半导体芯片固晶装置的制作方法

本实用新型涉及一种芯片固晶装置，特别是涉及一种半导体芯片固晶装置。

背景技术：

目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光组件的显示装置具有优选的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示装置，此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，在现有技术中，当固定在电路基板上的发光二极管芯片损坏后，损坏的发光二极管芯片就不能再进行修补。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种半导体芯片固晶装置。

为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是，提供一种半导体芯片固晶装置，半导体芯片固晶装置应用于一发光二极管模块，发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在电路基板上且电连接于电路基板的发光单元，多个发光单元之中的至少一个为一损坏的发光单元，其中，半导体芯片固晶装置包括：一激光产生模块以及一芯片取放模块。激光产生模块邻近电路基板且设置在电路基板的上方，以用于产生一激光光束。芯片取放模块邻近发光单元且设置在发光单元的上方。其中，激光产生模块所产生的激光光束投向损坏的发光单元，以降低损坏的发光单元与电路基板之间的结合力。其中，芯片取放模块将损坏的发光单元从电路基板上取下而形成一空缺，且芯片取放模块将一良好的发光单元置入空缺内。其中，激光产生模块与芯片取放模块同步移动，芯片取放模块具有空气导引通道，激光产生模块所产生的激光光束穿过空气导引通道。

优选地，该半导体芯片固晶装置还进一步包括：位置检测模块，该位置检测模块邻近电路基板且设置在电路基板的下方，以检测电路基板与损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面的位置。

优选地，该激光产生模块所产生的激光光束投向位于电路基板与损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面，以降低电路基板与损坏的发光单元的导电物质之间的结合力，其中，位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收组件。

优选地，导电物质为异方性导电膜。

优选地，该半导体芯片固晶装置还进一步包括：位置检测模块，该位置检测模块邻近电路基板且设置在电路基板的下方，以检测良好的发光单元的新的导电物质的位置。

优选地，该激光产生模块所产生的激光光束投向良好的发光单元，以使得良好的发光单元固定在路基板上且电连接于电路基板，且激光产生模块所产生的激光光束投向良好的发光单元的新的导电物质，以固化新的导电物质，其中，位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收组件。

优选地，新的导电物质为异方性导电胶。

优选地，激光产生模块与芯片取放模块彼此相连，激光产生模块设置在芯片取放模块的外周围。

为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的另外一技术方案是，提供一种半导体芯片固晶装置，包括一芯片取放模块以及一激光产生模块。芯片取放模块用于吸取并移动一发光单元。激光产生模块所产生的一激光光束穿过发光单元而投射到位于一电路基板与所述发光单元之间的一导电物质，以将所述发光单元电连接于一电路基板上。其中，激光产生模块与芯片取放模块同步移动。

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置，能通过“所述激光产生模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以用于产生一激光光束”以及“所述芯片取放模块邻近所述发光单元且设置在所述发光单元的上方”的技术方案，以使得所述激光产生模块所产生的激光光束投向所述损坏的发光单元而降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力，并且使得所述芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺。借此，由于所述芯片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内，所以使得所述损坏的发光单元能够被所述良好的发光单元所取代而达到修补的效果。

本实用新型的另外一有益效果在于，本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置，能通过“激光产生模块所产生的一激光光束穿过所述发光单元而投射到位于一电路基板与所述发光单元之间的一导电物质，以将所述发光单元电连接于一电路基板上”以及“所述激光产生模块与所述芯片取放模块同步移动”的技术方案，以使得所述激光产生模块所产生的一激光光束穿过所述发光单元而投射到位于一电路基板与所述发光单元之间的一导电物质，以将所述发光单元电连接于一电路基板上，并且，所述激光产生模块与所述芯片取放模块同步移动。借此，可达到将一良好的发光单元固定于所述电路基板的效果。

为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所产生的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的流程图。

