极引线与下电极金属层相连。通过上述设计，本实用新型解决了现有暂态电压抑制二极管无法消除汽车电子系统中静电放电ESD、浪涌过电压、过电流等导致电路板损害的问题，提高了汽车电气系统的稳定性。因此适于推广应用。
技术研发人员：肖南海
受保护的技术使用者：上海音特电子有限公司
技术研发日：2018.10.22
技术公布日：2019.04.16