1.一种高性能晶体管，其特征在于，包括：
多晶衬底层；
设置在所述多晶衬底层第一表面的键合层；
设置在所述键合层第一表面的第一非掺杂GaN层；
设置在所述第一非掺杂GaN层第一表面的AlGaN层；
间隔设置在所述AlGaN层第一表面的源电极和漏电极；及
设置在所述AlGaN层第一表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。
2.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，还包括分别设置在所述AlGaN层与所述源电极之间以及在所述AlGaN层与所述漏电极之间的两个高掺杂GaN层。
3.根据权利要求2所述的高性能晶体管，其特征在于，高掺杂GaN层为N型掺杂。
4.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述第一非掺杂GaN层和所述AlGaN层均为单晶结构。
5.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述栅电极的第二表面位于所述AlGaN层第一表面和所述AlGaN层第二表面之间。
6.根据权利要求1所述的高性能晶体管，其特征在于，所述多晶衬底层为高导热材料。