图2为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S100的示意图。

图3为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S102与步骤 S102(B)的示意图。

图4为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S104的示意图。

图5为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S106的示意图。

图6为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S108、步骤S110 以及步骤S110(B)的示意图。

图7为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S102(A)的示意图。

图8为本实用新型所提供的半导体芯片修补方法的步骤S110(A)的示意图。

图9为本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置固定发光单元的第一操作示意图。

图10为本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置固定发光单元的第一操作示意图。

图11为本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置取出发光单元的第一操作示意图。

图12为本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置取出发光单元的第二操作示意图。

图13为本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置的芯片取放模块的第一结构示意图。

图14为本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置的芯片取放模块的第二结构示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“半导体芯片修补方法以及半导体芯片固晶装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不脱离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。

请参阅图1至图6所示，本实用新型提供一种半导体芯片修补方法，包括下列步骤：

首先，配合图1与图2所示，提供一发光二极管模块1，发光二极管模块1包括一电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板 10的发光单元11，并且多个发光单元11之中的至少一个为一损坏的发光单元11B(步骤S100)。换句话说，发光二极管模块1包括一电路基板10以及一设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光群组G，并且发光群组G包括多个发光单元11。

举例来说，每一个发光单元11包括一发光二极管芯片111以及一设置在发光二极管芯片111的底端与电路基板10之间的导电物质112。另外，发光二极管芯片111可为具有sapphire为基底的一发光二极管芯片(mini LED)，或者是已移除sapphire的一氮化镓发光二极管芯片(GaN LED或micro LED)。另外，导电物质112可为一异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)、一异方性导电胶(Anisotropic Conductive Paste，ACP)或者任何种类的导电材料。值得注意的是，损坏的发光单元11B有可能是发光二极管芯片111是损坏而无法提供光源的情况，或者是导电物质112是无法导电而产生电性失效的情况。

接着，配合图1与图3所示，利用一激光产生模块2所产生的一激光光束L投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10 之间的结合力(步骤S102)。举例来说，当激光产生模块2所产生的激光光束L投向损坏的发光单元11B时，损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力会被降低，以使得损坏的发光单元11B与电路基板10两者会彼此分离。

然后，配合图1与图4所示，利用一芯片取放模块3将损坏的发光单元 11B从电路基板10上取下而形成一空缺G10(步骤S104)，或者是，利用一芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下，以使得发光群组G形成一空缺G10。举例来说，芯片取放模块3可以是真空吸嘴或者任何种类的取放机器(pick and place machine)。

接下来，配合图1与图5所示，利用芯片取放模块3将一良好的发光单元11N置入空缺G10内(步骤S106)，或者是，利用芯片取放模块3将一良好的发光单元11N置入发光群组G的空缺G10内。举例来说，良好的发光单元11N包括一良好的发光二极管芯片111N以及一设置在良好的发光二极管芯片111N的底端的新的导电物质112N，并且新的导电物质112N可为一异方性导电胶或者任何种类的导电材料。

紧接着，配合图1与图6所示，将良好的发光单元11N电连接于电路基板10(步骤S108)。举例来说，在将良好的发光单元11N电连接于电路基板10的步骤(步骤S108)中，还进一步包括：利用激光产生模块2所产生的激光光束L投向良好的发光单元11N，以使得良好的发光单元11N固定在电路基板10上且电连接于电路基板10(步骤S110)。

更进一步地，举例来说，配合图1、图3以及图7所示，在利用激光产生模块2所产生的激光光束L投向损坏的发光单元11B的步骤(步骤S102) 中，还进一步包括：配合图1与图7所示，利用一位置检测模块4以检测电路基板10与损坏的发光单元11B的一导电物质112之间的一接触界面的位置(步骤S102(A))；然后，配合图1与图3所示，利用激光产生模块2所产生的激光光束L投向位于电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质 112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质 112之间的结合力(步骤S102(B))。举例来说，如图7所示，位置检测模块 4至少包括用于接收一检测波L’的一接收组件40，并且检测波L’可由激光产生模块2所提供。

