技术总结
本实用新型属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。
技术研发人员：张宇;丁庆;吴光胜;冯军正;蓝永海
受保护的技术使用者：深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
技术研发日：2018.10.24
技术公布日：2019.08.16