更进一步地，举例来说，配合图1、图6以及图8所示，在利用激光产生模块2所产生的激光光束L投向良好的发光单元11N的步骤(步骤S110) 中，还进一步包括：配合图1与图8所示，利用一位置检测模块4以检测良好的发光单元11N的一新的导电物质112N的位置(步骤S110(A))；然后，配合图1与图6所示，利用激光产生模块2所产生的激光光束L投向良好的发光单元11N的新的导电物质112N，以固化新的导电物质112N(步骤 S110(B))。举例来说，如图8所示，位置检测模块4至少包括用于接收一检测波L’的一接收组件40，并且检测波L’可由激光产生模块2所提供。

值得一提的是，配合图1至图8所示，本实用新型还提供一种半导体芯片固晶装置Z，并且半导体芯片固晶装置Z包括一激光产生模块2以及一芯片取放模块3。举例来说，半导体芯片固晶装置Z能应用于一发光二极管模块1。发光二极管模块1包括一电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11，并且多个发光单元11之中的至少一个为一损坏的发光单元11B。

更进一步来说，配合图3与图6所示，激光产生模块2邻近电路基板10 且设置在电路基板10的下方，以用于产生一激光光束L。

举例来说，如图3所示，激光产生模块2所产生的激光光束L(波长可为355nm、532nm或1064nm)能投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力。也就是说，激光产生模块2所产生的激光光束L能投向位于电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的结合力。

举例来说，如图6所示，激光产生模块2所产生的激光光束L(波长可为355nm、532nm或1064nm)能投向良好的发光单元11N，以使得良好的发光单元11N能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。也就是说，激光产生模块2所产生的激光光束L能投向良好的发光单元11N的新的导电物质112N，以固化新的导电物质112N，借此以使得良好的发光单元11N能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。

更进一步来说，配合图5与图6所示，芯片取放模块3邻近发光单元11 且设置在发光单元11的上方。举例来说，芯片取放模块3能将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成一空缺G10(如图5所示)，并且芯片取放模块3将一良好的发光单元11N置入空缺G10内(如图6所示)。

上述实施例中，用于固化导电物质112N的激光光束L与用于降低导电物质112结合力的激光光束L的波长彼此不同。

更进一步来说，配合图7与图8所示，半导体芯片固晶装置Z还进一步包括一位置检测模块4。位置检测模块4邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，用以检测电路基板10与损坏的发光单元11B的一导电物质112 之间的一接触界面的位置，或者用以检测良好的发光单元11N的一新的导电物质112N的位置。

此外，在其中一个优选的实施例中，本实用新型还可提供一种半导体芯片固晶装置Z。如图9至图14所示，本实用新型还能提供一种半导体芯片固晶装置Z，包括了芯片取放模块3与激光产生模块5。芯片取放模块3用于吸取并移动一发光单元11。激光产生模块5所产生的一激光光束L穿过发光单元11而投射到位于一电路基板10与发光单元11之间的一导电物质112，以将发光单元11电连接于一电路基板10上。其中，激光产生模块5与芯片取放模块3同步移动。

举例来说，半导体芯片固晶装置Z能应用于一发光二极管模块1，发光二极管模块1包括一电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11。

更进一步来说，配合图9至图12所示，芯片取放模块3邻近发光单元 11且设置在发光单元11的上方。其中，芯片取放模块3可具有与一真空管连接的通口(如图9、图10所示，未标号)。芯片取放模块3能吸取一良好的发光单元11N，并将良好的发光单元11N置入空缺G10内(如图9、图10 所示)；相对地，芯片取放模块3也能将损坏的发光单元11B从电路基板10 上取下而形成一空缺G10(如图12所示)。

更进一步来说，配合图9至图12所示，激光产生模块5邻近电路基板 10且设置在电路基板10的上方。并且，激光产生模块5可位于芯片取放模块3的内部或芯片取放模块3的周围，并能与芯片取放模块3同步移动；其中，在本实施例中，以激光产生模块5位于芯片取放模块3内部作为示例，但不以此为限。激光产生模块5用于产生一激光光束L。

举例来说，如图10所示，激光产生模块5所产生的激光光束L(波长可为355nm、532nm或1064nm)能投向良好的发光单元11N，以使得良好的发光单元11N能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。也就是说，在芯片取放模块3吸取并移动发光单元11到电路基板10时，激光产生模块 5会与芯片取放模块3同步移动到电路基板10。接着，在芯片取放模块3将良好的发光单元11置入空缺G10后，激光产生模块5所产生的激光光束L 会投向良好的发光单元11N的新的导电物质112N，以固化新的导电物质 112N，进而使得良好的发光单元11N能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。

又举例来说，如图11所示，激光产生模块5所产生的激光光束L(波长可为355nm、532nm或1064nm)能投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力。也就是说，激光产生模块5 所产生的激光光束L能投向位于电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的结合力。接着，通过芯片取放模块3吸取损坏的发光单元 11B，并将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成一空缺G10(如图12所示)。

值得注意的是，在其中一个优选的实施例中，本实用新型的芯片取放模块3与良好的发光单元11N接触的部位3a结构可为透光材质，以便于激光光束L穿透而投向新的导电物质112N(相对地，此实施例也适用于损坏的发光单元11B与导电物质112)。

而在另外一个优选的实施例中，本实用新型的芯片取放模块3的主体可包括第一本体30与第二本体31，且第一本体30中具有导光结构，用以引导激光光束L且使激光光束L投向新的导电物质112N或导电物质112。其中，第一本体30可为不透光材质，且第一本体30与第二本体31可为相同材质，也可为不同材质；并且，第一本体30与第二本体31可为一体成形，也可为各自独立的结构。

上述实施例中，用于固化导电物质112N的激光光束L与用于降低导电物质112结合力的激光光束L的波长彼此不同。

[实施例的有益效果]

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的半导体芯片修补方法，能通过“利用一激光产生模块2所产生的一激光光束L投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力”、“利用一芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成一空缺G10”、“利用芯片取放模块3将一良好的发光单元11N置入空缺G10 内”以及“将良好的发光单元11N电连接于电路基板10”的技术方案，以使得损坏的发光单元11B能够被良好的发光单元11N所取代而达到修补的效果。

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置Z，能通过“激光产生模块2邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，以用于产生一激光光束L”以及“芯片取放模块3邻近发光单元11且设置在发光单元11的上方”的技术方案，以使得激光产生模块2所产生的激光光束L能投向损坏的发光单元11B而降低损坏的发光单元11B与电路基板 10之间的结合力，并且使得芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成一空缺G10。借此，由于芯片取放模块3将一良好的发光单元11N置入空缺G10内，所以使得损坏的发光单元11B能够被良好的发光单元11N所取代而达到修补的效果。

本实用新型的再一有益效果在于，本实用新型所提供的半导体芯片固晶装置Z，能通过“激光产生模块5所产生的一激光光束L穿过所述发光单元 11而投射到位于一电路基板10与所述发光单元11之间的一导电物质112N，以将所述发光单元11电连接于一电路基板10上”以及“所述激光产生模块5 与所述芯片取放模块3同步移动”的技术方案，以使得所述激光产生模块5 所产生的一激光光束L穿过所述发光单元11而投射到位于一电路基板3与所述发光单元11之间的一导电物质112N，以将所述发光单元11电连接于一电路基板10上，并且，所述激光产生模块5与所述芯片取放模块3同步移动。借此，通过所述激光产生模块5与所述芯片取放模块3同步移动，并将所述发光单元11移动至所述电路基板10，以及利用所述激光产生模块5产生的一激光光束L穿过所述发光单元11而投射到所述导电物质112N，以达到将一良好的发光单元11固定于所述电路基板10的效果。

以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的权利要求书范围，所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的权利要求书范围内。